集成電路發(fā)展日新月異,微電子元器件中的介電儲(chǔ)能材料需求大大增加,要求其具有高介電常數(shù)、良好的機(jī)械性能。然而目前研究?jī)H限于電學(xué)性能,本文則根據(jù)實(shí)際綜合研究了機(jī)械性能。本文選用高介電的聚偏氟乙烯六氟丙烯共聚物P（VDF-HFP）作為基體,通過(guò)添加環(huán)氧樹(shù)脂（EP）和碳納米管（CNT）,對(duì)CNT進(jìn)行酸洗純化、表面接枝和環(huán)氧化等改性處理,采用溶液流延法制備一系列P（VDF-HFP）/EP/CNT復(fù)合材料,對(duì)其電學(xué)性能和機(jī)械性能進(jìn)行了研究,研究的主要內(nèi)容和結(jié)果如下:使用P（VDF-HFP）和F-51酚醛多環(huán)氧樹(shù)脂制備了P（VDF-HFP）/EP兩相復(fù)合材料,通過(guò)改變F-51含量,探究F-51添加量對(duì)復(fù)合薄膜性能的影響。研究發(fā)現(xiàn),F-51在基體中分布均勻,與P（VDF-HFP）纏結(jié)在一起,以富集小顆粒的形式存在,起到異相成核作用,誘導(dǎo)P（VDF-HFP）產(chǎn)生極性β相。在F-51含量為1%時(shí),復(fù)合薄膜介電常數(shù)高達(dá)21,擊穿強(qiáng)度略微下降,抗拉強(qiáng)度提升34.57%。使用濃硫酸濃硝酸對(duì)CNT進(jìn)行氧化純化,在CNT表面產(chǎn)生羧基;采用TPP作為催化劑,制備了表面含有F-51的CNT-EP;通過(guò)FTIR、TG、T... 

【文章來(lái)源】：燕山大學(xué)河北省

【文章頁(yè)數(shù)】：76 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

介電測(cè)試電極試樣示意圖

燕山大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文-16-=（2-2）式中Ei——擊穿強(qiáng)度(MV/m)Ui——擊穿電壓(MV)d——薄膜厚度(m)為了更加方便的展現(xiàn)材料的電擊穿性能，本實(shí)驗(yàn)采用了威布爾統(tǒng)計(jì)方法，該方法可以更加形象的反映出薄膜在一定的電場(chǎng)強(qiáng)度下被擊穿或者在相應(yīng)的時(shí)間內(nèi)失效的概率。該方法主要是使用二參數(shù)法，公式如2-3所示：=1（0）(2-3)對(duì)上式兩邊取對(duì)數(shù)變形為L(zhǎng)n[(1)]=(0)(2-4)式中Pf——累計(jì)擊穿概率；E0——特征擊穿場(chǎng)強(qiáng)；δ——擬合直線斜率，表示擊穿強(qiáng)度穩(wěn)定性，δ值越大，薄膜質(zhì)量穩(wěn)定性越高。其中E0為Pf=63.2%時(shí)的擊穿場(chǎng)強(qiáng)的數(shù)值，從公式2-4可以看出Ln[(1)]與成線性關(guān)系，根據(jù)IEC/TC56可信性國(guó)際規(guī)定，Pf采用公式2-5計(jì)算得出：,=0.5+0.25(2-5)式中i表示第i個(gè)樣品，n表示樣本容量，本文中n=11。圖2-2電擊穿電極試樣示意圖

第 2 章 實(shí)驗(yàn)部分 2.3.7 力學(xué)性能分析 力學(xué)性能測(cè)試使用的是萬(wàn)能試驗(yàn)機(jī)，對(duì)實(shí)驗(yàn)樣品進(jìn)行拉伸試驗(yàn)。根據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T1040.3-2006，利用啞鈴型裁刀將樣品裁成啞鈴型，試樣尺寸如圖 2-3 所示，每組樣品測(cè)試五組數(shù)據(jù)，對(duì)于過(guò)早斷裂的樣品要拋棄，薄膜厚度控制在 0.07 mm 左右，拉伸速度為 40 mm/min，在室溫下對(duì)試樣進(jìn)行拉伸。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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