石墨和C/C復(fù)合材料表面ZrB 2 -SiC陶瓷涂層的研究進(jìn)展
發(fā)布時(shí)間:2022-01-15 03:21
C/C復(fù)合材料具有優(yōu)異的高溫力學(xué)性能,是航空航天領(lǐng)域最具發(fā)展前景的結(jié)構(gòu)材料之一,但在高溫含氧環(huán)境中的氧化問題嚴(yán)重地限制了其實(shí)際應(yīng)用。涂層技術(shù)是提升基體抗氧化能力的有效手段,因ZrB2-SiC陶瓷涂層具有優(yōu)異的抗氧化、抗燒蝕、抗熱震等性能,非常適合作為C/C復(fù)合材料的高溫防護(hù)涂層。首先,介紹了ZrB2-SiC陶瓷涂層在氧化和燒蝕過程中組織結(jié)構(gòu)的演變規(guī)律,闡明了該涂層的高溫防護(hù)機(jī)理;然后,綜述了該涂層的主要制備方法(包埋法、CVD、等離子噴涂)及每種方法的優(yōu)點(diǎn)與不足,并對(duì)不同方法所制備涂層的抗氧化性和抗燒蝕性進(jìn)行了比較;之后,針對(duì)該涂層研究和應(yīng)用中存在的問題,如涂層致密性差、元素分布不均勻、應(yīng)用溫度范圍窄、與基體熱匹配性差等,從粉體改性和摻雜改性兩方面總結(jié)了該涂層的改性研究現(xiàn)狀,重點(diǎn)闡述了對(duì)ZrB2-SiC粉末進(jìn)行噴霧造粒和感應(yīng)等離子球化處理對(duì)于提升等離子噴涂涂層性能的重要意義;最后,從涂層制備、涂層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、涂層改性、涂層性能測(cè)試等方面,指出了該涂層體系存在的主要問題和未來(lái)的發(fā)展方向。
【文章來(lái)源】:表面技術(shù). 2020,49(01)北大核心EICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:10 頁(yè)
【部分圖文】:
石墨表面SiC/ZrB2-SiC/ZrB2/SiC涂層燒蝕前后的形貌[31]
任俊杰等[41]在C/C復(fù)合材料表面SiC涂層的基礎(chǔ)上使用超音速等離子噴涂制備了ZrB2-SiC層,然后使用CVD法制備了SiC層,最終形成了SiC/ZrB2-SiC/SiC多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的涂層,涂層整體均勻致密,具有良好的抗氧化性和抗燒蝕性。但超音速等離子噴涂后,ZrB2-SiC層中的SiC含量較低,說明在噴涂過程中SiC出現(xiàn)了一定的分解。Niu等[42]使用低壓等離子噴涂設(shè)備在石墨表面制備了ZrB2-SiC涂層,經(jīng)XRD檢測(cè)發(fā)現(xiàn),涂層表面幾乎沒有SiC的峰存在,說明在等離子噴涂過程中,SiC分解十分嚴(yán)重。涂層的截面形貌如圖3所示,通過EDS面掃描發(fā)現(xiàn)Si的分布很不均勻,呈團(tuán)聚狀分布,涂層中的孔隙率較高。在1500℃進(jìn)行恒溫氧化測(cè)試,6 h后涂層開始失重,涂層表面也出現(xiàn)了較多的孔洞,說明涂層已基本失去了防護(hù)作用。圖3 ZrB2-SiC涂層的截面形貌及EDS面掃描圖[42]
圖2 等離子噴涂基本原理[35]使用等離子噴涂制備ZrB2-SiC涂層具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),涂層沉積速率快、涂層厚度易于控制、操作簡(jiǎn)便、適合大規(guī)模生產(chǎn)等。但使用等離子噴涂制備ZrB2-SiC涂層也存在一些問題,在等離子噴涂過程中,由于SiC的熔點(diǎn)和升華溫度接近,SiC會(huì)大量分解,使涂層中的Si含量嚴(yán)重下降且分布不均勻,在高溫氧化過程中,如果沒有均勻致密的SiO2層或硼硅玻璃層來(lái)阻擋氧氣滲透以及填充涂層中出現(xiàn)的孔洞和裂紋,涂層性能會(huì)明顯下降;涂層與基體之間為物理結(jié)合,結(jié)合強(qiáng)度差,在氧化過程中會(huì)因涂層和基體的熱膨脹系數(shù)差異較大而開裂;涂層的氣孔率較高,為氧氣擴(kuò)散提供了通道,使涂層性能下降[36-40]。直接使用等離子噴涂制備的ZrB2-SiC涂層的性能較差,通過優(yōu)化涂層的制備工藝、對(duì)噴涂粉體進(jìn)行改性,以提升等離子噴涂涂層的性能,是未來(lái)重要的發(fā)展方向。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]噴霧干燥法制備PS-PVD用8YSZ納米團(tuán)聚粉末[J]. 殷建安,劉敏,張小鋒,鄧春明,鄧子謙,曾德長(zhǎng). 表面技術(shù). 2018(10)
[2]超音速等離子噴涂制備ZrB2-SiC基涂層C/C復(fù)合材料的氧化燒蝕性能研究[J]. 任俊杰,姚西媛,李克智,姚棟嘉. 中國(guó)材料進(jìn)展. 2017(01)
[3]感應(yīng)等離子球化Sm2Zr2O7粉末涂層性能研究[J]. 高斌,王全勝,柳彥博,張銳,陳東,王皓. 熱噴涂技術(shù). 2015(04)
[4]超高溫材料的研究現(xiàn)狀與展望[J]. 張磊磊,付前剛,李賀軍. 中國(guó)材料進(jìn)展. 2015(09)
[5]等離子噴涂技術(shù)現(xiàn)狀及應(yīng)用[J]. 王吉孝,蔣士芹,龐鳳祥. 機(jī)械制造文摘(焊接分冊(cè)). 2012(01)
[6]射頻等離子體球化鈦粉的工藝研究[J]. 古忠濤,葉高英,劉川東,童洪輝. 粉末冶金技術(shù). 2010(02)
