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直流/射頻耦合反應(yīng)磁控濺射法類金剛石薄膜的制備與分析

發(fā)布時間:2022-01-13 09:48
  采用直流/射頻耦合反應(yīng)磁控濺射法在Si(111)襯底上使用高純石墨靶材制備出了類金剛石(DLC)薄膜。分別采用表面輪廓儀、激光拉曼光譜、傅里葉變換紅外光譜、X射線光電子能譜、掃描電鏡、白光干涉儀、納米壓痕對薄膜的性能進(jìn)行了表征和分析。研究了沉積過程中不同工作氣壓(0.351.25Pa)對薄膜沉積速率、結(jié)構(gòu)、表面形貌及力學(xué)性能的影響。研究表明,隨著工作氣壓的升高,薄膜的沉積速率逐漸減小,薄膜中sp3含量先升高后降低;薄膜表面粗糙度隨工作氣壓的升高呈現(xiàn)出先降低后升高的趨勢,且在工作氣壓為1.0Pa時達(dá)到最小值6.68nm;隨著工作氣壓的升高,薄膜的顯微硬度與體彈性模量先升高后降低,且在工作氣壓為1.0Pa時分別達(dá)到最大值11.6和120.7GPa。 

【文章來源】:功能材料. 2017,48(01)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】:6 頁

【部分圖文】:

直流/射頻耦合反應(yīng)磁控濺射法類金剛石薄膜的制備與分析


圖1實(shí)驗(yàn)裝置與方法的簡單示意圖Fig1Thesimplesketchofexperimentdeviceand

工作氣壓,沉積速率


etchofexperimentdeviceandmethod表1沉積DLC薄膜的工藝參數(shù)Table1DepositionparametersofDLCthinfilms工作氣壓/Pa氣體流量/sccm氫氣氬氣沉積時間/min射頻功率/W直流電壓/V0.35230120504000.70230120504001.00230120504001.15230120504001.25230120504002結(jié)果及分析2.1沉積速率及薄膜結(jié)構(gòu)分析圖2給出了DLC薄膜在不同工作氣壓下的沉積速率。由圖2可知,隨著工作氣壓的增加,薄膜的沉積速率呈現(xiàn)逐漸減小的趨勢。文獻(xiàn)研究表明,薄膜的沉積速率是由碳?xì)渲行宰杂苫鶊F(tuán)的沉積速度和離子的刻蝕作用共同決定[8]。隨著工作氣壓的增大,濺射離子與氣體分子碰撞次數(shù)隨之增加,在碰撞過程中離子能量損失嚴(yán)重,致使濺射離子無法到達(dá)基片或無力沖破氣體吸附層到達(dá)基片,從而降低了薄膜的沉積速率[14]。同時,隨著氣壓的增大氫離子的密度也會增加,氫離子的刻蝕效應(yīng)隨之增強(qiáng),最終降低沉積速率[8]。圖2不同工作氣壓下DLC薄膜的沉積速率Fig2ThedepositionratesofDLCfilmsatdifferentworkingpressures拉曼光譜是確定類金剛石薄膜(DLC)精細(xì)鍵結(jié)構(gòu)最好的方法,它被廣泛用于分析金剛石、石墨、DLC和納米碳管的結(jié)構(gòu)特征。圖3為不同工作氣壓下DLC薄膜的拉曼光譜圖。從圖3可以看出,不同氣壓下的樣品所得到的拉曼光譜圖在1100~1800cm-1范圍內(nèi)都出現(xiàn)了寬

拉曼光譜圖,工作氣壓,拉曼光譜圖,分峰


致使濺射離子無法到達(dá)基片或無力沖破氣體吸附層到達(dá)基片,從而降低了薄膜的沉積速率[14]。同時,隨著氣壓的增大氫離子的密度也會增加,氫離子的刻蝕效應(yīng)隨之增強(qiáng),最終降低沉積速率[8]。圖2不同工作氣壓下DLC薄膜的沉積速率Fig2ThedepositionratesofDLCfilmsatdifferentworkingpressures拉曼光譜是確定類金剛石薄膜(DLC)精細(xì)鍵結(jié)構(gòu)最好的方法,它被廣泛用于分析金剛石、石墨、DLC和納米碳管的結(jié)構(gòu)特征。圖3為不同工作氣壓下DLC薄膜的拉曼光譜圖。從圖3可以看出,不同氣壓下的樣品所得到的拉曼光譜圖在1100~1800cm-1范圍內(nèi)都出現(xiàn)了寬化的特征峰。圖3左上角的插圖為工作氣壓為1.0Pa時DCL薄膜拉曼光譜的分峰擬合圖。圖3不同工作氣壓下DLC薄膜的拉曼光譜圖;左上角的插圖為1.0Pa下DCL薄拉曼光譜的分峰擬合圖Fig3RamanspectraoftheDLCfilmsdepositedatdifferentworkingpressures.TheinsetfigureisdeconvolutedRamanspectrumofDLCfilmat1.0Paworkingpressures012102017年第1期(48)卷

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]類金剛石膜在ICF研究中的潛在應(yīng)用[J]. 王雪敏,吳衛(wèi)東,李盛印,白黎,唐永建,王鋒.  激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2009(01)



本文編號:3586188

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