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Co-TiO 2 納米復(fù)合薄膜中化學(xué)狀態(tài)和磁電阻的基底溫度依賴性(英文)

發(fā)布時(shí)間:2021-11-06 11:50
  采用磁控濺射法在不同基底溫度下制備Co-TiO2納米復(fù)合薄膜。所合成的納米復(fù)合薄膜由TiO2非晶基體和分散其中的Co顆粒組成,呈鐵磁和超順磁共存的特性。隨著基底溫度從室溫升高到400°C,Co顆粒尺寸逐漸增大,氧化程度明顯降低。因此,在Co含量相同的情況下,隨著基底溫度的升高(從室溫升高至400°C),飽和磁化強(qiáng)度從0.13增加到0.43 T。在高基底溫度下,一部分Co顆粒聚集形成導(dǎo)電路徑,導(dǎo)致電阻率從1600快速下降至76μΩ·m。即使在電阻率低至76μΩ·m的情況下,依然能獲得Co-TiO2的磁電阻性能。結(jié)果表明,納米復(fù)合薄膜在室溫下具有低Co氧化、高磁化強(qiáng)度和磁阻特性。 

【文章來(lái)源】:Transactions of Nonferrous Metals Society of China. 2020,30(09)EISCICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】:8 頁(yè)

【文章目錄】:
1 Introduction
2 Experimental
3 Results and discussion
    3.1 Structural and morphological characterization Figure 1 shows the XRD patterns of Co-Ti O2
    3.2 Elemental composition analysis
    3.3 Magnetic and electrical properties
4 Conclusions


【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]襯底溫度對(duì)CuCrO2薄膜結(jié)構(gòu)及光電性能的影響[J]. 趙學(xué)平,張銘,白樸存,侯小虎,劉飛,嚴(yán)輝.  中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào). 2019(02)



本文編號(hào):3479782

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