纖鋅礦納米CuInS 2 高壓下晶體結(jié)構(gòu)及物性研究
發(fā)布時(shí)間:2021-11-14 04:51
AⅠ-BⅢ-C2Ⅵ系列化合物中,CuInS2半導(dǎo)體材料因?yàn)榫哂锌烧{(diào)諧吸收帶隙(1.1-1.5 eV)、較高的吸收系數(shù)、光致發(fā)光和強(qiáng)烈局域表面等離子振蕩等優(yōu)異性質(zhì),在光伏電池、LED、生物大分子熒光標(biāo)記和非線性光學(xué)器件等領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛質(zhì)而備受關(guān)注。CuInS2化合物在自然界中以黃銅礦結(jié)構(gòu)存在,在高溫下可以獲得閃鋅礦和纖鋅礦兩種亞穩(wěn)相結(jié)構(gòu),降溫后又回到黃銅礦結(jié)構(gòu)。除了化學(xué)方法以外,高壓可以改變?cè)娱g距和電子結(jié)構(gòu),調(diào)節(jié)物質(zhì)的物理化學(xué)性質(zhì),獲得其他手段不能獲得的新結(jié)構(gòu)、新現(xiàn)象和新性質(zhì)。在壓力作用下,黃銅礦CuInS2展示豐富的結(jié)構(gòu)相變,并發(fā)現(xiàn)壓力可以有效調(diào)控其光學(xué)、電學(xué)等性質(zhì)。近幾年發(fā)現(xiàn)纖鋅礦納米CuInS2亞穩(wěn)相可以穩(wěn)定存在于常溫常壓下,但其高壓下結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性以及壓力調(diào)控的物理化學(xué)性質(zhì)仍不清楚。本論文首先通過(guò)熱注入法成功制備亞穩(wěn)相納米尺寸纖鋅礦CuInS2(P63mc),...
【文章來(lái)源】:吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:58 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
自然界壓力范圍壓力是熱力學(xué)的重要參量,是一個(gè)多功能性工具
第一章緒論2圖1.1自然界壓力范圍壓力是熱力學(xué)的重要參量,是一個(gè)多功能性工具。壓力作為一種極端方式,對(duì)物質(zhì)性質(zhì)有著巨大的影響,主要表現(xiàn)在以下方面:(1)壓力可以改變?cè)娱g距,使得原子位置重排,導(dǎo)致材料發(fā)生結(jié)構(gòu)相變產(chǎn)生新材料。(2)壓力可以改變電子軌道重疊程度和成鍵模式,從而導(dǎo)致電子能級(jí)和能帶結(jié)構(gòu)的變化。如在4.2GPa范圍內(nèi),硒化碲CdSe帶隙隨壓力增加而增大[6];常壓下InSe為半導(dǎo)體,5.4GPa轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘賉7]。(3)壓力可以促進(jìn)元素間發(fā)生非化學(xué)計(jì)量比化學(xué)反應(yīng)。如在100GPa,鈰Ce與氫氣H2生成CeH9[8]。圖1.2是壓力對(duì)物質(zhì)作用的機(jī)制,高壓不僅大大拓展了物質(zhì)科學(xué)研究領(lǐng)域,還是改善物質(zhì)性能的重要手段。圖1.2高壓對(duì)物質(zhì)的影響高壓實(shí)驗(yàn)往往要結(jié)合專門的測(cè)試手段。如圖1.3所示,目前與壓機(jī)相結(jié)合的實(shí)驗(yàn)技術(shù)有:原位高壓X射線衍射光譜、原位高壓分子振動(dòng)光譜、原位高壓電學(xué)
第一章緒論3及磁學(xué)測(cè)量等。通過(guò)這些測(cè)量,可以獲得物質(zhì)在高壓下晶體結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)、振動(dòng)模式、吸收帶隙、磁化率的變化等信息。高壓科學(xué)技術(shù)日益成熟,人們可以利用高壓手段揭示物質(zhì)內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)性質(zhì)和電子結(jié)構(gòu)內(nèi)部機(jī)制,是探索新材料,發(fā)現(xiàn)新物理現(xiàn)象和新規(guī)律的工具。圖1.3高壓實(shí)驗(yàn)技術(shù)1.2高壓實(shí)驗(yàn)裝置及技術(shù)相對(duì)于之前高壓裝置,雖然“Bridgman”壓砧實(shí)驗(yàn)范圍提高了很多,但是實(shí)驗(yàn)壓力范圍并不能完全滿足實(shí)驗(yàn)者們的需要,硬度值最高的金剛石被壓機(jī)設(shè)計(jì)者們關(guān)注。金剛石對(duì)頂砧裝置是通過(guò)彈簧的壓縮將上下金剛石砧面同時(shí)垂直擠壓金屬墊片中的樣品腔,通過(guò)傳壓介質(zhì)將超高壓力傳至樣品,腔內(nèi)會(huì)放入標(biāo)壓物質(zhì)。由于實(shí)驗(yàn)要求不同,研究者們?cè)O(shè)計(jì)出適合多種實(shí)驗(yàn)的DAC裝置。因?yàn)镈AC裝置較為小巧、操作簡(jiǎn)單且實(shí)驗(yàn)壓力高,已成為目前高壓科學(xué)研究的重要實(shí)驗(yàn)工具。早期DAC裝置,是將上下金剛石砧面直接接觸樣品進(jìn)行加壓,這種加壓方式不僅實(shí)驗(yàn)壓力不高,而且容易造成金剛石破裂。為了解決此問(wèn)題,VanValkanburg首次將金屬墊片加入DAC裝置中,不僅提高實(shí)驗(yàn)壓力,還有效的保護(hù)金剛石壓砧。實(shí)驗(yàn)者們通過(guò)預(yù)壓墊片,再在墊片上進(jìn)行打孔,形成樣品腔,樣品腔直徑大小最好不要超過(guò)金剛石砧面直徑的2/3。DAC裝置在加壓過(guò)程中,樣品腔內(nèi)部會(huì)存在壓力梯度,呈現(xiàn)中心高四周低的
