發(fā)布時間：2021-11-26 07:52

　　采用液相電化學(xué)方法在硅基底上制備了石墨烯摻雜的類金剛石碳復(fù)合薄膜,探討了電化學(xué)沉積復(fù)合薄膜的機理。利用掃描電子顯微鏡（SEM）、拉曼光譜（Raman）、透射電子顯微鏡（TEM）和傅里葉變換紅外（FTIR）光譜技術(shù)對薄膜表面形貌和微觀結(jié)構(gòu)進行了分析表征。結(jié)果表明,石墨烯片均勻分散沉積在含氫類金剛石碳（a-C:H）基體中,沉積的石墨烯/類金剛石（G/a-C:H）復(fù)合薄膜表面相對均勻平整。場發(fā)射測試顯示石墨烯摻雜使開啟電場從4.7 V?μm^-1增加至5.8 V?μm^-1,場發(fā)射電流密度從384μA?cm^-2顯著增加至876μA?cm^-2。 

【文章來源】：物理化學(xué)學(xué)報. 2016,32(07)北大核心SCICSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實驗部分
    2.1 樣品制備
    2.2 樣品表征
3 結(jié)果與討論
    3.1 表面形貌
    3.2 結(jié)構(gòu)分析
    3.3 沉積機理
    3.4 場發(fā)射性能
4 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]紫外光輻照下鈦硅共摻雜類金剛石薄膜微結(jié)構(gòu)的演化[J]. 姜金龍,王瓊,黃浩,張霞,王玉寶,耿慶芬.  無機材料學(xué)報. 2014(09)



本文編號：3519711