BTO納米纖維及其等離子體氟化對EP復(fù)合材料表面絕緣特性的影響
發(fā)布時間:2021-12-10 18:29
環(huán)氧樹脂的納米改性是提升其復(fù)合材料表面絕緣強度的重要手段。該文采用靜電紡絲法制備鈦酸鋇(barium titanate,BTO)納米纖維,并對其進行等離子體氟化處理,通過掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM)與傅里葉紅外光譜儀(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)等手段表征填料氟化改性效果。將氟化前后的2種納米纖維摻雜在環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中,并通過實驗研究氟化改性與填料質(zhì)量分數(shù)對其閃絡(luò)電壓與電荷消散速率的影響。結(jié)果表明,等離子體氟化改性后的填料在低濃度時能有效提高復(fù)合材料的閃絡(luò)電壓,質(zhì)量分數(shù)為2%時材料的閃絡(luò)電壓比純環(huán)氧樹脂提高了23.58%;同時,氟化后的復(fù)合材料電荷消散速率均高于氟化前。最后,結(jié)合材料表面陷阱分布特性解釋機理,認為BTO摻雜與填料氟化能提高材料淺陷阱密度,含氟基團對二次電子發(fā)射有一定的抑制作用,從而能有效提高環(huán)氧樹脂(epoxy resin,EP)沿面閃絡(luò)電壓。
【文章來源】:中國電機工程學(xué)報. 2020,40(12)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:13 頁
【部分圖文】:
(c)BTO納米纖維TEM
閱擅贅男緣?EP樣片進行表面電阻率測試,電極為三電極結(jié)構(gòu),試驗電壓為1000V,采樣步長為20ms。試驗環(huán)境溫度控制在30℃,濕度控制在30%。電阻率測試前,先將試樣表面用乙醇擦拭并烘干,排除表面沉積顆粒物的影響;再將試樣與電極緊密貼合,施加測試電壓,每種試樣測試時長為5min,對電阻率數(shù)據(jù)穩(wěn)定部分的1000個結(jié)果取均值,得到每種樣片的表面電阻率[29]。2實驗結(jié)果及討論2.1填料及試樣表征分析圖5為靜電紡絲法制備的BTO納米纖維以及等5m(a)BTO納米纖維SEM圖5m(b)FBTO納米纖維SEM圖5m(c)BTO納米纖維TEM圖5m(d)FBTO納米纖維TEM圖圖5BTO與FBTO納米纖維形貌Fig.5MorphologyofBTOandFBTOnanofiber離子體氟化后的FBTO納米纖維的微觀形貌圖。圖5(a)、(b)為場發(fā)射掃描電鏡(HitachiS4800)表征的等離子體氟化處理前后BTO納米纖維的SEM圖,可以看出,氟化處理前后的BTO納米纖維平均纖維直徑約為400nm。BTO納米纖維表面光滑,而FBTO納米纖維表面存在一層顆粒狀突起,因為等離子體氟化過程中將含氟基團接枝在了纖維表面,同時等離子體處理過程會影響納米纖維表面形貌。圖5(c)、(d)為場發(fā)射透射電子顯微鏡(transmissionelectronmicroscope,TEM)表征的氟化處理前后的BTO納米纖維的TEM圖,氟化前后的BTO納米纖維晶粒大小無明顯差別,約為20nm。
barrierdischarges,DBD)的形式,平臺如圖2所示。將BTO粉末均勻涂覆在石英反應(yīng)釜中,兩端加直徑為50mm的圓形金屬電極,反應(yīng)釜兩側(cè)連接L型進氣口,通入比例為101的Ar與CF4混合氣體,Ar作為保護氣體,CF4作為氟源氣體。反應(yīng)開始時,打開等離子體發(fā)生器,調(diào)節(jié)電壓為10kV,頻率50kHz,氟化時間控制在30min。對等離子體氟化后的鈦酸鋇(fluorinatedbariumtitanate,F(xiàn)BTO)納米泰勒錐納米線注射器收集器混合溶液高壓電源20.0kV圖1BTO納米纖維制備Fig.1BTOnanofiberpreparation反應(yīng)釜示波器變壓器氣體鋼瓶ArCF4等離子體發(fā)生器流量控制器交流電源AC~220V圖2等離子體氟化處理裝置Fig.2Plasmafluorinationtreatmentdevice纖維表征其氟化效果。