聚乳酸/超導(dǎo)電炭黑抗靜電復(fù)合材料的制備及性能研究
發(fā)布時(shí)間:2021-11-15 04:41
以聚乳酸(PLA)為基體,超導(dǎo)電炭黑(SCCB)為抗靜電劑,三氯甲烷為溶劑,通過(guò)溶液共混法制得PLA/SCCB抗靜電復(fù)合材料。通過(guò)體積電阻率測(cè)試、熱重分析、力學(xué)性能測(cè)試等方法,研究了SCCB含量對(duì)復(fù)合材料抗靜電性能、熱穩(wěn)定性能、力學(xué)性能等的影響。結(jié)果表明,當(dāng)SCCB含量達(dá)到2%(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)時(shí),就能使復(fù)合材料從絕緣體變成半導(dǎo)體,滿(mǎn)足抗靜電的要求,但其力學(xué)性能卻有所下降;SCCB的加入還提高了復(fù)合體系的結(jié)晶性能和熱穩(wěn)定性能,當(dāng)SCCB添加量為4%時(shí),起始分解溫度提高了20.5℃。
【文章來(lái)源】:中國(guó)塑料. 2017,31(11)北大核心CSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)
【部分圖文】:
圖1SCCB的TEM照片
·50·聚乳酸/超導(dǎo)電炭黑抗靜電復(fù)合材料的制備及性能研究ρv小幅下降,當(dāng)SCCB含量從1%增加到2%時(shí),ρv急劇下降,變化幅度高達(dá)8?jìng)(gè)數(shù)量級(jí);SCCB含量繼續(xù)增加時(shí),ρv的變化趨于平緩,這主要與SCCB粒子在PLA基體中的分散狀態(tài)有關(guān)。SCCB含量較低時(shí),SCCB粒子間距大,在PLA基體中難以形成持續(xù)的導(dǎo)電通路;SCCB含量增加到滲透閾值2%時(shí),SCCB粒子間則相互連接形成持續(xù)的導(dǎo)電回路,導(dǎo)電性能迅速提高,表現(xiàn)為ρv的急劇下降;SCCB含量超過(guò)滲透閾值時(shí),由于導(dǎo)電通路已經(jīng)形成,SCCB含量的增加對(duì)導(dǎo)電性能的影響較小[6-8]。實(shí)驗(yàn)測(cè)定的滲透閾值較其他文獻(xiàn)低[9-10],是因?yàn)楸緦?shí)驗(yàn)使用的炭黑是納米級(jí)的SCCB,比表面積大,結(jié)構(gòu)性高,性能優(yōu)良。圖2SCCB含量對(duì)PLA/SCCB復(fù)合材料ρv的影響Fig.2EffectofSCCBcontentonvolumeresistivityofPLA/SCCBcomposites2.3TG分析根據(jù)材料的起始分解溫度(t10,失重10%的溫度)、半壽溫度(t50,失重50%的溫度)以及最大失重速率時(shí)的溫度(tmax)來(lái)評(píng)估復(fù)合材料的熱穩(wěn)定性能。由圖3(a)可知,所有配方的復(fù)合材料均為2步失重,第一步失重發(fā)生在85~150℃之間,對(duì)應(yīng)于復(fù)合材料中殘留溶劑CHCl3的揮發(fā);第二步是復(fù)合材料的分解過(guò)程。由表2可知,純PLA的t10為323.1℃,t50為373.6℃,tmax為378.8℃
為晶粒尺寸,nm;β為實(shí)測(cè)樣品衍射峰半高寬度,(°);k=0.89;λ=0.15418nm)可算出PLA及其復(fù)合材料的晶粒尺寸D(110/200),結(jié)果如表3所示?梢缘弥,PLA復(fù)合材料的晶粒尺寸較純PLA明顯增大,這歸因于SCCB粒子對(duì)PLA分子有異相成核的作用[10],即SCCB的加入提高了PLA的結(jié)晶能力。樣品:1—P02—P13—P24—P35—P46—P57—P68—P7圖4PLA/SCCB復(fù)合材料的XRD譜圖Fig.4XRDpatternofPLA/SCCBcomposites2.5力學(xué)性能分析從圖5中可知,隨著SCCB含量的增加,復(fù)合材料的拉伸強(qiáng)度小幅下降,而彈性模量則明顯增大。復(fù)合材料的拉伸強(qiáng)度降低可能與SCCB在PLA中的分散狀態(tài)有關(guān),如圖6所示。由圖可知,低SCCB含量下,SCCB在樹(shù)脂基體中分散良好,無(wú)明顯團(tuán)聚現(xiàn)象。而高SCCB含量下,SCCB在PLA基體中分散不均勻,有明顯團(tuán)聚現(xiàn)象出現(xiàn),加上SCCB粒子本身強(qiáng)度低,無(wú)法與PLA基體形成強(qiáng)的界面相互作用,所以導(dǎo)致受力時(shí)易表3PLA/SCCB復(fù)合材料的晶粒尺寸Tab.3CrystalldimensionofPLA/SCCBcomposites樣品2θ/(°)β/(°)D(110/200)/nmP017.050.51015.59P117.150.43018.49P217.000.46517.10P317.050.40319.73P417.050.42
