磁電阻效應(yīng)是衡量磁結(jié)構(gòu)單體性能的最重要指標(biāo)。隨著對(duì)磁電阻效應(yīng)的不斷研究和應(yīng)用,不僅誕生了與電子自旋相關(guān)的自旋電子學(xué)理論,同時(shí)也促進(jìn)了電子學(xué)器件的快速發(fā)展,這不僅為基礎(chǔ)物理的理論研究提供了實(shí)驗(yàn)根基,也將促進(jìn)今后大規(guī)模高科技產(chǎn)業(yè)的形成。隨著半導(dǎo)體加工工藝技術(shù)的不斷提高,電子學(xué)器件的基本結(jié)構(gòu)單元已經(jīng)達(dá)到了納米量級(jí),這將引起一些納米范疇的特性對(duì)其宏觀性能的調(diào)控和影響�；诖�,全面掌握納米磁結(jié)構(gòu)單體基本的物理特性是非常必要的,對(duì)其全面了解和精確測(cè)量能夠進(jìn)一步推動(dòng)自旋電子學(xué)器件的應(yīng)用和發(fā)展。本文應(yīng)用電化學(xué)沉積法制備了CoCu/Cu多層納米線,且在電鏡下對(duì)單根CoCu/Cu多層納米線的磁電特性進(jìn)行了原位測(cè)試。通過(guò)對(duì)多層納米線電特性的測(cè)量,不僅獲得了多層納米線的基本物理參數(shù),還得到了直觀、清晰的物理圖像,這為磁結(jié)構(gòu)單體今后的發(fā)展和應(yīng)用提供了可靠的理論基礎(chǔ)和實(shí)際指導(dǎo)。 

【文章來(lái)源】：電子顯微學(xué)報(bào). 2020,39(05)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：9 頁(yè)

【部分圖文】：

a. Co81Cu19/Cu多層納米線電阻測(cè)試的SEM像,Bar=2 μm;b. 針尖電阻的I-V曲線圖,插圖是測(cè)試鎳鎘針尖時(shí)的

對(duì)Co81Cu19/Cu多層納米線的形貌和化學(xué)組分進(jìn)行了表征和分析之后,應(yīng)用選區(qū)電子衍射技術(shù)對(duì)三種納米線的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析。圖2b是一張來(lái)自于圖2a中被標(biāo)記區(qū)域的SAED圖。通過(guò)分析可得這些衍射環(huán)來(lái)自于兩種材料,其中用綠色標(biāo)記的衍射環(huán)與面心立方結(jié)構(gòu)Cu的衍射環(huán)一致。紅色標(biāo)記的環(huán)來(lái)自于面心立方Co。這些結(jié)果說(shuō)明制備的CoCu/Cu多層納米線的微結(jié)構(gòu)主要由面心立方結(jié)構(gòu)的Co和Cu單質(zhì)組成。為了更進(jìn)一步證實(shí)上述分析的正確性,對(duì)單相Cu納米線和CoCu納米線的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析。圖2d是來(lái)自于單相CoCu納米線(圖2c被標(biāo)記部分)的SAED圖,根據(jù)分析,其衍射信息與圖2b中紅線標(biāo)記部分相同。同樣,對(duì)單相Cu納米線的(圖2e被標(biāo)記部分)電子衍射信息進(jìn)行測(cè)試,如圖2f所示,它的衍射信息也與圖2b中綠線標(biāo)記部分相同。這個(gè)結(jié)果再一次證明本文作者制備出了由面心立方的Co和Cu單質(zhì)顆粒組成的多層納米線。圖2 a. Co81Cu19/Cu多層納米線的TEM像,Bar=100 nm;c. Co81Cu19納米線的TEM像,Bar=500 nm;e. Cu納米線的

a. Co81Cu19/Cu多層納米線的TEM像,Bar=100 nm;c. Co81Cu19納米線的TEM像,Bar=500 nm;e. Cu納米線的


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