發(fā)布時(shí)間：2021-11-26 04:19

　　石墨相氮化碳（g-C₃N₄）作為一種非金屬半導(dǎo)體,由C、N兩種元素組成,其對(duì)可見(jiàn)光響應(yīng),并且結(jié)構(gòu)可控,穩(wěn)定性好,具有良好的光催化性能,因此成為光催化領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。將g-C₃N₄與半導(dǎo)體金屬氧化物復(fù)合,形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),可以提高光催化性能。本文通過(guò)煅燒法制備了g-C₃N₄,并采用共混煅燒法合成了In₂O₃/g-C₃N₄、CeO₂/g-C₃N₄和WO₃/g-C₃N₄復(fù)合材料。利用XRD、FT-IR、SEM、DRS、PT和抗菌實(shí)驗(yàn)探討了材料的結(jié)構(gòu)、形貌、光電性能和光催化抗菌活性,并通過(guò)活性物種捕獲實(shí)驗(yàn)闡述了光催化抗菌機(jī)理。內(nèi)容如下:（1）采用煅燒法制備g-C₃N₄,并通過(guò)共混煅燒法合成In_2<... 

【文章來(lái)源】：江蘇大學(xué)江蘇省

【文章頁(yè)數(shù)】：84 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

銀離子抗菌機(jī)理圖

圖 1.2 半導(dǎo)體光催化機(jī)理圖. 1.2 Mechanism of semiconductor photocatalytic re2首次被發(fā)現(xiàn)在紫外光照射下有良好的殺菌]。但 TiO2的帶隙為 3.2 eV，其吸收邊帶為光只占太陽(yáng)能的 4%，因此太陽(yáng)能的利用率dS 被發(fā)現(xiàn)，其對(duì)可見(jiàn)光響應(yīng)，但它的穩(wěn)定光型光催化劑受到了人們的廣泛關(guān)注。其 C、N 兩種元素組成，帶隙約為 2.7 eV，其性好，具有良好的光催化性能，因此成為光作污染物降解[33]、制氫[34]、固氮[35]等領(lǐng)域很好的應(yīng)用前景[36]。碳（g-C3N4）概述

些反應(yīng)前驅(qū)體價(jià)廉易得，制備方法簡(jiǎn)便且制備得到的 g-C3N4的聚熱聚合法逐漸成為制備 g-C3N4的一種重要且常用的合成方法。3N4的改性3N4在應(yīng)用過(guò)程中還顯示出一些不足之處，如較大的粒徑、較低的的光生電子-空穴復(fù)合率、較低的載流子遷移能力和有限的可見(jiàn)其中，g-C3N4的光生 e-和 h+的復(fù)合又可以分為表面復(fù)合和體相導(dǎo)體產(chǎn)生光生 e-和 h+，它們有四種可能的行動(dòng)途徑，如圖 1.3。到達(dá)材料表面，與 O2反應(yīng)，生成強(qiáng)氧化性的 O2-和 H2O2。途徑材料表面，與水中的 OH-反應(yīng)，生成強(qiáng)氧化性的 OH。途徑 C 為材料表面過(guò)程中，e-和 h+發(fā)生復(fù)合，稱為體相復(fù)合。途徑 D 為到材料表面，在材料表面的 e-和 h+發(fā)生復(fù)合，稱為表面復(fù)合。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]基于石墨烯或類石墨氮化碳復(fù)合光催化劑的制備、表征及其光催化性能的研究[D]. 陳路呀.華南理工大學(xué) 2014

碩士論文
[1]二氧化鈰及其復(fù)合材料光催化性能的研究[D]. 袁賽賽.揚(yáng)州大學(xué) 2015



本文編號(hào)：3519382