二硫化鉬（MoS₂）作為過渡金屬硫化物的典型代表,由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和特性成為極具發(fā)展?jié)摿Φ男滦投S材料。納米MoS₂材料的熒光性質(zhì)和類過氧化物酶催化性質(zhì),使其在分析化學(xué)中的應(yīng)用受到廣泛關(guān)注,本論文的主要內(nèi)容如下。（1）以鉬酸鈉（Na₂MoO₄·2H₂O）為Mo源,L-半胱氨酸（L-cys）為S源,聚（4-苯乙烯磺酸鈉）（Poly（sodium 4-Styrenesulfonate）,PSS）為修飾試劑,通過一步水熱法成功制備PSS修飾的MoS₂量子點(diǎn)（MoS₂-PSS QD_S）。所制備的MoS₂-PSS QD_S的熒光發(fā)射峰位于紫外區(qū)（Em 390 nm）,由于對(duì)硝基苯酚（p-NP）在400 nm處具有特征吸收,與MoS₂-PSS QD_S的熒光發(fā)射峰具有良好的光譜重疊,p-NP對(duì)MoS₂-PSS QD

【文章來源】：河南工業(yè)大學(xué)河南省

【文章頁數(shù)】：80 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

a）2H-MoS2單晶的拉曼散射光譜顯示振動(dòng)模態(tài)的各向異性，b）薄層（nL）和塊狀MoS2的拉曼光譜，版權(quán)開放獲取文章[25]

河南工業(yè)大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文第21頁2.2.2p-NP的熒光傳感分析（IFE）2.2.2.1MoS2-PSSQDs對(duì)p-NP的傳感分析性能如圖2-2所示，在不同濃度的p-NP條件下，MoS2-PSSQDs的熒光強(qiáng)度被極大地淬滅。隨著p-NP濃度的增加，MoS2-PSSQDs的熒光強(qiáng)度逐漸降低。p-NP濃度（1μM至20μM）與ΔI之間的關(guān)系繪制并顯示在圖2-2的插圖中。熒光發(fā)射強(qiáng)度與p-NP的濃度呈線性關(guān)系，I和p-NP濃度（C，1-20μM）之間的線性方程是I=15290.28+28211.68C（R2=0.99297）（插圖），相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差（RSD）為1.29%（c=15μM），該方法的檢出限為0.13μM。表明該方法具有良好的重復(fù)性。此方法的線性范圍和檢出限與文獻(xiàn)報(bào)道的基于不同熒光探針方法的線性范圍和檢出限相當(dāng)（如表2-1所示），但是MoS2-PSSQDs僅通過簡(jiǎn)單的一步水熱合成即可獲得。圖2-2MoS2-PSSQDs被p-NP猝滅（1-20μM）的猝滅熒光圖及不同濃度的p-NP（C，μM）與MoS2-PSSQDs熒光強(qiáng)度I的線性關(guān)系（插圖）。

河南工業(yè)大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文第22頁表2-1不同納米熒光探針檢測(cè)p-NP的方法及性能2.2.2.2p-NP傳感分析的選擇性為了評(píng)估MoS2-PSSQDs對(duì)p-NP的選擇性，研究了硝基芳香族化合物、有機(jī)化合物和金屬離子的影響。如圖2-3a和2-3b所示，濃度為10μM硝基芳香族化合物的（NB，HQ，p-NT，p-CT，TCP，DCP，DNP）及有機(jī)物（Lac，Glu，Met，His），濃度為100μM的金屬離子Co2+，Cd2+，Ni2+，Zn2+，Mg2+，Pb2+，Cr3+對(duì)存在p-NP（10μM）的MoS2-PSSQDs的熒光幾乎沒有影響。濃度為10μM的Hg2+和Cu2+，濃度為1μM的Fe3+和Ag+則對(duì)存在p-NP（10μM）的MoS2-PSSQDs的熒光幾乎沒有影響，結(jié)果表明MoS2-PSSQDs對(duì)p-NP檢測(cè)的高選擇性。因此，為檢測(cè)水樣中p-NP提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù)。圖2-3a）硝基芳香族化合物，有機(jī)化合物及b）金屬離子對(duì)MoS2-PSSQDs反應(yīng)體系的選擇性。（*表示為10μM，**表示為1μM）。納米熒光探針檢測(cè)機(jī)理線性范圍（μM）檢出限（μM）參考文獻(xiàn)PolymercarbondotsIFE0.5-600.26[94]N-dopedcarbondotsStaticquenching0.1-390.05[95]N-dopedcarbondotsDynamicquenching0.72-790.16[96]Dual-emissiveGNCsIFE0.05-50.0138[97]CarbondotgraftedYVO4:Eu3+ET0-120.15[98]ZnOquantumdotsET1-400.34[99]MIP-cappedCdTeQDsET1-300.04[100]CdTeQDsDynamicquenching20-1000.05[101]MoS2-PSSQDsIFE1-200.13Thiswork(a)(b)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3565517