1.3EP復(fù)合材料制備及其表面電特性測試將制備好的BTO與FBTO納米纖維分別按摻雜質(zhì)量分數(shù)為1%、2%、4%、8%置于燒杯中,并加入適量DGEBA,60℃油浴攪拌20min,使填料分散均勻。再加入MTHPA與DMP-30,質(zhì)量比為DGEBAMTHPADMP-30100:80:1,充分攪拌30min并脫氣,澆筑到模具中,按照140℃/30min+120℃/10h工藝進行固化,得到每種體系環(huán)氧樹脂復(fù)合材料試樣5片。對固化后的環(huán)氧樹脂復(fù)合材料試樣斷面借助電子顯微鏡(scanningelectronmicroscope,SEM)表征其填料分散性。采用均勻升壓法對制備好的EP復(fù)合材料樣片進行大氣中負極性直流閃絡(luò)測試。實驗平臺如圖3所示,主要由負極性高壓直流電源(輸出范圍為0~50kV)、電流測量線圈(Pearson,Model6
【參考文獻】:
期刊論文
[1]聚合物絕緣材料載流子陷阱的表征方法及陷阱對絕緣擊穿影響的研究進展[J]. 高宇,王小芳,李楠,許棒棒,王繼隆,杜伯學(xué). 高電壓技術(shù). 2019(07)
[2]氟化剝離填料對氮化硼/環(huán)氧復(fù)合材料沿面閃絡(luò)電壓的影響[J]. 律方成,陰凱,付可欣,林浩凡,謝慶,侯志靈,張翀. 高電壓技術(shù). 2017(09)
[3]聚合物納米復(fù)合材料的界面特性[J]. 何金良,彭思敏,周垚,楊洋,胡軍. 中國電機工程學(xué)報. 2016(24)
[4]SF6中環(huán)氧樹脂納秒脈沖沿面閃絡(luò)實驗研究[J]. 謝慶,劉熊,吳高林,王謙,黃河,邵濤. 中國電機工程學(xué)報. 2016(24)
[5]基于等溫表面電位衰減法的直流電纜用低密度聚乙烯和交聯(lián)聚乙烯陷阱電荷分布特性[J]. 歐陽本紅,趙健康,周福升,李建英,閔道敏,劉孟佳. 高電壓技術(shù). 2015(08)
[6]表層氟化環(huán)氧納米復(fù)合材料表面的電荷動態(tài)特性[J]. 李昂,杜伯學(xué),徐航,李忠磊,肖萌,韓濤. 高電壓技術(shù). 2015(02)
[7]特高壓輸電線路無源干擾諧振特性及其影響因子研究[J]. 唐波,張建功,王惠麗,葛光祖,劉興發(fā). 電工電能新技術(shù). 2014(06)
[8]鈦酸鋇-環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的制備與介電性研究[J]. 王歆,夏亞飛,劉繼紅,劉勇. 中國陶瓷. 2014(03)
[9]空間材料二次電子發(fā)射過程的理論研究[J]. 馮娜,楊生勝,陳益峰,高欣,張雷. 真空與低溫. 2013(03)
[10]復(fù)合材料的陷阱參數(shù)對其在真空中高壓脈沖下沿面閃絡(luò)特性的影響[J]. 趙文彬,張冠軍,嚴璋. 中國電機工程學(xué)報. 2007(09)
本文編號:3533166
【文章來源】:中國電機工程學(xué)報. 2020,40(12)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:13 頁
【部分圖文】:
(c)BTO納米纖維TEM
閱擅贅男緣?EP樣片進行表面電阻率測試,電極為三電極結(jié)構(gòu),試驗電壓為1000V,采樣步長為20ms。試驗環(huán)境溫度控制在30℃,濕度控制在30%。電阻率測試前,先將試樣表面用乙醇擦拭并烘干,排除表面沉積顆粒物的影響;再將試樣與電極緊密貼合,施加測試電壓,每種試樣測試時長為5min,對電阻率數(shù)據(jù)穩(wěn)定部分的1000個結(jié)果取均值,得到每種樣片的表面電阻率[29]。2實驗結(jié)果及討論2.1填料及試樣表征分析圖5為靜電紡絲法制備的BTO納米纖維以及等5m(a)BTO納米纖維SEM圖5m(b)FBTO納米纖維SEM圖5m(c)BTO納米纖維TEM圖5m(d)FBTO納米纖維TEM圖圖5BTO與FBTO納米纖維形貌Fig.5MorphologyofBTOandFBTOnanofiber離子體氟化后的FBTO納米纖維的微觀形貌圖。圖5(a)、(b)為場發(fā)射掃描電鏡(HitachiS4800)表征的等離子體氟化處理前后BTO納米纖維的SEM圖,可以看出,氟化處理前后的BTO納米纖維平均纖維直徑約為400nm。BTO納米纖維表面光滑,而FBTO納米纖維表面存在一層顆粒狀突起,因為等離子體氟化過程中將含氟基團接枝在了纖維表面,同時等離子體處理過程會影響納米纖維表面形貌。圖5(c)、(d)為場發(fā)射透射電子顯微鏡(transmissionelectronmicroscope,TEM)表征的氟化處理前后的BTO納米纖維的TEM圖,氟化前后的BTO納米纖維晶粒大小無明顯差別,約為20nm。
