硫化鎳/氮摻雜碳納米管復(fù)合材料及其超級電容器性能
發(fā)布時間:2022-01-02 03:01
采用惰性氣氛熱處理方法,以氮摻雜碳納米管(NCNTs)為載體,二乙基二硫代氨基甲酸鎳(C10H20N2NiS4)為NiS前驅(qū)體,制備NiS-NCNTs復(fù)合材料。研究了熱處理溫度對復(fù)合材料微觀形貌、組織結(jié)構(gòu)及其作為超級電容器電極材料特性的影響。400℃下,C10H20N2NiS4熱解反應(yīng)生成α-NiS,導(dǎo)致NiS-NCNTs復(fù)合材料形成,但低溫?zé)峤夥磻?yīng)導(dǎo)致NiS顆粒大,且數(shù)量少。500℃下,形成的α-NiS粒徑小且數(shù)量增多。當(dāng)溫度升至600℃時,α-NiS向β-NiS轉(zhuǎn)變,且有新相Ni9S8形成。其中500℃制備的NiS-NCNT500具有最高的利于離子傳輸?shù)?5nm中小孔體積,及電荷堆積的高比表面積,其作為超級電容器電極材料,展現(xiàn)出較高的比電容量和良好的充放電循環(huán)穩(wěn)定性。
【文章來源】:功能材料. 2017,48(09)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
圖5NiS-NCNTs充放電曲線Fig5Charge-dischargecurvesofNiS-NCNTs圖為比電容隨充放電循環(huán)變化曲
容隨充放電循環(huán)變化曲線。經(jīng)1000次充放電循環(huán)后,NiS-NCNT400、NiS-NCNT500、NiS-NCNT600的比容量分別衰減至73,119和79F/g,容量保持率分別為77%,89%和76%。NiS-NCNT500不僅展現(xiàn)了較高的比電容特性,同時其也具有較好的充放電循環(huán)穩(wěn)定性。NiS-NCNT500良好的循環(huán)穩(wěn)定性主要歸因于氮摻雜碳納米管良好的導(dǎo)電性,結(jié)合樣品的中小孔集中分布利于離子傳輸?shù)奶卣,使其顯示出優(yōu)良的充放電循環(huán)穩(wěn)定性。圖6NiS-NCNTs復(fù)合材料比電容隨充放電循環(huán)變化曲線Fig6SpecificcapacityofNiS-NCNTssampleswithcharge-dischargecycles3結(jié)論以氮摻雜碳納米管為載體,利用二乙基二硫代氨基甲酸鎳(C10H20N2NiS4)熱解,制備NiS與氮摻雜碳納米管復(fù)合材料NiS-NCNTs。研究了熱解溫度對復(fù)合材料組織結(jié)構(gòu)及其作為超級電容器活性材料電化學(xué)09065狄方等:硫化鎳/氮摻雜碳納米管復(fù)合材料及其超級電容器性能
彎曲。根據(jù)比電容計算式C=I·Δtm·ΔVNiS-NCNT400、NiS-NCNT500、NiS-NCNT600首次充放電的比電容依次為94.5,133.3和104.2F/g,樣品中NiS-NCNT500展現(xiàn)最高的比電容,充放電分析結(jié)果與循環(huán)伏安曲線相一致。500℃熱處理獲得的NiS-NCNT500較其它樣品具有均勻分散且晶粒小的NiS,同時其也具有高比表面積和適于離子傳輸?shù)闹行】准蟹植嫉奶攸c,因此使NiS的贗電容能夠得到更好的發(fā)揮。圖5NiS-NCNTs充放電曲線Fig5Charge-dischargecurvesofNiS-NCNTs圖6為NiS-NCNTs比電容隨充放電循環(huán)變化曲線。經(jīng)1000次充放電循環(huán)后,NiS-NCNT400、NiS-NCNT500、NiS-NCNT600的比容量分別衰減至73,119和79F/g,容量保持率分別為77%,89%和76%。NiS-NCNT500不僅展現(xiàn)了較高的比電容特性,同時其也具有較好的充放電循環(huán)穩(wěn)定性。NiS-NCNT500良好的循環(huán)穩(wěn)定性主要歸因于氮摻雜碳納米管良好的導(dǎo)電性,結(jié)合樣品的中小孔集中分布利于離子傳輸?shù)奶卣,使其顯示出優(yōu)良的充放電循環(huán)穩(wěn)定性。圖6NiS-NCNTs復(fù)合材料比電容隨充放電循環(huán)變化曲線Fig6SpecificcapacityofNiS-NCNTssampleswithcharge-dischargecycles3結(jié)論以氮摻雜碳納米管為載體,利用二乙基二硫代氨基甲酸鎳(C10H20N2NiS4)熱解,制備NiS
