本文通過傳統(tǒng)高溫固相法合成了銪離子（包括二價和三價）摻雜的多種氧化物復(fù)合材料熒光體。研究了三種網(wǎng)絡(luò)體:改變體（MgO）、中間體（Al2O3）、形成體（SiO2、ZrO2）的不同組合制成的氧化物復(fù)合材料熒光粉,并對其熒光性能以及不同網(wǎng)絡(luò)體對Eu3+還原成Eu2+自還原過程的影響及規(guī)律進行了探究。研究發(fā)現(xiàn)可以通過調(diào)整各種網(wǎng)絡(luò)體在基質(zhì)中的相對比例達到調(diào)節(jié)熒光粉熒光性能與發(fā)光顏色的目的,并實現(xiàn)白光發(fā)射以及多色發(fā)射。（1）采用高溫固相自還原法制備了 xAl2O3-ySiO2和xAl2O3-zMgO基質(zhì)復(fù)合材料熒光粉。對樣品的熒光光譜、電子順磁共振（ESR）、X射線衍射（XRD）結(jié)果進行了分析,探究了在不同氧化物組合的復(fù)合材料熒光粉基質(zhì)中,網(wǎng)絡(luò)改變體、中間體、形成體對樣品的熒光性能的影響。研究發(fā)現(xiàn):不同的Al/Si和Al/Mg 比會對基質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響;在xAl2O3-ySiO2體系中x的值增大不僅會增強Al4.54Si1.46O9.73相衍射峰強度,還會提高Eu2+的發(fā)射強度且在Al/Si=4:1時達到最大值;在xAl2O3-zMgO中x的值增大有利于Eu4Al2O9和Al2MgO4的形成,... 

【文章來源】：南昌大學江西省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：70 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖２．１實驗流程圖??詳細操作流程如Ｔ；??

ｌ２〇３?７１－１１２４?４?？?？?＃ｓｉ０２?４６－１０４５??？?？??參??＾?？?？?？?？?？?？?？?Ａ０ＳＩ?????－Ａ－Ａ??’?ｌ?？???／??Ａ?．?Ａ???Ａ????、－?ｒ－?????岳?？??Ｂ?—＊?Ｊ／０?（？＊十０?＊?？?＊?？?＊?Ａ１Ｓ１??一?ｔ??＊?〇?Ｊ?４＊?ｆ?＊?？?？??？?？?４??２０?４０?６０?８０＾??２０（ｄｅｇｒｅｅ）??圖３．１?Ｅｕ３＋－Ｅｕ２＋摻雜的ｘＡｌ２０３－ｙＳｉ０２熒光粉在改變Ｓｉ０２（Ａ）和Ａ１２０３（Ｂ）含量下的ＸＲＤ??圖３．１為通過改變基質(zhì)中（Ａ）Ｓｉ０２或改變（Ｂ）Ａ１２０３的量所制得樣品的ＸＲＤ??圖。在圖３．１（八）中八１５０和八０５１即八１２０３或５丨０２摻入￡１１離子的樣品，它們的??衍射峰分別顯示出純相Ａｌ２〇３（ＪＣＰＤＦ?Ｎｏ．?７１－１１２４）和純相Ｓｉ〇２（ＪＣＰＤＦ?Ｎｏ．??４６－１０４５）的物相。當Ａｌ／Ｓｉ比為１：１時，發(fā)現(xiàn)樣品Ａ１Ｓ１中出現(xiàn)了?Ｓｉ０２（ＪＣＰＤＦ??Ｎｏ．４６－１０４５），?Ｓｉ〇２（ＪＣＰＤＦ?Ｎｏ．３９－１４２５），Ａｂ〇３（ＪＣＰＤＦ?Ｎｏ．７１－１１２４）和?Ａｌ４．５４Ｓｉ１．４６??〇９．７３?（ＪＣＰＤＦ?Ｎｏ．７９－１４５６）的混合相。從Ａ１Ｓ１到Ａ１Ｓ５的基體中隨著Ｓｉ〇２含量的??增加，Ａ１２０３的衍射峰相對強度逐漸減弱，八１４．５４軋．４６０９．７３相的衍射強度降低，且??在Ａ１Ｓ３中就無法觀察到ＡＵ．５４ＳｉＬ４６０９．７３相的衍射峰，而Ｓｉ〇２（ＪＣＰＤＦ?Ｎｏ．４６－１０

Ａ１?ＳＩ?６２０－ｅｍ?｜?ＳＩ?３９５－ｅｘ???Ａ１Ｓ２?６２０－ｅｍ?Ａ?Ｍ?Ｊ??Ａ１Ｓ２?３９５－ｅｘ???Ａ１?Ｓ３?６２０－ｅｍ?ａ｜｜?Ｒ?Ｍ——Ａ１?Ｓ３?３９５－ｅｘ???Ａ１Ｓ４?６２０－ｅｍ?Ｕ?｜?＿Ｊ｜?Ａ?１?——Ａ１Ｓ４?３９５－ｅｘ??—Ａｉｓ５ｊ＾?ｒｌａＬ?３９５－ｅｘ??１００?１５０?２００?２５０?３００?３５０?４００?４５０?５００?５５０?６００?６５０?７００?７５０?８００??Ｗａｖｅ?ｌｅｎｇｔｈ（ｎｍ）??圖３．２?（ａ）在Ａ０Ｓ１和Ａ１Ｓ０－Ａ１Ｓ５中Ｅｕ２＋的激發(fā)和發(fā)射光譜。（ｂ）在Ａ０Ｓ１和Ａ１Ｓ０－Ａ１Ｓ５中??Ｅｕ３＇的光致發(fā)光（ＰＬ）激發(fā)光譜ｄ＝?６２０?ｎｍ）和ＰＬ發(fā)射光譜（ＸｅＸ＝?３９５?ｎｍ）??圖３．２為Ａ０Ｓ１，Ａ１Ｓ０－Ａ１Ｓ５樣品中Ｅｕ２＋－Ｅｕ３＋的激發(fā)和發(fā)射光譜。圖３．２（ａ）??為Ａ０Ｓ１和Ａ１Ｓ０－Ａ１Ｓ５樣品在３２５－３４５ｎｍ激發(fā)下的發(fā)射光譜和監(jiān)測４２０－４３５ｎｍ??發(fā)射的激發(fā)光譜。對于純Ａｌ２Ｏ３（ＡｌＳ０）和ＳｉＯ２（Ａ０Ｓｌ）樣品，沒有觀察到明顯的發(fā)??射或激發(fā)吸收峰。在激發(fā)光譜中，對于Ａｌ２〇３－Ｓｉ〇２復(fù)合材料Ａ１Ｓ１－Ａ１Ｓ５，出現(xiàn)了??以３３５ｎｍ為中心，從２５０ｎｍ到４００ｎｍ的寬波段吸收帶和３４５ｎｍ的吸收疊加峰。??根據(jù)Ｅｕ２＋和Ｅｕ３＋的能級和發(fā)光特性，吸收帶歸因于從Ｅｕ２＋的（％／２）的基態(tài)到５士??態(tài)的電荷遷移躍遷［７４］。其中Ａ１Ｓ１的吸收強度最強，這意味著隨著Ｓｉ０２含量的増??１６??


本文編號：3507244