制備溫度對ZrC-SiC復合涂層高溫耐燒蝕性能影響
發(fā)布時間:2021-12-16 07:17
為提高C/C復合材料在超高溫環(huán)境中的高溫耐燒蝕性能,不同包埋溫度1 450,1 550,1 650,1 750℃下在C/C復合材料表面制備了ZrC-SiC復合涂層。利用XRD、SEM和EDS等分析測試手段,對比研究了涂層的物相組成和微觀結構,并借助等離子燒蝕設備進行燒蝕實驗,分析討論涂層的高溫耐燒蝕性能和燒蝕機理。結果表明:1 650℃包埋溫度下的ZrC-SiC涂層與基體結合良好,其質(zhì)量燒蝕率和線燒蝕率分別為0.129 mg/s和1.867μm/s,燒蝕性能最好。燒蝕后,ZrC-SiC涂層表面形成了ZrO2和SiO2熔融相,其中ZrO2分布在SiO2熔融物中,提高了氧化層的黏度和抗沖刷能力,使得ZrC-SiC涂層具有良好的高溫耐燒蝕能力。
【文章來源】:炭素技術. 2020,39(03)北大核心
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
涂層樣品表面SEM:(a)1 450℃;(b)1 550℃;(c)1 650℃;(d)1 750℃
圖1為不同溫度包埋處理后C/C復合材料涂層表面的XRD譜。由圖1可知,4種溫度條件下制備的涂層都含有ZrC和SiC相。此外,隨著包埋溫度的升高,XRD圖譜中SiC的峰的強度逐漸減弱。這說明涂層中ZrC與SiC的含量的相對比值隨著包埋溫度的升高而增大,即包埋溫度升高后,涂層中ZrC的相對含量更高,相應地,涂層中SiC的相對含量也更低。出現(xiàn)該情況的原因可能是粉料中的硅與C/C復合材料的潤濕性更好,更容易滲透到材料的內(nèi)部,同時包埋保溫溫度越高,SiC的遷移能力則越強。所以高溫包埋組容易出現(xiàn)由內(nèi)到外SiC含量變低且ZrC含量變高的梯度結構。而在1 450℃的XRD圖譜中還發(fā)現(xiàn)了C峰的存在,這反映了在此溫度下包埋得到的樣品表面并沒有被涂層完全覆蓋,C/C基體被暴露。圖2為4組包覆后樣品的表面形貌。從圖2(a)可以看出,1 450℃的樣品表面的陶瓷相為團聚的顆粒,但陶瓷相的量很少,其中留有較大的孔洞,沒有形成連續(xù)完整的致密的涂層,在陶瓷顆粒之下,還可以看到C/C復合材料基體表面的炭纖維。這與圖1中XRD圖譜結果相吻合,1 450℃下包埋的樣品沒有形成致密的陶瓷涂層。相比之下,從圖2(b),(c)和(d)中可以發(fā)現(xiàn),1 550,1 650,1 750℃的樣品表面都形成了連續(xù)的陶瓷覆蓋層,且C/C復合材料基體沒有裸露出來,說明涂層結構較致密。該結果符合實際情況,因為ZrSi2的熔點約為1 520℃,在此溫度下進行包埋可產(chǎn)生足夠多的液相,從而提高涂層包覆的效果。其中,1 650℃和1 750℃的涂層呈現(xiàn)出平滑的狀態(tài),陶瓷相結合緊密,無明顯的裂紋和孔洞存在。而1 550℃的涂層雖然結合情況良好,但仍存在明顯裂紋。
圖2 涂層樣品表面SEM:(a)1 450℃;(b)1 550℃;(c)1 650℃;(d)1 750℃圖3為4組包覆后樣品的截面形貌及元素分析結果。從圖3(a)中看到,1 650℃樣品表面有明顯的陶瓷涂層,此外,C/C基體的內(nèi)部也發(fā)現(xiàn)了大量陶瓷相的存在。根據(jù)圖中所選的2個區(qū)域的EDS分析結果,Zr在基體內(nèi)的相對含量明顯低于其在表面涂層中的含量,這印證了上文中關于SiC與ZrC含量關系的解釋。如圖3(b)所示,1 650℃的涂層與基體結合良好,結合處沒有發(fā)現(xiàn)明顯的裂紋與孔洞等缺陷,涂層厚度約為50μm。根據(jù)圖3(c)線掃結果,1 650℃涂層中含有ZrC和SiC,且兩種陶瓷相結合較為均勻。同時發(fā)現(xiàn)在靠近C/C表面的區(qū)域Si含量有一個明顯的上升趨勢,而Zr含量則有一個明顯的下降趨勢,說明SiC與C/C基體的相容性比ZrC好,制備過程中,粉料中的硅更容易滲入基體反應形成SiC。