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]高分子材料用抗靜電劑的研究進(jìn)展[J]. 蔣杰,孫連強(qiáng),徐戰(zhàn),韋堅(jiān)紅. 塑料助劑. 2016(02)
[2]導(dǎo)電炭黑在抗靜電聚合物中應(yīng)用[J]. 韓振江,蘇家凱,劉慶利,朱長(zhǎng)生. 塑料制造. 2016(Z1)
[3]納米乙烯基硅樹(shù)脂對(duì)聚乳酸的熱穩(wěn)定性影響[J]. 周露,王新龍,王佳輝. 現(xiàn)代塑料加工應(yīng)用. 2013(06)
[4]聚乳酸/納米碳管防靜電復(fù)合材料的制備與性能[J]. 喻亞格,賈軍芳,葉正濤,朱平,崔莉. 高分子材料科學(xué)與工程. 2013(11)
[5]炭黑/聚氯乙烯抗靜電復(fù)合材料的制備及性能[J]. 田瑤珠,程利萍,宋帥,秦軍,羅筑. 塑料. 2012(03)
[6]聚酰亞胺/導(dǎo)電炭黑抗靜電復(fù)合薄膜的性能研究[J]. 吳海紅,尤鶴翔,董云飛,俞娟,王曉東,黃培. 絕緣材料. 2012(02)
[7]炭黑/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料的導(dǎo)電閾值現(xiàn)象[J]. 鄭君剛,張偉. 沈陽(yáng)建筑大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2010(01)
[8]生物可降解聚乳酸的改性及其應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 曹燕琳,尹靜波,顏世峰. 高分子通報(bào). 2006(10)
[9]LDPE/炭黑復(fù)合導(dǎo)電材料PTC/NTC效應(yīng)形成機(jī)理的探討[J]. 張雄偉,黃銳. 成都科技大學(xué)學(xué)報(bào). 1994(05)
博士論文
[1]尼龍11/白炭黑納米復(fù)合材料的原位制備、結(jié)構(gòu)及性能研究[D]. 張?jiān)粕?中北大學(xué) 2012
碩士論文
[1]聚乳酸的改性及應(yīng)用性能研究[D]. 蘇瑞霞.齊魯工業(yè)大學(xué) 2014
本文編號(hào):3496052
【文章來(lái)源】:中國(guó)塑料. 2017,31(11)北大核心CSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)
【部分圖文】:
圖1SCCB的TEM照片
·50·聚乳酸/超導(dǎo)電炭黑抗靜電復(fù)合材料的制備及性能研究ρv小幅下降,當(dāng)SCCB含量從1%增加到2%時(shí),ρv急劇下降,變化幅度高達(dá)8?jìng)(gè)數(shù)量級(jí);SCCB含量繼續(xù)增加時(shí),ρv的變化趨于平緩,這主要與SCCB粒子在PLA基體中的分散狀態(tài)有關(guān)。SCCB含量較低時(shí),SCCB粒子間距大,在PLA基體中難以形成持續(xù)的導(dǎo)電通路;SCCB含量增加到滲透閾值2%時(shí),SCCB粒子間則相互連接形成持續(xù)的導(dǎo)電回路,導(dǎo)電性能迅速提高,表現(xiàn)為ρv的急劇下降;SCCB含量超過(guò)滲透閾值時(shí),由于導(dǎo)電通路已經(jīng)形成,SCCB含量的增加對(duì)導(dǎo)電性能的影響較小[6-8]。實(shí)驗(yàn)測(cè)定的滲透閾值較其他文獻(xiàn)低[9-10],是因?yàn)楸緦?shí)驗(yàn)使用的炭黑是納米級(jí)的SCCB,比表面積大,結(jié)構(gòu)性高,性能優(yōu)良。