SiCN陶瓷具有低密度、耐高溫、抗氧化且介電性能可調(diào)等特點,以其作為基體可望制備出結(jié)構(gòu)功能一體化陶瓷基復(fù)合材料�；瘜W(xué)氣相滲透法（Chemical Vapor Infiltration,CVI）制備溫度低、制備工藝易調(diào)節(jié)、所得材料結(jié)構(gòu)均勻致密,成為高性能陶瓷基復(fù)合材料的主要制備方法。采用CVI法制備的SiCN陶瓷是非晶態(tài),極化損耗較低,難以在X波段（8.2～12.4GHz）實現(xiàn)全頻RC小于-10dB的吸收（90%的電磁波被衰減）。介電型陶瓷實現(xiàn)全波段吸收需具有適中的介電常數(shù)目標(biāo)值,這就要求材料具有一定的透吸波納米異質(zhì)界面。如何使SiCN陶瓷獲得透吸波納米異質(zhì)界面是提高其吸波性能的關(guān)鍵,通過原位自生納米相（碳納米管和厚度為納米級的BN）誘導(dǎo)SiCN陶瓷晶化,析出導(dǎo)電相并形成納米異質(zhì)界面,從而提高其吸波性能。目前,國內(nèi)外主要研究CVI SiCN陶瓷制備工藝對其電磁性能的影響規(guī)律,亟待研究CVI SiCN陶瓷的微結(jié)構(gòu)演變對納米相改性SiCN陶瓷電磁性能的影響規(guī)律。本文采用熱力學(xué)計算獲得SiCN陶瓷的低溫共沉積條件,并通過理論計算獲得寬頻、強(qiáng)吸收材料的目標(biāo)電磁參數(shù)。通過對CVI SiCN陶瓷進(jìn)行... 

【文章來源】：西北工業(yè)大學(xué)陜西省 211工程院校 985工程院校

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【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖１－１吸波材料模型圖??Ｆｉｇ．?１－１?Ｔｈｅ?ｍｏｄｅｌ?ｏｆ?ａｂｓｏｒｂｉｎｇ?ｍａｔｅｒｉａｌｓ??

化而變化的二元函數(shù)。對于均勻傳輸線，可以分割成許多小的微元段ｄｚ，這樣每個微元??段可看做集中參數(shù)電路，用一個ｒ型網(wǎng)絡(luò)來等效。于是整個傳輸線可等效成多個ｒ型網(wǎng)??絡(luò)的級聯(lián)，如圖１－２所示。??Ｌ？?ｄｚ???Ｉ?Ｉ?Ｉ?￣｜?Ｉ?Ｉ??Ｉ?Ｉ??Ｉ?Ｉ?Ｉ?￣Ｉ?Ｉ?Ｉ??，Ｒｊｄｚ?Ｌ］ｄｚ?，??—Ｉ￣ｉｚｚｉ￣ｔ———Ｉ—?？—ｉｚｚ］￣—ｉ￣……－ｉｚｚｉ￣￣ｒ＾＼?？??Ｉ？可?［＾?＾?＾??圖１－２傳輸線的電路模型??Ｆｉｇ．?１－２?Ｔｈｅ?ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ?ｍｏｄｅｌ?ｏｆ?ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ?ｌｉｎｅ??４??

過對吸波材料進(jìn)行微結(jié)構(gòu)設(shè)計，獲得具有優(yōu)異吸波性能的吸波材料。??１．４．２傳輸線理論在單層吸波體中的應(yīng)用??單層吸波體是最簡單的吸波材料，其結(jié)構(gòu)模型如圖１－３所示：??５??

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號：3499026