圖3(d)~(f)分別展示了1 450,1 550,1 750℃涂層的截面形貌。如圖3(d)所示,1 450℃的涂層較薄,只有8μm左右,結合圖2(a)的涂層表面形貌來看,原因是1 450℃的樣品由于包埋溫度較低,未能產(chǎn)生足夠的陶瓷液相,包埋處理后只有少量的陶瓷相顆粒覆蓋在基體表面,形成了一層較薄的疏松陶瓷涂層。如圖3(e)所示,1 550℃的樣品形成了一層較為致密的陶瓷涂層,涂層厚度約為50μm。由圖3(f)可知,1 750℃涂層樣品的厚度也約為50μm,形貌與1 650℃的相似,與1 450℃和1 550℃的相比,隨著溫度的升高,形成的陶瓷涂層更為致密,表面平整,沒有發(fā)現(xiàn)明顯的缺陷,且涂層與基體結合良好。由以上結果可知:在本實驗中,1 650℃包埋溫度下制備出的ZrC-SiC涂層最為完整致密。
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Fabrication and microstructure of ZrB2–ZrC–SiC coatings on C/C composites by reactive melt infiltration using ZrSi2 alloy[J]. Chaoqiang XUE,Haijun ZHOU,Jianbao HU,Hongda WANG,Jiayue XU,Shaoming DONG. Journal of Advanced Ceramics. 2018(01)
[2]C/C復合材料表面反應熔滲法制備SiC-ZrC涂層的組織與結構[J]. 汪沅,周哲,龔潔明,葛毅成,易茂中. 粉末冶金材料科學與工程. 2017(06)
[3]C/C復合材料ZrB2-SiC基陶瓷涂層的微觀結構及氧化機理[J]. 王馨爽,陳招科,熊翔,張?zhí)熘?孫威,王雅雷. 中國有色金屬學報. 2017(08)
[4]C/C復合材料的高溫抗氧化防護研究進展[J]. 楊鑫,黃啟忠,蘇哲安,常新. 宇航材料工藝. 2014(01)
[5]炭/炭復合材料ZrC涂層的制備及顯微組織結構[J]. 王雅雷,熊翔,李國棟,趙學嘉. 中國有色金屬學報. 2012(11)
本文編號:3537724
【文章來源】:炭素技術. 2020,39(03)北大核心
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
涂層樣品表面SEM:(a)1 450℃;(b)1 550℃;(c)1 650℃;(d)1 750℃
圖1為不同溫度包埋處理后C/C復合材料涂層表面的XRD譜。由圖1可知,4種溫度條件下制備的涂層都含有ZrC和SiC相。此外,隨著包埋溫度的升高,XRD圖譜中SiC的峰的強度逐漸減弱。這說明涂層中ZrC與SiC的含量的相對比值隨著包埋溫度的升高而增大,即包埋溫度升高后,涂層中ZrC的相對含量更高,相應地,涂層中SiC的相對含量也更低。出現(xiàn)該情況的原因可能是粉料中的硅與C/C復合材料的潤濕性更好,更容易滲透到材料的內(nèi)部,同時包埋保溫溫度越高,SiC的遷移能力則越強。所以高溫包埋組容易出現(xiàn)由內(nèi)到外SiC含量變低且ZrC含量變高的梯度結構。而在1 450℃的XRD圖譜中還發(fā)現(xiàn)了C峰的存在,這反映了在此溫度下包埋得到的樣品表面并沒有被涂層完全覆蓋,C/C基體被暴露。圖2為4組包覆后樣品的表面形貌。從圖2(a)可以看出,1 450℃的樣品表面的陶瓷相為團聚的顆粒,但陶瓷相的量很少,其中留有較大的孔洞,沒有形成連續(xù)完整的致密的涂層,在陶瓷顆粒之下,還可以看到C/C復合材料基體表面的炭纖維。這與圖1中XRD圖譜結果相吻合,1 450℃下包埋的樣品沒有形成致密的陶瓷涂層。相比之下,從圖2(b),(c)和(d)中可以發(fā)現(xiàn),1 550,1 650,1 750℃的樣品表面都形成了連續(xù)的陶瓷覆蓋層,且C/C復合材料基體沒有裸露出來,說明涂層結構較致密。該結果符合實際情況,因為ZrSi2的熔點約為1 520℃,在此溫度下進行包埋可產(chǎn)生足夠多的液相,從而提高涂層包覆的效果。其中,1 650℃和1 750℃的涂層呈現(xiàn)出平滑的狀態(tài),陶瓷相結合緊密,無明顯的裂紋和孔洞存在。而1 550℃的涂層雖然結合情況良好,但仍存在明顯裂紋。