barrierdischarges,DBD)的形式,平臺如圖2所示。將BTO粉末均勻涂覆在石英反應(yīng)釜中,兩端加直徑為50mm的圓形金屬電極,反應(yīng)釜兩側(cè)連接L型進氣口,通入比例為101的Ar與CF4混合氣體,Ar作為保護氣體,CF4作為氟源氣體。反應(yīng)開始時,打開等離子體發(fā)生器,調(diào)節(jié)電壓為10kV,頻率50kHz,氟化時間控制在30min。對等離子體氟化后的鈦酸鋇(fluorinatedbariumtitanate,F(xiàn)BTO)納米泰勒錐納米線注射器收集器混合溶液高壓電源20.0kV圖1BTO納米纖維制備Fig.1BTOnanofiberpreparation反應(yīng)釜示波器變壓器氣體鋼瓶ArCF4等離子體發(fā)生器流量控制器交流電源AC~220V圖2等離子體氟化處理裝置Fig.2Plasmafluorinationtreatmentdevice纖維表征其氟化效果。1.3EP復(fù)合材料制備及其表面電特性測試將制備好的BTO與FBTO納米纖維分別按摻雜質(zhì)量分數(shù)為1%、2%、4%、8%置于燒杯中,并加入適量DGEBA,60℃油浴攪拌20min,使填料分散均勻。再加入MTHPA與DMP-30,質(zhì)量比為DGEBAMTHPADMP-30100:80:1,充分攪拌30min并脫氣,澆筑到模具中,按照140℃/30min+120℃/10h工藝進行固化,得到每種體系環(huán)氧樹脂復(fù)合材料試樣5片。對固化后的環(huán)氧樹脂復(fù)合材料試樣斷面借助電子顯微鏡(scanningelectronmicroscope,SEM)表征其填料分散性。采用均勻升壓法對制備好的EP復(fù)合材料樣片進行大氣中負極性直流閃絡(luò)測試。實驗平臺如圖3所示,主要由負極性高壓直流電源(輸出范圍為0~50kV)、電流測量線圈(Pearson,Model6
【參考文獻】:
期刊論文
[1]聚合物絕緣材料載流子陷阱的表征方法及陷阱對絕緣擊穿影響的研究進展[J]. 高宇,王小芳,李楠,許棒棒,王繼隆,杜伯學(xué). 高電壓技術(shù). 2019(07)
[2]氟化剝離填料對氮化硼/環(huán)氧復(fù)合材料沿面閃絡(luò)電壓的影響[J]. 律方成,陰凱,付可欣,林浩凡,謝慶,侯志靈,張翀. 高電壓技術(shù). 2017(09)
[3]聚合物納米復(fù)合材料的界面特性[J]. 何金良,彭思敏,周垚,楊洋,胡軍. 中國電機工程學(xué)報. 2016(24)
[4]SF6中環(huán)氧樹脂納秒脈沖沿面閃絡(luò)實驗研究[J]. 謝慶,劉熊,吳高林,王謙,黃河,邵濤. 中國電機工程學(xué)報. 2016(24)
[5]基于等溫表面電位衰減法的直流電纜用低密度聚乙烯和交聯(lián)聚乙烯陷阱電荷分布特性[J]. 歐陽本紅,趙健康,周福升,李建英,閔道敏,劉孟佳. 高電壓技術(shù). 2015(08)
[6]表層氟化環(huán)氧納米復(fù)合材料表面的電荷動態(tài)特性[J]. 李昂,杜伯學(xué),徐航,李忠磊,肖萌,韓濤. 高電壓技術(shù). 2015(02)
[7]特高壓輸電線路無源干擾諧振特性及其影響因子研究[J]. 唐波,張建功,王惠麗,葛光祖,劉興發(fā). 電工電能新技術(shù). 2014(06)
[8]鈦酸鋇-環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的制備與介電性研究[J]. 王歆,夏亞飛,劉繼紅,劉勇. 中國陶瓷. 2014(03)
[9]空間材料二次電子發(fā)射過程的理論研究[J]. 馮娜,楊生勝,陳益峰,高欣,張雷. 真空與低溫. 2013(03)
[10]復(fù)合材料的陷阱參數(shù)對其在真空中高壓脈沖下沿面閃絡(luò)特性的影響[J]. 趙文彬,張冠軍,嚴璋. 中國電機工程學(xué)報. 2007(09)
本文編號:3533166
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