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基于納米晶材料的高電壓電波暗室用EMI濾波器

發(fā)布時(shí)間:2021-11-26 09:48
  分析了中高壓電波暗室用EMI濾波器的設(shè)計(jì)要點(diǎn),提出采用非晶納米晶合金作為電感鐵芯材料,給出了非晶納米晶磁性材料的性能參數(shù)。與鐵氧體材料進(jìn)行對(duì)比,從插入損耗及泄露電流兩方面闡述這種新材料的優(yōu)勢(shì)。對(duì)高壓電波暗室用EMI濾波器做了選型設(shè)計(jì),為保證高壓濾波器的體積不至過(guò)大,采用不完全對(duì)稱(chēng)的共模電感寄生電感作為差模電感。 

【文章來(lái)源】:磁性材料及器件. 2020,51(06)CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)

【部分圖文】:

基于納米晶材料的高電壓電波暗室用EMI濾波器


各頻段下的插入損耗

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一個(gè)完整的、對(duì)共模和差模騷擾都有抑制能力的濾波器的電路如圖2、3所示[4-5]。其中,包含了共模電容Cy、差模電容Cx,也包括共模電感L1、差模電感L2,還包括用于電容放電的并聯(lián)泄放電阻R[6]。L與C根據(jù)插入損耗的大小,可以分組進(jìn)行并聯(lián)擴(kuò)充。圖3 多極直流濾波器電路原理圖

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多極直流濾波器電路原理圖

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]一種雙磁芯差共模電感集成EMI濾波器[J]. 李洪珠,張壘,王俏,齊慶杰.  電力電子技術(shù). 2016(02)
[2]基于插入損耗的噪聲源阻抗修正計(jì)算方法[J]. 張佳佳,張逸成,韋莉,葉尚斌,姚勇濤.  電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2015(04)
[3]一種量化電源濾波器設(shè)計(jì)方法[J]. 許敏.  電氣自動(dòng)化. 2013(02)
[4]一種新型的平面無(wú)源集成EMI濾波器結(jié)構(gòu)[J]. 楊玉崗,馮本成,王長(zhǎng)華,李洪珠.  電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2012(08)
[5]非晶、納米晶合金的國(guó)內(nèi)外發(fā)展概況及應(yīng)用展望[J]. 盧志超,李德仁,周少雄.  新材料產(chǎn)業(yè). 2002(03)

碩士論文
[1]電源EMI濾波器研究[D]. 黃河清.西安電子科技大學(xué) 2009
[2]EMI電源濾波器的設(shè)計(jì)和研究[D]. 王麗.北京交通大學(xué) 2007
[3]一種差、共模集成EMI濾波器及其平面化研究[D]. 劉南.遼寧工程技術(shù)大學(xué) 2006



本文編號(hào):3519897

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