外場調(diào)控下六角晶格能帶性質(zhì)的研究
發(fā)布時間:2021-12-24 15:45
六角晶格材料因其特殊的結構被廣泛研究,其中具有代表性的就是石墨烯。然而,由于石墨烯是零帶隙的,要想將它應用到半導體器件有一定的困難。石墨烯納米帶恰恰解決了這個問題,由于其不同的邊界類型,帶隙的大小也不同。介于它這種特別的性質(zhì),引起了研究者對它的好奇和濃厚的鉆研興趣。這篇文章中,我們首先介紹石墨烯的結構性質(zhì)和石墨烯納米帶的能帶結構的介紹,然后介紹研究過程中所用到的理論模型和研究方法,最后運用上述方法對石墨烯納米帶的能帶結構及其輸運性質(zhì)做了系統(tǒng)的研究。我們先通過改變單一外場來調(diào)控石墨烯納米帶的能帶結構,從而改變它們的輸運性質(zhì)。發(fā)現(xiàn)在AB子晶格勢的作用下,石墨烯納米帶的能隙都隨子晶格勢的增大呈線性增大。在非均勻電場的作用下,對于不同類型的石墨烯納米帶,其能隙的變化規(guī)律不同。在單軸應力的作用下,Armchair石墨烯納米帶(AGNNR)帶隙會隨應力變化,但Zigzag石墨烯納米帶(ZGNR)的帶隙基本沒有什么變化。其次,我們研究了AGN 在單軸應力和非均勻電場的共同作用下的能帶,發(fā)現(xiàn)其能帶結構能夠?qū)崿F(xiàn)能隙的閉合和打開。值得一提的是當在以上基礎上加入了一個垂直磁場時,納米帶中出現(xiàn)邊界態(tài)及界面態(tài),...
【文章來源】:新疆大學新疆維吾爾自治區(qū) 211工程院校
【文章頁數(shù)】:56 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1:?U)石墨烯的蜂窩晶格結構
vF?=?^f3y〇a/2fi?(1.4)??從方程(1.3)可以在布里淵區(qū)的尤和廠點產(chǎn)生了接觸的錐型能帶,如圖1-??1?(c)所示。石墨烯中的電子由于它的線性,類光子散射以及在動量空間的接觸??點被叫做狄拉克點,所以被稱為狄拉克費米子s費米能級正好位于未摻雜石??墨烯的狄拉克點<>??由于石墨鋪的每個碳原乎以雜化的方式形成很強的(T鍵與其它相臨的碳??原子相連,這種強相連的C-C鍵使得石塵烯擁有了很高的強度,而且它還具備??優(yōu)秀的柔韌性,其楊氏模録可以接近:L〇rPfl[5],還具有高的拉伸強度[6],從而??在外在應力情況下得到很多有趣的現(xiàn)象[7-9]。3然,主要使石墨烯的存在變的特??別的
烯片[12,13]或者外延生長的石墨烯片[14,15]的方法,得到了小尺寸的石墨烯納米??帶,而且由于其邊緣結構的不同,蟲要分為兩種,即:和ZGAW[16,17],??如圖1-2所示。圖中虛線表示在此方向上是周期性循環(huán)的,而在另^方面是有限??寬度的。在此我們應用緊束縛近似的方法,則在僅考慮最近鄰電子躍遷的情況??下,早層石墨烯納米帶的哈密頓量為:??H?=?-tYjC^Cj?+?H.C?(1.5)??<Uj>??方程中r為最近鄰躍遷能,</,j>代表最近鄰的格點,CJXC;)是產(chǎn)生(煙沒)算??符,是第一項的厄米共軛。??-3-??
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Evidence of van Hove singularities in ordered grain boundaries of graphene[J]. Science Foundation in China. 2014(02)
本文編號:3550761
【文章來源】:新疆大學新疆維吾爾自治區(qū) 211工程院校
【文章頁數(shù)】:56 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1:?U)石墨烯的蜂窩晶格結構
vF?=?^f3y〇a/2fi?(1.4)??從方程(1.3)可以在布里淵區(qū)的尤和廠點產(chǎn)生了接觸的錐型能帶,如圖1-??1?(c)所示。石墨烯中的電子由于它的線性,類光子散射以及在動量空間的接觸??點被叫做狄拉克點,所以被稱為狄拉克費米子s費米能級正好位于未摻雜石??墨烯的狄拉克點<>??由于石墨鋪的每個碳原乎以雜化的方式形成很強的(T鍵與其它相臨的碳??原子相連,這種強相連的C-C鍵使得石塵烯擁有了很高的強度,而且它還具備??優(yōu)秀的柔韌性,其楊氏模録可以接近:L〇rPfl[5],還具有高的拉伸強度[6],從而??在外在應力情況下得到很多有趣的現(xiàn)象[7-9]。3然,主要使石墨烯的存在變的特??別的
烯片[12,13]或者外延生長的石墨烯片[14,15]的方法,得到了小尺寸的石墨烯納米??帶,而且由于其邊緣結構的不同,蟲要分為兩種,即:和ZGAW[16,17],??如圖1-2所示。圖中虛線表示在此方向上是周期性循環(huán)的,而在另^方面是有限??寬度的。在此我們應用緊束縛近似的方法,則在僅考慮最近鄰電子躍遷的情況??下,早層石墨烯納米帶的哈密頓量為:??H?=?-tYjC^Cj?+?H.C?(1.5)??<Uj>??方程中r為最近鄰躍遷能,</,j>代表最近鄰的格點,CJXC;)是產(chǎn)生(煙沒)算??符,是第一項的厄米共軛。??-3-??
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Evidence of van Hove singularities in ordered grain boundaries of graphene[J]. Science Foundation in China. 2014(02)
本文編號:3550761
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