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]超級電容器用炭電極材料的研究進(jìn)展[J]. 阮殿波,王成揚. 電源技術(shù). 2015(09)
[2]原位水熱合成CMS/MnO2納米復(fù)合材料及其電化學(xué)性能研究[J]. 宋海明,冉奮,范會利,張宣宣,孔令斌,康龍. 功能材料. 2015(02)
本文編號:3563335
【文章來源】:功能材料. 2017,48(09)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
圖5NiS-NCNTs充放電曲線Fig5Charge-dischargecurvesofNiS-NCNTs圖為比電容隨充放電循環(huán)變化曲
容隨充放電循環(huán)變化曲線。經(jīng)1000次充放電循環(huán)后,NiS-NCNT400、NiS-NCNT500、NiS-NCNT600的比容量分別衰減至73,119和79F/g,容量保持率分別為77%,89%和76%。NiS-NCNT500不僅展現(xiàn)了較高的比電容特性,同時其也具有較好的充放電循環(huán)穩(wěn)定性。NiS-NCNT500良好的循環(huán)穩(wěn)定性主要歸因于氮摻雜碳納米管良好的導(dǎo)電性,結(jié)合樣品的中小孔集中分布利于離子傳輸?shù)奶卣,使其顯示出優(yōu)良的充放電循環(huán)穩(wěn)定性。圖6NiS-NCNTs復(fù)合材料比電容隨充放電循環(huán)變化曲線Fig6SpecificcapacityofNiS-NCNTssampleswithcharge-dischargecycles3結(jié)論以氮摻雜碳納米管為載體,利用二乙基二硫代氨基甲酸鎳(C10H20N2NiS4)熱解,制備NiS與氮摻雜碳納米管復(fù)合材料NiS-NCNTs。研究了熱解溫度對復(fù)合材料組織結(jié)構(gòu)及其作為超級電容器活性材料電化學(xué)09065狄方等:硫化鎳/氮摻雜碳納米管復(fù)合材料及其超級電容器性能
彎曲。根據(jù)比電容計算式C=I·Δtm·ΔVNiS-NCNT400、NiS-NCNT500、NiS-NCNT600首次充放電的比電容依次為94.5,133.3和104.2F/g,樣品中NiS-NCNT500展現(xiàn)最高的比電容,充放電分析結(jié)果與循環(huán)伏安曲線相一致。500℃熱處理獲得的NiS-NCNT500較其它樣品具有均勻分散且晶粒小的NiS,同時其也具有高比表面積和適于離子傳輸?shù)闹行】准蟹植嫉奶攸c,因此使NiS的贗電容能夠得到更好的發(fā)揮。圖5NiS-NCNTs充放電曲線Fig5Charge-dischargecurvesofNiS-NCNTs圖6為NiS-NCNTs比電容隨充放電循環(huán)變化曲線。經(jīng)1000次充放電循環(huán)后,NiS-NCNT400、NiS-NCNT500、NiS-NCNT600的比容量分別衰減至73,119和79F/g,容量保持率分別為77%,89%和76%。NiS-NCNT500不僅展現(xiàn)了較高的比電容特性,同時其也具有較好的充放電循環(huán)穩(wěn)定性。NiS-NCNT500良好的循環(huán)穩(wěn)定性主要歸因于氮摻雜碳納米管良好的導(dǎo)電性,結(jié)合樣品的中小孔集中分布利于離子傳輸?shù)奶卣,使其顯示出優(yōu)良的充放電循環(huán)穩(wěn)定性。圖6NiS-NCNTs復(fù)合材料比電容隨充放電循環(huán)變化曲線Fig6SpecificcapacityofNiS-NCNTssampleswithcharge-dischargecycles3結(jié)論以氮摻雜碳納米管為載體,利用二乙基二硫代氨基甲酸鎳(C10H20N2NiS4)熱解,制備NiS
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]超級電容器用炭電極材料的研究進(jìn)展[J]. 阮殿波,王成揚. 電源技術(shù). 2015(09)
[2]原位水熱合成CMS/MnO2納米復(fù)合材料及其電化學(xué)性能研究[J]. 宋海明,冉奮,范會利,張宣宣,孔令斌,康龍. 功能材料. 2015(02)
本文編號:3563335
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