采用溶劑熱法制備摻鋁的銅銦鎵硒Cu（InGaAl）Se₂（CIGAS）納米粉末,并直接將此納米粉末作為蒸鍍材料制備銅銦鎵鋁硒（CIGAS）薄膜,再將其放置在裝有高純硒粉的自制密封法蘭內(nèi)在真空下進(jìn)行硒化和退火處理,從而得到符合化學(xué)計(jì)量比的CIGAS薄膜。利用X射線衍射（XRD）和拉曼光譜（Raman）對(duì)樣品結(jié)構(gòu)和成分進(jìn)行測(cè)量,確認(rèn)CIGAS薄膜樣品是黃銅礦結(jié)構(gòu)和銅銦鎵鋁硒成分。使用橢圓偏振光譜測(cè)量技術(shù)對(duì)CIGAS薄膜進(jìn)行橢偏光譜測(cè)量,進(jìn)而得出薄膜光學(xué)參數(shù)如折射率n（λ）、消光系數(shù)k（λ）、吸收系數(shù)a（l）以及薄膜光能隙E_g,并發(fā)現(xiàn)Al元素的摻雜明顯增加了薄膜光能隙,并進(jìn)行了相關(guān)物理分析。 

【文章來源】：稀有金屬材料與工程. 2020,49(06)北大核心EISCICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【部分圖文】：

CIGAS薄膜的XRD圖譜

CIGAS薄膜的Raman光譜

采用中國(guó)科學(xué)院國(guó)家納米科學(xué)研究中心的橢圓偏振光譜儀（SE850DUV，德國(guó)）對(duì)3種成分的樣品1#,2#,3#進(jìn)行了橢偏光譜參數(shù)Ψ(λ)和Δ(λ)測(cè)量，結(jié)果如圖3所示。樣品1#成分為CuIn0.5Ga0.5Se2，樣品2#成分為CuIn0.3Ga0.7Se2，樣品2#鎵含量比樣品1#多，樣品3#是摻鋁樣品，即CuIn0.7Ga0.2Al0.1Se2。具體測(cè)試條件是：光譜波段即波長(zhǎng)λ范圍300～850 nm，入射角70°，光斑尺寸Φ2μm，環(huán)境溫度23℃。由此橢偏數(shù)據(jù)可以求出薄膜的折射率n(λ)和消光系數(shù)k(λ)，進(jìn)而得到薄膜的吸收率α(λ)和光能隙Eg。2 結(jié)果與討論

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]新型納米功能薄膜材料的橢圓偏振光譜研究[D]. 趙明琳.山東大學(xué) 2017



本文編號(hào)：3524698