近年來許多研究者提出,已被長期研究且現(xiàn)正主導(dǎo)等離子體光子學(xué)（plasmonics）和超材料（metamaterials）領(lǐng)域的貴金屬存在很多缺陷,諸如較大的損耗、化學(xué)/機械不穩(wěn)定性和不可調(diào)諧的光學(xué)特性。因此,一些新的等離子體材料,尤其是工作在近紅外（NIR）波段的材料如透明導(dǎo)電氧化物（TCO）和金屬氮化物等,被作為金屬的替代物而提出,它們在低損耗等離子體、超材料和轉(zhuǎn)換光學(xué)（TO）結(jié)構(gòu)上有廣泛的應(yīng)用前景。但根據(jù)有關(guān)數(shù)值和分析上計算結(jié)果的報道可知,金屬（尤其是銀Ag）在綜合考慮了衡量等離子體性能的兩大指標即傳播長度和局域程度后,仍然比以上的替代材料具有優(yōu)勢。因此,為了使得TCO在實際器件中有所應(yīng)用,將Ag和TCO進行結(jié)合成為了一個有趣的研究趨勢,這種結(jié)合將有效提高純TCO的等離子體性能。本文研究的第一個課題就是將Ag作為某種意義上的“摻雜”而加入ITO薄膜,制備出一系列共濺射的ITO-Ag復(fù)合薄膜。通過調(diào)節(jié)復(fù)合薄膜中的Ag含量（在3 at.%以下）,可觀察到薄膜表現(xiàn)出不同的物理結(jié)構(gòu),Ag的引入改善了In2O3的結(jié)晶質(zhì)量。最重要的是,復(fù)合薄膜的介電常數(shù)實部表現(xiàn)出了極大的可調(diào)諧性,通過后期快速... 

【文章來源】：浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：80 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．丨．１材料譜圖

叫（Ｓｍ?＼??＼?Ｃａｒｒｉｅｒ?ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ?（ｃｍ－３）??圖１．丨．１材料譜圖。圖中以三個重要的材料參數(shù)為坐標軸：載流子濃度（Ｃａｒｒｉｅｒ?ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ，??對半導(dǎo)體而言取最大摻雜濃度時），載流子遷移率（Ｃａｒｒｉｅｒ?ｍｏｂｉｌｉｔｙ）以及帶間躍遷損耗（丨ｎｔｅ丨加１１〇１??ｌｏｓｓｅｓ）。以球型／橢球型氣泡代表的材料是帶間躍迀損粍較�。^大的｜８］。??２??

（ａ）?ＧＺＱ納米盤（ｎａｎｏｄｉｓｋｓ）陣列在５４°傾斜視角下的掃描電子顯微銪（ＳＥＭ）５００ｎｍ，高度為２７０ｎｉｒｕ插圖是高放大倍數(shù)下的納米盤ＳＥＭ圖［｜５］；?（ｂ）?ＧＺＯ圖，這個結(jié)構(gòu)設(shè)計使得ＧＺＯ超表面（ｍｅｔａｓｕｒｆａｃｅ）相當干一?？■＂、四分之一波片，線偏光轉(zhuǎn)化成出射的圓偏光［｜７｜；?（ｃ）在Ｐ偏振電磁波斜＼射下的ＡＺＯ／ＺｎＯ交對電磁波的負折射［｜３｜＜＞??


本文編號：3593537