本文應(yīng)用鎵金屬液滴作為催化劑,采用化學(xué)氣相沉積方法自催化合成了單晶GaSb納米線.研究表明該GaSb納米線為典型的p型半導(dǎo)體,霍爾遷移率為> 0.042 cm²V^-1s^-1.硅基和柔性襯底上構(gòu)筑的基于GaSb納米線的光電探測(cè)器,具有良好的紫外-可見(jiàn)-近紅外寬光譜探測(cè)性能.硅基器件對(duì)500 nm的可見(jiàn)光響應(yīng)率可達(dá)3.86×10³A W^-1,探測(cè)率可達(dá)3.15×10¹³Jones;柔性器件在保持相似光電性能的同時(shí),具有極好的機(jī)械柔韌性和穩(wěn)定性.本文有助于更好地揭示自催化生長(zhǎng)的GaSb納米線的性能,并為進(jìn)一步設(shè)計(jì)基于GaSb納米線的功能光電器件打下了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ). 

【文章來(lái)源】：Science China Materials. 2020,63(03)EISCICSCD

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【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3599432