聚3-乙酸噻吩與聚苯胺微/納米結(jié)構(gòu)的可控合成及性能研究
發(fā)布時間:2022-01-24 04:28
導(dǎo)電高分子材料與納米技術(shù)的結(jié)合,在催化、藥物轉(zhuǎn)移、光學(xué)、微電子器件等領(lǐng)域有著很大的應(yīng)用潛力。納米結(jié)構(gòu)化材料既具有自身優(yōu)異性能,也具有納米材料的特殊性能,因此在更多方面發(fā)揮著不可替代的作用。獲得特定的結(jié)構(gòu)是納米材料應(yīng)用的基礎(chǔ),因此,可控制備多樣的導(dǎo)電高分子納米材料非常重要。電化學(xué)合成方法能有效地控制導(dǎo)電高分子的生長速度和生長量,可以方便地控制其納米結(jié)構(gòu)的尺寸和形貌。本論文的工作主要是利用浸漬提拉技術(shù)獲得有序模板分子后通過電化學(xué)沉積的方法,制備和表征了聚3-乙酸噻吩和聚苯胺等通用導(dǎo)電高分子的微/納米結(jié)構(gòu)。1.選用羥乙基纖維素(HEC)、聚丙烯酰胺(PAM)、殼聚糖(Cs)等水溶性高分子做模板分子,利用浸漬提拉法在工作電極表面平鋪一層分布均勻且取向一致的模板分子,以三氟化硼乙醚和三氟乙酸的混合電解液,電化學(xué)氧化聚合3-乙酸噻吩單體的方法,在ITO電極表面制備了高度有序的聚3-乙酸噻吩納米線(直徑大約200 nm)。該納米線形成的機(jī)理為單體分子與模板分子基團(tuán)間的強(qiáng)氫鍵作用力機(jī)理,模板分子的濃度、單體濃度以及電化學(xué)聚合時間對聚3-乙酸噻吩納米線的形貌有直接的影響。2.同樣選用上述模板分子通過浸漬...
【文章來源】:濟(jì)南大學(xué)山東省
【文章頁數(shù)】:70 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
PTAA納米線的制備過程及TAA單體與水溶性高分子之間的氫鍵作用
圖 2.2 普通 PTAA(a) 和以 HEC 為模板制備的 PTAA 納米線 (b) 的掃描電鏡圖像. 圖 b 中的內(nèi)插圖所示為 b 圖的低倍率掃描電鏡圖像
11圖 2.3 聚合時間為 1 min 的 PTAA 納米線 (a),單體濃度在 0.05 M 時制備的 PTAA 納米線 (b),模板分子濃度為 0.01 % (c)和 0.1 % (d)時制備的 PTAA 納米線的掃描電鏡圖像內(nèi)插圖是圖 c 的低倍率時的掃描電鏡圖像
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]導(dǎo)電高分子的應(yīng)用[J]. 何莉,劉軍,沈強(qiáng),張聯(lián)盟. 化學(xué)試劑. 2003(03)
[2]高性能導(dǎo)電高分子材料[J]. 石高全,李春,梁映秋. 大學(xué)化學(xué). 1998(01)
本文編號:3605847
【文章來源】:濟(jì)南大學(xué)山東省
【文章頁數(shù)】:70 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
PTAA納米線的制備過程及TAA單體與水溶性高分子之間的氫鍵作用
圖 2.2 普通 PTAA(a) 和以 HEC 為模板制備的 PTAA 納米線 (b) 的掃描電鏡圖像. 圖 b 中的內(nèi)插圖所示為 b 圖的低倍率掃描電鏡圖像
11圖 2.3 聚合時間為 1 min 的 PTAA 納米線 (a),單體濃度在 0.05 M 時制備的 PTAA 納米線 (b),模板分子濃度為 0.01 % (c)和 0.1 % (d)時制備的 PTAA 納米線的掃描電鏡圖像內(nèi)插圖是圖 c 的低倍率時的掃描電鏡圖像
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]導(dǎo)電高分子的應(yīng)用[J]. 何莉,劉軍,沈強(qiáng),張聯(lián)盟. 化學(xué)試劑. 2003(03)
[2]高性能導(dǎo)電高分子材料[J]. 石高全,李春,梁映秋. 大學(xué)化學(xué). 1998(01)
本文編號:3605847
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/3605847.html
最近更新
教材專著