圖2 涂層樣品表面SEM:(a)1 450℃;(b)1 550℃;(c)1 650℃;(d)1 750℃圖3為4組包覆后樣品的截面形貌及元素分析結果。從圖3(a)中看到,1 650℃樣品表面有明顯的陶瓷涂層,此外,C/C基體的內(nèi)部也發(fā)現(xiàn)了大量陶瓷相的存在。根據(jù)圖中所選的2個區(qū)域的EDS分析結果,Zr在基體內(nèi)的相對含量明顯低于其在表面涂層中的含量,這印證了上文中關于SiC與ZrC含量關系的解釋。如圖3(b)所示,1 650℃的涂層與基體結合良好,結合處沒有發(fā)現(xiàn)明顯的裂紋與孔洞等缺陷,涂層厚度約為50μm。根據(jù)圖3(c)線掃結果,1 650℃涂層中含有ZrC和SiC,且兩種陶瓷相結合較為均勻。同時發(fā)現(xiàn)在靠近C/C表面的區(qū)域Si含量有一個明顯的上升趨勢,而Zr含量則有一個明顯的下降趨勢,說明SiC與C/C基體的相容性比ZrC好,制備過程中,粉料中的硅更容易滲入基體反應形成SiC。圖3(d)~(f)分別展示了1 450,1 550,1 750℃涂層的截面形貌。如圖3(d)所示,1 450℃的涂層較薄,只有8μm左右,結合圖2(a)的涂層表面形貌來看,原因是1 450℃的樣品由于包埋溫度較低,未能產(chǎn)生足夠的陶瓷液相,包埋處理后只有少量的陶瓷相顆粒覆蓋在基體表面,形成了一層較薄的疏松陶瓷涂層。如圖3(e)所示,1 550℃的樣品形成了一層較為致密的陶瓷涂層,涂層厚度約為50μm。由圖3(f)可知,1 750℃涂層樣品的厚度也約為50μm,形貌與1 650℃的相似,與1 450℃和1 550℃的相比,隨著溫度的升高,形成的陶瓷涂層更為致密,表面平整,沒有發(fā)現(xiàn)明顯的缺陷,且涂層與基體結合良好。由以上結果可知:在本實驗中,1 650℃包埋溫度下制備出的ZrC-SiC涂層最為完整致密。
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Fabrication and microstructure of ZrB2–ZrC–SiC coatings on C/C composites by reactive melt infiltration using ZrSi2 alloy[J]. Chaoqiang XUE,Haijun ZHOU,Jianbao HU,Hongda WANG,Jiayue XU,Shaoming DONG. Journal of Advanced Ceramics. 2018(01)
[2]C/C復合材料表面反應熔滲法制備SiC-ZrC涂層的組織與結構[J]. 汪沅,周哲,龔潔明,葛毅成,易茂中. 粉末冶金材料科學與工程. 2017(06)
[3]C/C復合材料ZrB2-SiC基陶瓷涂層的微觀結構及氧化機理[J]. 王馨爽,陳招科,熊翔,張?zhí)熘?孫威,王雅雷. 中國有色金屬學報. 2017(08)
[4]C/C復合材料的高溫抗氧化防護研究進展[J]. 楊鑫,黃啟忠,蘇哲安,常新. 宇航材料工藝. 2014(01)
[5]炭/炭復合材料ZrC涂層的制備及顯微組織結構[J]. 王雅雷,熊翔,李國棟,趙學嘉. 中國有色金屬學報. 2012(11)
本文編號:3537724
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