ZnO作為近年來新興的第三代半導(dǎo)體材料,具有許多獨特且優(yōu)越的性能,再加上納米材料本身的尺度特性,使得ZnO納米線在半導(dǎo)體激光器,紫外探測器,氣體傳感器,發(fā)光二極管等納米器件上得到良好應(yīng)用。Zn O納米線作為制備器件的基本材料,其加工和連接是后續(xù)器件多樣化和可設(shè)計化的基礎(chǔ)。另外ZnO納米線與其它功能材料相連可以帶來更多性能上的改變,因此本文對Zn O納米線的自組裝和互連以及ZnO納米線和SiC納米線的互連進行研究。本文首先采用了兩種方法制備ZnO納米線,一種是水熱法,可以制備出平均直徑為300 nm,平均長度18μm的ZnO納米線。但是由于其長度較短,不適合后續(xù)的實驗,因此采用第二種方法,Zn直接氧化法。該方法制備出了超長的ZnO納米線,平均直徑為500 nm,平均長度在280μm,適用于后續(xù)實驗。接下來要對ZnO納米線進行自組裝排列,使其規(guī)則的朝向同一方向,這對ZnO納米線成為電子線路和異質(zhì)結(jié)網(wǎng)絡(luò)是至關(guān)重要的。實驗采用的是印模印刷法,原理是通過一個帶有許多平行溝道的PDMS（Polydimethylsiloxane,聚二甲基硅氧烷）印模沿著溝道方向進行拖拽。溝道的束縛和端部彎液面的毛細... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：91 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

ZnO的六方纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)

圖 1-2 ZnO 叉指電極結(jié)構(gòu)紫外光探測器[15列的研究，He 等人采用水熱法在 Zn其橋接在兩個插指金屬電極之間，人在 ZnO 納米線陣列表面制備出 TinO 納米線陣列紫外探測器的 8 倍。制

圖 1-2 ZnO 叉指電極結(jié)構(gòu)紫外光探測器[15]陣列的研究，He 等人采用水熱法在 ZnO使其橋接在兩個插指金屬電極之間，同等人在 ZnO 納米線陣列表面制備出 TiO2 ZnO 納米線陣列紫外探測器的 8 倍。制

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
[1]ZnO納米線陣列的制備及其光電化學(xué)性能研究[D]. 芮洲.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2014
[2]Al3+摻雜抗靜電改性ZnO顏料制備及其質(zhì)子輻照效應(yīng)[D]. 呂金鵬.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2010
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本文編號：3594840