隨著無線通信的發(fā)展,其通信設(shè)備的集成化、小型化、高穩(wěn)定性和低成本化成為微波射頻器件的主要發(fā)展趨勢(shì)。這種趨勢(shì)使得微波介質(zhì)薄膜材料比相應(yīng)的陶瓷材料（受尺寸限制）具有更廣闊的應(yīng)用前景。本文主要針對(duì)可調(diào)和低損耗這兩種微波介質(zhì)薄膜材料在微波射頻器件中的應(yīng)用進(jìn)行研究。首先由于可調(diào)微波介質(zhì)薄膜中的鈦酸鍶鋇（Ba1-xSrxTiO3,BST）鐵電薄膜具有高的調(diào)諧率和相對(duì)低的介電損耗等優(yōu)異特性,可廣泛用于微波調(diào)諧器件;其次由于低損耗微波介質(zhì)薄膜中的氮化硅介質(zhì)薄膜具有非常低的介電損耗、高電阻率、高致密性、化學(xué)穩(wěn)定性等特性,可廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體器件。于是本文制作出一種基于BST鐵電薄膜的可調(diào)帶通濾波器以及用于功率放大器匹配電路的MIM（metal-insulator-metal,即金屬-絕緣介質(zhì)-金屬）結(jié)構(gòu)SiNx薄膜電容。本文研究?jī)?nèi)容和主要結(jié)論如下:1.采用射頻磁控濺射法在藍(lán)寶石單晶基片上沉積BST薄膜,摸索出合適的退火溫度和升降溫速率來釋放薄膜與基片之間的應(yīng)力以得到結(jié)構(gòu)致密均勻的BST薄膜。2.通過非標(biāo)微細(xì)加工工藝制備出MIM結(jié)構(gòu)BST薄膜電容,并對(duì)其進(jìn)行了介電性能測(cè)試。結(jié)果表明,通過射頻磁控濺射法沉... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：84 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 薄膜電容材料的研究現(xiàn)狀
    1.3 BST鐵電薄膜可調(diào)濾波器的研究現(xiàn)狀
    1.4 寬帶功率放大器的研究現(xiàn)狀
    1.5 本論文的主要研究?jī)?nèi)容
第二章 BST薄膜電容制備與測(cè)試方法
    2.1 BST(Ba_xSr_(1-x)TiO_3)材料的結(jié)構(gòu)與性能
    2.2 BST薄膜電容的制備
        2.2.1 基片的選擇
        2.2.2 BST薄膜電容的結(jié)構(gòu)
        2.2.3 射頻磁控濺射法沉積BST薄膜
        2.2.4 金屬電極的制備
        2.2.5 BST薄膜和金屬電極的圖形化
    2.3 薄膜性能分析方法
        2.3.1 X射線衍射(XRD)測(cè)試
        2.3.2 原子力顯微鏡(AFM)測(cè)試
        2.3.3 DekTak臺(tái)階儀測(cè)試
        2.3.4 電滯回線(P-E)測(cè)試
        2.3.5 介電性能測(cè)試
第三章 BST電容介質(zhì)薄膜在可調(diào)濾波器中的應(yīng)用研究
    3.1 BST薄膜的晶體結(jié)構(gòu)與表面形貌
    3.2 BST薄膜電容的性能測(cè)試與分析
    3.3 可調(diào)濾波器的設(shè)計(jì)與仿真
        3.3.1 微波濾波器的基本理論
        3.3.2 梳狀線結(jié)構(gòu)可調(diào)濾波器的設(shè)計(jì)原理
        3.3.3 BST鐵電薄膜可調(diào)濾波器的具體結(jié)構(gòu)及仿真分析
    3.4 BST鐵電薄膜可調(diào)濾波器的制作與測(cè)試
        3.4.1 BST鐵電薄膜可調(diào)濾波器的制作工藝
        3.4.2 器件的性能測(cè)試與分析
    3.5 本章小結(jié)
第四章 SiN_x電容介質(zhì)薄膜在寬帶功放匹配電路中的應(yīng)用研究
    4.1 功率放大器的分類
    4.2 功放的主要性能指標(biāo)
        4.2.1 工作頻帶
        4.2.2 增益及增益平坦度
        4.2.3 輸出功率
        4.2.4 效率
        4.2.5 輸入輸出駐波比
        4.2.6 非線性失真
    4.3 功率放大器的設(shè)計(jì)流程
        4.3.1 功率放大器的穩(wěn)定性分析
        4.3.2 功率放大器的偏置電路設(shè)計(jì)
        4.3.3 功率放大器的匹配電路設(shè)計(jì)
    4.4 氮化硅(SiN_x)薄膜MIM電容器的制備
        4.4.1 版圖結(jié)構(gòu)
        4.4.2 SiN_x薄膜MIM電容器的整體工藝流程
        4.4.3 PECVD法沉積SiN_x介質(zhì)薄膜
        4.4.4 SiN_x介質(zhì)薄膜的圖形化與干法刻蝕
        4.4.5 SiN_x薄膜電容器的性能研究
    4.5 本章小結(jié)
第五章 結(jié)論與展望
    5.1 結(jié)論
    5.2 展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的研究成果


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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[4]薄膜阻容網(wǎng)絡(luò)集成工藝研究[D]. 余為國(guó).電子科技大學(xué) 2010
[5]抽頭式微波濾波器的分析與設(shè)計(jì)[D]. 鄭清擴(kuò).電子科技大學(xué) 2006



本文編號(hào)：3593179