磁電阻效應是衡量磁結構單體性能的最重要指標。隨著對磁電阻效應的不斷研究和應用,不僅誕生了與電子自旋相關的自旋電子學理論,同時也促進了電子學器件的快速發(fā)展,這不僅為基礎物理的理論研究提供了實驗根基,也將促進今后大規(guī)模高科技產業(yè)的形成。隨著半導體加工工藝技術的不斷提高,電子學器件的基本結構單元已經達到了納米量級,這將引起一些納米范疇的特性對其宏觀性能的調控和影響�；诖�,全面掌握納米磁結構單體基本的物理特性是非常必要的,對其全面了解和精確測量能夠進一步推動自旋電子學器件的應用和發(fā)展。本文應用電化學沉積法制備了CoCu/Cu多層納米線,且在電鏡下對單根CoCu/Cu多層納米線的磁電特性進行了原位測試。通過對多層納米線電特性的測量,不僅獲得了多層納米線的基本物理參數(shù),還得到了直觀、清晰的物理圖像,這為磁結構單體今后的發(fā)展和應用提供了可靠的理論基礎和實際指導。 

【文章來源】：電子顯微學報. 2020,39(05)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：9 頁

【部分圖文】：

a. Co81Cu19/Cu多層納米線電阻測試的SEM像,Bar=2 μm;b. 針尖電阻的I-V曲線圖,插圖是測試鎳鎘針尖時的

對Co81Cu19/Cu多層納米線的形貌和化學組分進行了表征和分析之后,應用選區(qū)電子衍射技術對三種納米線的晶體結構進行分析。圖2b是一張來自于圖2a中被標記區(qū)域的SAED圖。通過分析可得這些衍射環(huán)來自于兩種材料,其中用綠色標記的衍射環(huán)與面心立方結構Cu的衍射環(huán)一致。紅色標記的環(huán)來自于面心立方Co。這些結果說明制備的CoCu/Cu多層納米線的微結構主要由面心立方結構的Co和Cu單質組成。為了更進一步證實上述分析的正確性,對單相Cu納米線和CoCu納米線的晶體結構進行了分析。圖2d是來自于單相CoCu納米線(圖2c被標記部分)的SAED圖,根據(jù)分析,其衍射信息與圖2b中紅線標記部分相同。同樣,對單相Cu納米線的(圖2e被標記部分)電子衍射信息進行測試,如圖2f所示,它的衍射信息也與圖2b中綠線標記部分相同。這個結果再一次證明本文作者制備出了由面心立方的Co和Cu單質顆粒組成的多層納米線。圖2 a. Co81Cu19/Cu多層納米線的TEM像,Bar=100 nm;c. Co81Cu19納米線的TEM像,Bar=500 nm;e. Cu納米線的

a. Co81Cu19/Cu多層納米線的TEM像,Bar=100 nm;c. Co81Cu19納米線的TEM像,Bar=500 nm;e. Cu納米線的


本文編號：3591578