圖2SCCB含量對(duì)PLA/SCCB復(fù)合材料ρv的影響Fig.2EffectofSCCBcontentonvolumeresistivityofPLA/SCCBcomposites2.3TG分析根據(jù)材料的起始分解溫度(t10,失重10%的溫度)、半壽溫度(t50,失重50%的溫度)以及最大失重速率時(shí)的溫度(tmax)來(lái)評(píng)估復(fù)合材料的熱穩(wěn)定性能。由圖3(a)可知,所有配方的復(fù)合材料均為2步失重,第一步失重發(fā)生在85~150℃之間,對(duì)應(yīng)于復(fù)合材料中殘留溶劑CHCl3的揮發(fā);第二步是復(fù)合材料的分解過(guò)程。由表2可知,純PLA的t10為323.1℃,t50為373.6℃,tmax為378.8℃
為晶粒尺寸,nm;β為實(shí)測(cè)樣品衍射峰半高寬度,(°);k=0.89;λ=0.15418nm)可算出PLA及其復(fù)合材料的晶粒尺寸D(110/200),結(jié)果如表3所示?梢缘弥,PLA復(fù)合材料的晶粒尺寸較純PLA明顯增大,這歸因于SCCB粒子對(duì)PLA分子有異相成核的作用[10],即SCCB的加入提高了PLA的結(jié)晶能力。樣品:1—P02—P13—P24—P35—P46—P57—P68—P7圖4PLA/SCCB復(fù)合材料的XRD譜圖Fig.4XRDpatternofPLA/SCCBcomposites2.5力學(xué)性能分析從圖5中可知,隨著SCCB含量的增加,復(fù)合材料的拉伸強(qiáng)度小幅下降,而彈性模量則明顯增大。復(fù)合材料的拉伸強(qiáng)度降低可能與SCCB在PLA中的分散狀態(tài)有關(guān),如圖6所示。由圖可知,低SCCB含量下,SCCB在樹(shù)脂基體中分散良好,無(wú)明顯團(tuán)聚現(xiàn)象。而高SCCB含量下,SCCB在PLA基體中分散不均勻,有明顯團(tuán)聚現(xiàn)象出現(xiàn),加上SCCB粒子本身強(qiáng)度低,無(wú)法與PLA基體形成強(qiáng)的界面相互作用,所以導(dǎo)致受力時(shí)易表3PLA/SCCB復(fù)合材料的晶粒尺寸Tab.3CrystalldimensionofPLA/SCCBcomposites樣品2θ/(°)β/(°)D(110/200)/nmP017.050.51015.59P117.150.43018.49P217.000.46517.10P317.050.40319.73P417.050.42
【參考文獻(xiàn)】:
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[4]聚乳酸/納米碳管防靜電復(fù)合材料的制備與性能[J]. 喻亞格,賈軍芳,葉正濤,朱平,崔莉. 高分子材料科學(xué)與工程. 2013(11)
[5]炭黑/聚氯乙烯抗靜電復(fù)合材料的制備及性能[J]. 田瑤珠,程利萍,宋帥,秦軍,羅筑. 塑料. 2012(03)
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[7]炭黑/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料的導(dǎo)電閾值現(xiàn)象[J]. 鄭君剛,張偉. 沈陽(yáng)建筑大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2010(01)
[8]生物可降解聚乳酸的改性及其應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 曹燕琳,尹靜波,顏世峰. 高分子通報(bào). 2006(10)
[9]LDPE/炭黑復(fù)合導(dǎo)電材料PTC/NTC效應(yīng)形成機(jī)理的探討[J]. 張雄偉,黃銳. 成都科技大學(xué)學(xué)報(bào). 1994(05)
博士論文
[1]尼龍11/白炭黑納米復(fù)合材料的原位制備、結(jié)構(gòu)及性能研究[D]. 張?jiān)粕?中北大學(xué) 2012
碩士論文
[1]聚乳酸的改性及應(yīng)用性能研究[D]. 蘇瑞霞.齊魯工業(yè)大學(xué) 2014
本文編號(hào):3496052
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