聚（3,4乙撐二氧噻吩）/聚對(duì)苯乙烯磺酸（簡(jiǎn)稱PEDOT/PSS）具有導(dǎo)電率高、可見光區(qū)高透光率、穩(wěn)定性好、易于加工等優(yōu)點(diǎn),自從二十世紀(jì)八十年代被發(fā)現(xiàn)以來一直備受研究者青睞,成為研究最多的導(dǎo)電高分子之一。PEDOT/PSS導(dǎo)電高分子材料在溫差電技術(shù)、導(dǎo)電復(fù)合材料、有機(jī)透明電極、太陽能電池、傳感器、電容器及吸波材料等領(lǐng)域,展現(xiàn)出良好的應(yīng)用前景。而埃洛石納米管（HNTs）（分子式為Al2Si2O5（OH）4·n H2O（n=0或n=2））,具有典型的硅酸鹽結(jié)構(gòu),其擁有儲(chǔ)量豐富、長(zhǎng)徑比和比表面積大、環(huán)境友好、良好的機(jī)械性能和生物相容性等優(yōu)點(diǎn)。目前,已在催化劑、吸附材料、緩釋材料、吸波材料及納米復(fù)合材料等領(lǐng)域取得廣泛應(yīng)用�；诖�,本論文選取PEDOT/PSS分散液（市售PH1000）和埃洛石納米管（HNTs）制備PEDOT/PSS-HNTs復(fù)合材料;分別通過甲酸處理和摻雜乙二醇（EG）的方法提高PEDOT/PSS-埃洛石納米管復(fù)合材料的電導(dǎo)率;嘗試通過分別摻雜聚乙二醇（PEG）、聚丙烯酰胺（PAM）、羧甲基纖維素（CMC）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）等聚合物的方法,提高PEDOT/PSS-埃洛石... 

【文章來源】：鄭州大學(xué)河南省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

常見導(dǎo)電高分子材料的結(jié)構(gòu)式

圖 1.2 PEDOT 和 PSS 的結(jié)構(gòu)式PEDOT/PSS 薄膜的研究1）提高 PEDOT/PSS 薄膜電導(dǎo)率的研究。ouhollah Jalili[47]等用簡(jiǎn)單的一步濕法旋涂方法制備 PEDOT/PSS 薄膜， 后薄膜電導(dǎo)率從 9 S/cm 提高到 264 S/cm。Zhengyou Zhu[48]等將 LiC雜到 PEDOT/PSS 分散液中，結(jié)果使 PEDOT/PSS 的電導(dǎo)率提高了 2從 0.2 S/cm 增加到 522 S/cm，載流子遷移率也提高了 15 倍左右，從 s 增大到 3.8 cm2/Vs。Wen-Zhen Cheng[49]等人首次利用二步旋涂法在 制備了高導(dǎo)電率和高透光率的 PEDOT/PSS 薄膜。Haijun Song[50]等分方法提高 PEDOT/PSS 薄膜的電導(dǎo)率，一種方法是通過摻雜方法T/PSS 中摻雜樟腦磺酸使 PEDOT/PSS 薄膜的電導(dǎo)率從 0.2 S/cm 變?yōu)?2另一種是通過后處理方法即將樟腦磺酸滴加到 PEDOT/PSS 薄膜上，℃熱處理 10 min，薄膜電導(dǎo)率從 0.2 S/cm 提高到 644.7 S/cm。兩種方

圖 2.1 PEDOT/PSS、HNTs 和 PEDOT/PSS-HNTs 復(fù)合材料的紅外光譜圖A PEDOT/PSS B PEDOT/PSS-HNTs C HNTs圖 2.1 中 A、B、C 曲線分別為 PEDOT/PSS、埃洛石納米管和 PEDOT/PSS-埃洛石納米管復(fù)合材料的紅外光譜曲線圖。A 曲線中 1087.19 cm-1處的吸收峰為磺酸基中S=O鍵的伸縮振動(dòng)所致[96]。B曲線中1036.07 cm-1處的吸收峰為Si-O伸縮振動(dòng)，538.6 和 469.80 cm-1雙峰歸屬于 Si-O 彎曲振動(dòng)，3624.72 cm-1為硅氧四面體和鋁氧八面體層狀結(jié)構(gòu)共享面內(nèi)部的羥基所致，3698.23 cm-1為硅氧四面體和鋁氧八面體層狀結(jié)構(gòu)非共享面外部的羥基所致。C 曲線中 1036.07 cm-1附近的吸收峰為 Si-O 伸縮振動(dòng)，538.02 和 470.05 cm-1是 Si-O 彎曲振動(dòng)的特征吸收峰[97]。C 曲線與 A、B 曲線比較可知 PEDOT/PSS-HNTs 復(fù)合材料在 3441.01 cm-1和 1306.07 cm-1處的吸收峰并沒有發(fā)生位移，說明 PEDOT/PSS-HNTs 復(fù)合材料RdS 1

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號(hào)：3540887