為降低碳化鈦（TiC）/聚偏氟乙烯（PVDF）體系的介電損耗,通過溶膠-凝膠法在TiC粒子表面包覆SiO₂絕緣層,形成SiO₂@TiC核殼結(jié)構(gòu)粒子,再與PVDF復(fù)合,制備出SiO₂@TiC/PVDF復(fù)合材料。研究結(jié)果表明,TiC表面成功包覆上SiO₂涂層;在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為9%的TiC或SiO₂@TiC總用量時,SiO₂@TiC/PVDF的損耗因子相比TiC/PVDF明顯降低,隨SiO₂包覆量的增加,SiO₂@TiC/PVDF的介電常數(shù)、損耗因子和電導(dǎo)率均下降;包覆量相同時,隨SiO₂@TiC粒子含量增加,SiO₂@TiC/PVDF的介電常數(shù)、電導(dǎo)率、損耗因子均逐步增大。 

【文章來源】：化工新型材料. 2017,45(03)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：3 頁

【文章目錄】：
1 實驗部分
    1.1 試劑
    1.2 SiO2@TiC粒子和SiO2@TiC/PVDF復(fù)合材料的制備
    1.3 表征
2 結(jié)果與討論
    2.1 FT-IR分析
    2.2 SEM和EDS分析
    2.3 TEM分析
    2.4 介電性能分析
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]鋁粉的表面改性及其對環(huán)氧樹脂基復(fù)合材料介電性能的影響[J]. 楊睿,齊暑華,王兆福,謝璠,邱華,尚磊.  中國塑料. 2014(12)
[2]碳化鈦/環(huán)氧樹脂納米復(fù)合材料的介電性能研究[J]. 王法軍,周東祥,龔樹萍.  化工新型材料. 2009(09)

碩士論文
[1]碳化鈦/聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備與性能研究[D]. 夏乾善.哈爾濱理工大學(xué) 2014



本文編號：3537832