新型二維材料的結(jié)構(gòu)修飾與電子性質(zhì)調(diào)控
發(fā)布時間:2021-11-09 16:51
納米材料發(fā)展迅猛,在諸多領(lǐng)域展現(xiàn)出了優(yōu)越的物理和化學(xué)性能,具有巨大潛力。自2004年實驗上成功剝離石墨烯以來,大量二維(2D)新材料被理論預(yù)測、甚至在實驗中被成功制備,構(gòu)成了一個龐大的2D體系家族。2D納米材料通常具有超薄、載流子遷移率高、光電性能優(yōu)異、帶隙易調(diào)控等優(yōu)勢,有望替代傳統(tǒng)單晶硅成為下一代電子器件材料。其中,場效應(yīng)晶體管(FETs)是眾多電子器件中的一種基礎(chǔ)性器件,可應(yīng)用在控制器開關(guān)、氣敏傳感器等諸多電子器件中。基于2D納米材料的FETs,具有更高的器件穩(wěn)定性和傳輸性能。此外,由于2D納米材料的層狀結(jié)構(gòu)特點,我們更容易通過尋找合適基底、施加應(yīng)變和電場等手段,對其相關(guān)性能進行改善和調(diào)控,以獲得新型的功能性電子器件。與此同時,實驗上成功制備出具有本征磁性的2D納米材料,進一步將2D納米電子器件拓寬到自旋電子學(xué)領(lǐng)域。2D納米自旋電子器件充分利用了電荷與自旋的自由度,具有體積小、速度快、存儲密度高、功耗低等優(yōu)勢,有望發(fā)展成為新一代自旋電子器件。此外,納米材料在光催化領(lǐng)域也具有重要的應(yīng)用前景。光催化技術(shù)作為解決環(huán)境污染和能源短缺問題的重要手段,吸引了人們的廣泛關(guān)注。然而,現(xiàn)有的光催化材...
【文章來源】:山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:114 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
圖3.1-1.?Silicene和AsSb單層的俯視圖、側(cè)視圖,以及相應(yīng)基于雜化泛函(HSE06)??的能帶結(jié)構(gòu):Silicene(a、d、c)和AsSb(b、e、f)
的能帶結(jié)構(gòu):Silicene(a、d、c)和AsSb(b、e、f)。其中,藍色、綠色和橙色原子??分別代表Si、As和Sb原子,能帶結(jié)構(gòu)的價帶頂(VBM)能級設(shè)置為0。??首先,我們研究了單層Silicene和AsSb的幾何結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì),如圖3.卜1??所示。通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化,我們得到穩(wěn)定Silicene的晶格參數(shù)是=?3.86?A,最相鄰??31原子之間的距離是4=2.28人;八531)單層的晶格參數(shù)為奶=3.86人,且八5-35??的鍵長為必=2.69?A。Silicene沿著z方向的褶皺是蚋=0.44?A,AsSb沿著z方??向的褶皺是幻==1.51?A。相關(guān)的結(jié)構(gòu)參數(shù)如表3.1-1所示,這與之前文獻中的計??算結(jié)果是相一致[22,29]。值得注意的是,8丨1丨(^1^/八3813的晶格失配度近乎為零。??因此,在實驗中控制生長Silicene時可以避免很多實際的操作問題,有利于該界??面的形成。與其他襯底相比,例如?Silicene/h-BN?(2.08?%)、Silicene/Sc2CF2(0.68?%)??和?Silicene/MoS2(2.42?%)?[16-18]
的能帶結(jié)構(gòu):Silicene(a、d、c)和AsSb(b、e、f)。其中,藍色、綠色和橙色原子??分別代表Si、As和Sb原子,能帶結(jié)構(gòu)的價帶頂(VBM)能級設(shè)置為0。??首先,我們研究了單層Silicene和AsSb的幾何結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì),如圖3.卜1??所示。通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化,我們得到穩(wěn)定Silicene的晶格參數(shù)是=?3.86?A,最相鄰??31原子之間的距離是4=2.28人;八531)單層的晶格參數(shù)為奶=3.86人,且八5-35??的鍵長為必=2.69?A。Silicene沿著z方向的褶皺是蚋=0.44?A,AsSb沿著z方??向的褶皺是幻==1.51?A。相關(guān)的結(jié)構(gòu)參數(shù)如表3.1-1所示,這與之前文獻中的計??算結(jié)果是相一致[22,29]。值得注意的是,8丨1丨(^1^/八3813的晶格失配度近乎為零。??因此,在實驗中控制生長Silicene時可以避免很多實際的操作問題,有利于該界??面的形成。與其他襯底相比,例如?Silicene/h-BN?(2.08?%)、Silicene/Sc2CF2(0.68?%)??和?Silicene/MoS2(2.42?%)?[16-18]
本文編號:3485721
【文章來源】:山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:114 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
圖3.1-1.?Silicene和AsSb單層的俯視圖、側(cè)視圖,以及相應(yīng)基于雜化泛函(HSE06)??的能帶結(jié)構(gòu):Silicene(a、d、c)和AsSb(b、e、f)
的能帶結(jié)構(gòu):Silicene(a、d、c)和AsSb(b、e、f)。其中,藍色、綠色和橙色原子??分別代表Si、As和Sb原子,能帶結(jié)構(gòu)的價帶頂(VBM)能級設(shè)置為0。??首先,我們研究了單層Silicene和AsSb的幾何結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì),如圖3.卜1??所示。通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化,我們得到穩(wěn)定Silicene的晶格參數(shù)是=?3.86?A,最相鄰??31原子之間的距離是4=2.28人;八531)單層的晶格參數(shù)為奶=3.86人,且八5-35??的鍵長為必=2.69?A。Silicene沿著z方向的褶皺是蚋=0.44?A,AsSb沿著z方??向的褶皺是幻==1.51?A。相關(guān)的結(jié)構(gòu)參數(shù)如表3.1-1所示,這與之前文獻中的計??算結(jié)果是相一致[22,29]。值得注意的是,8丨1丨(^1^/八3813的晶格失配度近乎為零。??因此,在實驗中控制生長Silicene時可以避免很多實際的操作問題,有利于該界??面的形成。與其他襯底相比,例如?Silicene/h-BN?(2.08?%)、Silicene/Sc2CF2(0.68?%)??和?Silicene/MoS2(2.42?%)?[16-18]
的能帶結(jié)構(gòu):Silicene(a、d、c)和AsSb(b、e、f)。其中,藍色、綠色和橙色原子??分別代表Si、As和Sb原子,能帶結(jié)構(gòu)的價帶頂(VBM)能級設(shè)置為0。??首先,我們研究了單層Silicene和AsSb的幾何結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì),如圖3.卜1??所示。通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化,我們得到穩(wěn)定Silicene的晶格參數(shù)是=?3.86?A,最相鄰??31原子之間的距離是4=2.28人;八531)單層的晶格參數(shù)為奶=3.86人,且八5-35??的鍵長為必=2.69?A。Silicene沿著z方向的褶皺是蚋=0.44?A,AsSb沿著z方??向的褶皺是幻==1.51?A。相關(guān)的結(jié)構(gòu)參數(shù)如表3.1-1所示,這與之前文獻中的計??算結(jié)果是相一致[22,29]。值得注意的是,8丨1丨(^1^/八3813的晶格失配度近乎為零。??因此,在實驗中控制生長Silicene時可以避免很多實際的操作問題,有利于該界??面的形成。與其他襯底相比,例如?Silicene/h-BN?(2.08?%)、Silicene/Sc2CF2(0.68?%)??和?Silicene/MoS2(2.42?%)?[16-18]
本文編號:3485721
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