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ZnTe一維納米材料的光電導(dǎo)和壓阻性能研究

發(fā)布時(shí)間:2021-11-18 00:38
  可見光電探測器因其器件結(jié)構(gòu)簡單、功耗低等優(yōu)點(diǎn)已成為光電探測領(lǐng)域的研究重點(diǎn)。作為II-VI族化合物半導(dǎo)體的重要代表,ZnTe已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于純綠色發(fā)光二極管、太陽能電池以及太赫茲電磁波輻射與探測設(shè)備等領(lǐng)域。但由于受納米級材料制備技術(shù)的限制以及對光電導(dǎo)微觀機(jī)理的不明確,因而ZnTe的光電導(dǎo)性能未得到提升。本實(shí)驗(yàn)旨在探索一種新的合成方法以及基于ZnTe納米線可見光電探測器性能可控的因素。通過系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)分析揭示其微觀機(jī)制,主要結(jié)論及創(chuàng)新點(diǎn)如下:(1)本文通過水熱法和化學(xué)氣相反應(yīng)法兩種方法結(jié)合的形式制備了ZnTe納米線。將制備好的產(chǎn)物構(gòu)建成光電探測器件,光電導(dǎo)性能測試表明ZnTe納米線可以表現(xiàn)出很強(qiáng)的可見光電響應(yīng)。(2)構(gòu)建應(yīng)力傳感器,在靜態(tài)和動態(tài)應(yīng)力下的壓阻性能測試表明ZnTe納米線具有明顯的壓阻效應(yīng)。壓應(yīng)變下器件的電導(dǎo)率增大,而張應(yīng)變下電導(dǎo)率減小。(3)應(yīng)力下的可見光電導(dǎo)性能測試表明ZnTe納米線在應(yīng)力作用下,光電導(dǎo)性能有明顯的改變,并且在壓應(yīng)力作用下,可以提高器件的可見光電導(dǎo)響應(yīng)。 

【文章來源】:南昌大學(xué)江西省 211工程院校

【文章頁數(shù)】:39 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

ZnTe一維納米材料的光電導(dǎo)和壓阻性能研究


ZnTe的晶胞示意圖(a)六方,(b)立方

陶瓷,管式爐,抽濾,化學(xué)氣相反應(yīng)


條件下反應(yīng) 24 h,待反應(yīng)完成后,取出高壓釜并自然冷卻至室行多次抽濾,將抽濾過后的樣品放在烘箱中干燥,待樣品完全封保存并貼好標(biāo)簽以備后續(xù)實(shí)驗(yàn)當(dāng)中使用。品的制備驗(yàn)采用化學(xué)氣相反應(yīng)法制備得到 ZnTe 納米材料,反應(yīng)裝置如制備過程如下:將前面制備的前驅(qū)體放置在小陶瓷舟中,鍺粉外一個(gè)陶瓷舟內(nèi),兩個(gè)陶瓷舟分別置于管式爐的上風(fēng)口和下風(fēng)以 15mL/min 的氣體流速通入氮?dú)浠旌蠚?95%的 N2和 5%的 min。待排凈管內(nèi)的空氣后開始進(jìn)行加熱,設(shè)定管式爐的溫度為 熱 3h。在加熱和恒溫過程中,將保護(hù)氣的流速調(diào)整為 5mL/m一個(gè)穩(wěn)定的生長環(huán)境。待反應(yīng)完全后關(guān)閉管式爐,在氮?dú)浠旌下鋮s至室溫。關(guān)閉氣流,拆卸裝置,取出陶瓷舟。發(fā)現(xiàn)在石生長有線狀的產(chǎn)物,并且規(guī)則排布。將實(shí)驗(yàn)產(chǎn)物保存好并貼好驗(yàn)中使用。

示意圖,光電探測器件,示意圖


納米材料本身的尺寸和結(jié)構(gòu)特性,宏觀的表征手法已不再適觀的表征手法進(jìn)行表征。采用 X 射線衍射儀(XRD)、掃描譜儀(EDS)等對所制備的產(chǎn)物的成分、表面形貌以及結(jié)構(gòu)束后,組裝基于單個(gè) ZnTe 微納米線的光電探測元件,以備探測元件的組裝選取實(shí)驗(yàn)所制備的單一 ZnTe 納米線,置于已清潔并干燥好的上,并與銀漿、銅導(dǎo)線、kapton 絕緣塑料片等組裝成簡易的的示意圖如圖 2.2 所示。光電探測元件的組裝過程如下:選,在無水酒精溶劑中超聲清洗約 10min,然后置于烘箱中烘米線放置在干燥后的塑料片上,通過金相顯微鏡在納米線電極兩端接上銅導(dǎo)線,使其成為閉合回路。器件組裝完成恒溫箱中保溫干燥,待干燥完成后放入測試盒中,以備后

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]ZnTe/ZnTe:Cu復(fù)合背接觸層對CdTe太陽電池器件性能的影響[J]. 武莉莉,馮良桓,李衛(wèi),張靜全,黎兵,蔡偉,蔡亞平,鄭家貴,雷智.  中國科學(xué)(E輯:技術(shù)科學(xué)). 2007(01)



本文編號:3501871

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