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晶格反演法構建SiC/Mg界面對勢及其驗證

發(fā)布時間:2022-01-10 04:51
  通過分析SiC和Mg的晶體結構,構造了SiC與Mg的共格晶面。采用Chen-M9bius晶格反演法對SiC/Mg界面的原子對勢進行了反演,分別推導了Si和Mg原子、C和Mg原子間作用勢與界面結合能關系的解析表達式。在此基礎上,從頭計算了SiC/Mg界面的結合能曲線,結合反演公式得到了Si和Mg原子、C和Mg原子的對勢函數,并對反演過程的自洽性進行了檢驗。此外,建立了其他6種不同的SiC/Mg界面構型,通過對比反演對勢計算的界面結合能與從頭計算的結果,對反演所得對勢的可轉移性進行了驗證。結果表明:從頭計算的界面結合能可以由反演對勢精確地算出,整個反演過程和結果是自洽的,所得原子對勢同樣適用于其他界面構型,具有良好的可轉移性。本文推導的反演公式同樣適用于與SiC/Mg界面結構相似的其他界面原子對勢的研究。 

【文章來源】:復合材料學報. 2017,34(08)北大核心EICSCD

【文章頁數】:7 頁

【文章目錄】:
1 原子間作用勢的反演
    1.1 晶格結構
    1.2 反演公式
2 結果與討論
    2.1 從頭計算確定原子對勢
    2.2 可轉移性驗證
3 結論



本文編號:3580084

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