吸波材料可用于武器裝備及軍事設(shè)施的隱身,也可用于日常生活和生產(chǎn)中進(jìn)行輻射防護(hù)。將不同納米材料進(jìn)行復(fù)合,是增強(qiáng)吸波性能的重要手段。Si C是一種良好的介電損耗材料,具有用作吸波材料的良好潛質(zhì)。用Si C復(fù)合材料作為吸波材料已有較多研究報(bào)導(dǎo),但如何提高其吸波性能,仍是當(dāng)前需要研究的重要問題之一。本論文選取β-Si C納米線作為吸波材料體系,通過在其表面包覆一層無定型碳,形成β-Si C@C核殼結(jié)構(gòu)納米線,以提高其吸波性能。采用高溫固相法在1500℃下,制備出直徑約為40nm的β-Si C納米線,并測試了其吸波性能。厚度為4.1mm的β-Si C納米線樣品最低反射損耗為-18d B,反射損耗在-10d B以下的頻帶范圍是5.1⁶.2GHz和16.9¹8GHz。研究了β-Si C@C核殼結(jié)構(gòu)的制備方法,包括水熱法和溶膠-凝膠法,通過透射電鏡、X射線衍射儀、紅外、拉曼等測試手段確定了在Si C納米線表面形成了外殼表面光滑、均勻完整的包覆碳層。并研究了其制備工藝流程,確定了其制備工藝參數(shù)。研究結(jié)果表明,利用水熱法、蔗糖濃度為0.73mol/L時(shí),所制備的... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

電磁波吸收機(jī)理的示意圖

合成的材料具有的多孔 SiC 和納米晶體結(jié)構(gòu)、界面極化等現(xiàn)象，使其在 600℃的高溫環(huán)境中也具有良好的吸波性能，頻率在 12.9GHz 處可達(dá)到最小反射損耗-38.7dB。

于碳納米管不是磁性材料，其吸波能力主要是由于極化作用以及電阻損于較大的比表面積造成電磁波的多次散射損耗，因此許多的研究工作將與磁性微粉或金屬氧化物等進(jìn)行復(fù)合，如圖 1-3 所示，來增強(qiáng)其吸波性能

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號：3518024