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]InSe的高壓電輸運(yùn)性質(zhì)研究[J]. 吳寶嘉,李燕,彭剛,高春曉. 物理學(xué)報(bào). 2013(14)
本文編號(hào):3493997
【文章來(lái)源】:吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:58 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
自然界壓力范圍壓力是熱力學(xué)的重要參量,是一個(gè)多功能性工具
第一章緒論2圖1.1自然界壓力范圍壓力是熱力學(xué)的重要參量,是一個(gè)多功能性工具。壓力作為一種極端方式,對(duì)物質(zhì)性質(zhì)有著巨大的影響,主要表現(xiàn)在以下方面:(1)壓力可以改變?cè)娱g距,使得原子位置重排,導(dǎo)致材料發(fā)生結(jié)構(gòu)相變產(chǎn)生新材料。(2)壓力可以改變電子軌道重疊程度和成鍵模式,從而導(dǎo)致電子能級(jí)和能帶結(jié)構(gòu)的變化。如在4.2GPa范圍內(nèi),硒化碲CdSe帶隙隨壓力增加而增大[6];常壓下InSe為半導(dǎo)體,5.4GPa轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘賉7]。(3)壓力可以促進(jìn)元素間發(fā)生非化學(xué)計(jì)量比化學(xué)反應(yīng)。如在100GPa,鈰Ce與氫氣H2生成CeH9[8]。圖1.2是壓力對(duì)物質(zhì)作用的機(jī)制,高壓不僅大大拓展了物質(zhì)科學(xué)研究領(lǐng)域,還是改善物質(zhì)性能的重要手段。圖1.2高壓對(duì)物質(zhì)的影響高壓實(shí)驗(yàn)往往要結(jié)合專門的測(cè)試手段。如圖1.3所示,目前與壓機(jī)相結(jié)合的實(shí)驗(yàn)技術(shù)有:原位高壓X射線衍射光譜、原位高壓分子振動(dòng)光譜、原位高壓電學(xué)
第一章緒論3及磁學(xué)測(cè)量等。通過(guò)這些測(cè)量,可以獲得物質(zhì)在高壓下晶體結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)、振動(dòng)模式、吸收帶隙、磁化率的變化等信息。高壓科學(xué)技術(shù)日益成熟,人們可以利用高壓手段揭示物質(zhì)內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)性質(zhì)和電子結(jié)構(gòu)內(nèi)部機(jī)制,是探索新材料,發(fā)現(xiàn)新物理現(xiàn)象和新規(guī)律的工具。圖1.3高壓實(shí)驗(yàn)技術(shù)1.2高壓實(shí)驗(yàn)裝置及技術(shù)相對(duì)于之前高壓裝置,雖然“Bridgman”壓砧實(shí)驗(yàn)范圍提高了很多,但是實(shí)驗(yàn)壓力范圍并不能完全滿足實(shí)驗(yàn)者們的需要,硬度值最高的金剛石被壓機(jī)設(shè)計(jì)者們關(guān)注。金剛石對(duì)頂砧裝置是通過(guò)彈簧的壓縮將上下金剛石砧面同時(shí)垂直擠壓金屬墊片中的樣品腔,通過(guò)傳壓介質(zhì)將超高壓力傳至樣品,腔內(nèi)會(huì)放入標(biāo)壓物質(zhì)。由于實(shí)驗(yàn)要求不同,研究者們?cè)O(shè)計(jì)出適合多種實(shí)驗(yàn)的DAC裝置。因?yàn)镈AC裝置較為小巧、操作簡(jiǎn)單且實(shí)驗(yàn)壓力高,已成為目前高壓科學(xué)研究的重要實(shí)驗(yàn)工具。早期DAC裝置,是將上下金剛石砧面直接接觸樣品進(jìn)行加壓,這種加壓方式不僅實(shí)驗(yàn)壓力不高,而且容易造成金剛石破裂。為了解決此問(wèn)題,VanValkanburg首次將金屬墊片加入DAC裝置中,不僅提高實(shí)驗(yàn)壓力,還有效的保護(hù)金剛石壓砧。實(shí)驗(yàn)者們通過(guò)預(yù)壓墊片,再在墊片上進(jìn)行打孔,形成樣品腔,樣品腔直徑大小最好不要超過(guò)金剛石砧面直徑的2/3。DAC裝置在加壓過(guò)程中,樣品腔內(nèi)部會(huì)存在壓力梯度,呈現(xiàn)中心高四周低的
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]InSe的高壓電輸運(yùn)性質(zhì)研究[J]. 吳寶嘉,李燕,彭剛,高春曉. 物理學(xué)報(bào). 2013(14)
本文編號(hào):3493997
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