[7]CVD技術(shù)的應(yīng)用與進(jìn)展[J]. 趙峰,楊艷麗. 熱處理. 2009(04)
[8]等離子噴涂技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展[J]. 陳麗梅,李強(qiáng). 熱處理技術(shù)與裝備. 2006(01)
[9]化學(xué)氣相沉積技術(shù)的研究及在無(wú)機(jī)材料制備中的應(yīng)用進(jìn)展(待續(xù))[J]. 唐新峰,袁潤(rùn)章. 武漢工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào). 1994(02)
本文編號(hào):3589802
【文章來(lái)源】:表面技術(shù). 2020,49(01)北大核心EICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:10 頁(yè)
【部分圖文】:
石墨表面SiC/ZrB2-SiC/ZrB2/SiC涂層燒蝕前后的形貌[31]
任俊杰等[41]在C/C復(fù)合材料表面SiC涂層的基礎(chǔ)上使用超音速等離子噴涂制備了ZrB2-SiC層,然后使用CVD法制備了SiC層,最終形成了SiC/ZrB2-SiC/SiC多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的涂層,涂層整體均勻致密,具有良好的抗氧化性和抗燒蝕性。但超音速等離子噴涂后,ZrB2-SiC層中的SiC含量較低,說明在噴涂過程中SiC出現(xiàn)了一定的分解。Niu等[42]使用低壓等離子噴涂設(shè)備在石墨表面制備了ZrB2-SiC涂層,經(jīng)XRD檢測(cè)發(fā)現(xiàn),涂層表面幾乎沒有SiC的峰存在,說明在等離子噴涂過程中,SiC分解十分嚴(yán)重。涂層的截面形貌如圖3所示,通過EDS面掃描發(fā)現(xiàn)Si的分布很不均勻,呈團(tuán)聚狀分布,涂層中的孔隙率較高。在1500℃進(jìn)行恒溫氧化測(cè)試,6 h后涂層開始失重,涂層表面也出現(xiàn)了較多的孔洞,說明涂層已基本失去了防護(hù)作用。圖3 ZrB2-SiC涂層的截面形貌及EDS面掃描圖[42]
圖2 等離子噴涂基本原理[35]使用等離子噴涂制備ZrB2-SiC涂層具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),涂層沉積速率快、涂層厚度易于控制、操作簡(jiǎn)便、適合大規(guī)模生產(chǎn)等。但使用等離子噴涂制備ZrB2-SiC涂層也存在一些問題,在等離子噴涂過程中,由于SiC的熔點(diǎn)和升華溫度接近,SiC會(huì)大量分解,使涂層中的Si含量嚴(yán)重下降且分布不均勻,在高溫氧化過程中,如果沒有均勻致密的SiO2層或硼硅玻璃層來(lái)阻擋氧氣滲透以及填充涂層中出現(xiàn)的孔洞和裂紋,涂層性能會(huì)明顯下降;涂層與基體之間為物理結(jié)合,結(jié)合強(qiáng)度差,在氧化過程中會(huì)因涂層和基體的熱膨脹系數(shù)差異較大而開裂;涂層的氣孔率較高,為氧氣擴(kuò)散提供了通道,使涂層性能下降[36-40]。直接使用等離子噴涂制備的ZrB2-SiC涂層的性能較差,通過優(yōu)化涂層的制備工藝、對(duì)噴涂粉體進(jìn)行改性,以提升等離子噴涂涂層的性能,是未來(lái)重要的發(fā)展方向。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]噴霧干燥法制備PS-PVD用8YSZ納米團(tuán)聚粉末[J]. 殷建安,劉敏,張小鋒,鄧春明,鄧子謙,曾德長(zhǎng). 表面技術(shù). 2018(10)
[2]超音速等離子噴涂制備ZrB2-SiC基涂層C/C復(fù)合材料的氧化燒蝕性能研究[J]. 任俊杰,姚西媛,李克智,姚棟嘉. 中國(guó)材料進(jìn)展. 2017(01)
[3]感應(yīng)等離子球化Sm2Zr2O7粉末涂層性能研究[J]. 高斌,王全勝,柳彥博,張銳,陳東,王皓. 熱噴涂技術(shù). 2015(04)
[4]超高溫材料的研究現(xiàn)狀與展望[J]. 張磊磊,付前剛,李賀軍. 中國(guó)材料進(jìn)展. 2015(09)
[5]等離子噴涂技術(shù)現(xiàn)狀及應(yīng)用[J]. 王吉孝,蔣士芹,龐鳳祥. 機(jī)械制造文摘(焊接分冊(cè)). 2012(01)
[6]射頻等離子體球化鈦粉的工藝研究[J]. 古忠濤,葉高英,劉川東,童洪輝. 粉末冶金技術(shù). 2010(02)
[7]CVD技術(shù)的應(yīng)用與進(jìn)展[J]. 趙峰,楊艷麗. 熱處理. 2009(04)
[8]等離子噴涂技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展[J]. 陳麗梅,李強(qiáng). 熱處理技術(shù)與裝備. 2006(01)
[9]化學(xué)氣相沉積技術(shù)的研究及在無(wú)機(jī)材料制備中的應(yīng)用進(jìn)展(待續(xù))[J]. 唐新峰,袁潤(rùn)章. 武漢工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào). 1994(02)
本文編號(hào):3589802
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