1959年,物理學(xué)家RichardFeynman在其著名的演講“下面的空間還很大”中說到,“如果層狀結(jié)構(gòu)中每一層都采用最適合的排列方式進(jìn)行排列,那我們能用來做什么呢?”。自二維層狀材料（2DLMs）發(fā)現(xiàn)以來,我們離這個(gè)問題的答案已然越來越近。人們將2DLMs進(jìn)行人工納米復(fù)合,制備出具有不同功能特性的范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)（vdWHs）,并發(fā)展出各種新奇的物理性能。vdWHs器件有望成為下一代納米電子學(xué)器件。二硫化鉬（MoS2）以其合適的帶隙寬度與2DLMs獨(dú)有的特性而受到廣泛的關(guān)注。本文以MoS2為基制備出具有特殊性能的場(chǎng)效應(yīng)管并研究其輸運(yùn)特性,主要包括:基于傳統(tǒng)干轉(zhuǎn)印技術(shù),我們發(fā)展出一種能夠?qū)⒊《S層狀材料置于vdWHs的最頂層的方法,即翻轉(zhuǎn)范德華堆垛轉(zhuǎn)印技術(shù)。該方法可擺脫2DLM的厚度、種類、尺寸形狀等因素,能夠快速、簡(jiǎn)潔、高效地獲得所需vdWHs,且該vdWHs頂層超薄2DLM表面未受到任何污染,且?guī)缀鯚o氣泡褶皺出現(xiàn)。該方法為對(duì)2DLM表面潔凈度要求很高的器件的制備提供了一個(gè)全新的實(shí)驗(yàn)手段,如掃描隧道顯微鏡測(cè)量所需純凈表面,以及作為隧穿電極的中間層等。利用上述方法制備出了以超薄h-BN... 

【文章來源】：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：117 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１．２?（ａ）塊體層狀材料；（ｂ）使用膠帶反復(fù)黏貼后將層狀薄層轉(zhuǎn)移至Ｓｉ０２／Ｓｉ基片上；??（ｃ）典型的單層Ｍ〇Ｓ２光學(xué)照片

（ｈ－ＢＮ）、立方氮化硼Ｕ－ＢＮ）以及纖鋅礦型氮化硼（ｗ－ＢＮ）四種，其中ｈ－ＢＮ??是最穩(wěn)定的一種結(jié)構(gòu)形態(tài)，塊體的ｈ－ＢＮ晶體結(jié)構(gòu)與石墨非常相近，等量的Ｂ與??Ｎ原子交替排列形成六方層狀結(jié)構(gòu)【８３＿８４］（圖１．４），因其顏色為白色，通常被稱??４??

［９７］制備了具有超高質(zhì)量以ｈ－ＢＮ作為隧穿層的Ａｕ－ｈＢＮ－Ａｕ隧穿器件，在所測(cè)量??的所有隧穿結(jié)當(dāng)中，隧穿電阻均在幾ｋＱ／＾ｉｍ２的量級(jí)上。并且進(jìn)行散射噪聲測(cè)試??發(fā)現(xiàn)，額外散射噪聲均與理論預(yù)期一致，如圖１．５所示。??５??


本文編號(hào)：3583473