復(fù)合過渡金屬氧化物納米顆粒的功能調(diào)制
發(fā)布時(shí)間:2021-11-06 09:21
過渡金屬氧化物因?yàn)榫哂卸喾N價(jià)態(tài)和電子組態(tài),使其擁有豐富、優(yōu)異的物理和化學(xué)性能,而擁有納米結(jié)構(gòu)的過渡金屬氧化物納米材料更是具有許多材料都不具備的獨(dú)特性能。因此,過渡金屬氧化物納米材料在電子器件、催化、傳感器、磁存儲(chǔ)、能源存儲(chǔ)等眾多領(lǐng)域都有極為廣泛的應(yīng)用前景,同時(shí)在全球范圍內(nèi)也引起了不少專家學(xué)者地密切關(guān)注。然而,由于納米粒子之間會(huì)受到化學(xué)鍵力、氫鍵作用力、毛細(xì)管作用力以及分子間作用力的影響,極其容易發(fā)生團(tuán)聚現(xiàn)象。因此,想要獲得單分散的過渡金屬氧化物納米顆粒,并使納米顆粒在基體中均勻地分散開來,這是目前來說非常棘手卻又不得不必須面對(duì)的難題。最近,筆者通過研究發(fā)現(xiàn)將過渡金屬氧化物納米粒子鑲嵌在固態(tài)基質(zhì)中,可以很好地避免納米顆粒出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象。不僅如此,我們還發(fā)現(xiàn)這種嵌入式的納米顆粒在其生長(zhǎng)過程中會(huì)受到周圍基質(zhì)材料對(duì)其施加的應(yīng)變作用。這種應(yīng)變作用不僅會(huì)對(duì)基質(zhì)中的過渡金屬氧化物納米顆粒的微觀結(jié)構(gòu)以及物理化學(xué)性能造成一定的影響,還會(huì)使材料的磁學(xué)性能發(fā)生較大地改變。盡管多年來具有納米結(jié)構(gòu)的過渡金屬氧化物材料被大量地研究,但是這種復(fù)合型納米材料的磁學(xué)性能與材料本身的元素構(gòu)成、形貌結(jié)構(gòu)以及尺寸大小等許多方面...
【文章來源】:江西師范大學(xué)江西省
【文章頁數(shù)】:144 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
掃描隧道顯微鏡實(shí)物圖
圖 1-1:掃描隧道顯微鏡實(shí)物圖,科學(xué)家們?cè)诩夹g(shù)上實(shí)現(xiàn)了對(duì)單個(gè)原子的控制與操作。例究中心 Eigler 研究小組就成功通過 STM 移動(dòng)了吸附在鎳這些氙原子排出了“IBM”圖案[12],如圖 1-2 所示。
顯示了 STM 將吸附在 Cu 表面上的 Fe 原子逐個(gè)移動(dòng)并排;(e)在圓形量子?xùn)艡趦?nèi)呈電子云密度分布的駐波形態(tài)的研究人員還通過 STM 在銅表面上成功地用鐵原子今世上最小的漢字,如圖 1-4 所示。 1-4:通過 STM 在 Cu 表面上用 Fe 原子寫下“原子”文字
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]金屬氧化物納米材料的設(shè)計(jì)與合成策略(英文)[J]. 孫子其,廖婷,寇良志. Science China Materials. 2017(01)
[2]埋嵌在超薄Al2O3薄膜中的Ni納米顆粒在生長(zhǎng)過程中的應(yīng)變場(chǎng)分布[J]. 張求龍,江子雄,袁彩雷,張振榮. 中國科學(xué):物理學(xué) 力學(xué) 天文學(xué). 2012(07)
[3]埋置量子點(diǎn)應(yīng)力分布的有限元分析[J]. 周旺民,蔡承宇,王崇愚,尹姝媛. 物理學(xué)報(bào). 2009(08)
[4]Ge/Si半導(dǎo)體量子點(diǎn)的應(yīng)變分布與平衡形態(tài)[J]. 蔡承宇,周旺民. 物理學(xué)報(bào). 2007(08)
[5]ANSYS軟件及其使用[J]. 趙恒華,高興軍. 制造業(yè)自動(dòng)化. 2004(05)
[6]磁流體在醫(yī)藥中的應(yīng)用進(jìn)展[J]. 羅新,方裕勛,陳建新. 華東地質(zhì)學(xué)院學(xué)報(bào). 2003(04)
[7]金屬氧化物納米材料的制備新進(jìn)展[J]. 唐波,葛介超,王春先,張國英,吳長(zhǎng)舉,舒春英. 化工進(jìn)展. 2002(10)
[8]膜活性肽在胞內(nèi)靶向給藥系統(tǒng)中的應(yīng)用[J]. 孫遜,張志榮. 藥學(xué)學(xué)報(bào). 2002(08)
[9]ANSYS有限元分析與20節(jié)點(diǎn)塊單元[J]. 趙先瓊,楊曉紅. 岳陽師范學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2001(03)
[10]新型磁性親和載體的制備及其對(duì)溶菌酶的吸附[J]. 陳捷,薛博,白姝. 天津大學(xué)學(xué)報(bào). 2001(01)
本文編號(hào):3479576
【文章來源】:江西師范大學(xué)江西省
【文章頁數(shù)】:144 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
掃描隧道顯微鏡實(shí)物圖
圖 1-1:掃描隧道顯微鏡實(shí)物圖,科學(xué)家們?cè)诩夹g(shù)上實(shí)現(xiàn)了對(duì)單個(gè)原子的控制與操作。例究中心 Eigler 研究小組就成功通過 STM 移動(dòng)了吸附在鎳這些氙原子排出了“IBM”圖案[12],如圖 1-2 所示。
顯示了 STM 將吸附在 Cu 表面上的 Fe 原子逐個(gè)移動(dòng)并排;(e)在圓形量子?xùn)艡趦?nèi)呈電子云密度分布的駐波形態(tài)的研究人員還通過 STM 在銅表面上成功地用鐵原子今世上最小的漢字,如圖 1-4 所示。 1-4:通過 STM 在 Cu 表面上用 Fe 原子寫下“原子”文字
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]金屬氧化物納米材料的設(shè)計(jì)與合成策略(英文)[J]. 孫子其,廖婷,寇良志. Science China Materials. 2017(01)
[2]埋嵌在超薄Al2O3薄膜中的Ni納米顆粒在生長(zhǎng)過程中的應(yīng)變場(chǎng)分布[J]. 張求龍,江子雄,袁彩雷,張振榮. 中國科學(xué):物理學(xué) 力學(xué) 天文學(xué). 2012(07)
[3]埋置量子點(diǎn)應(yīng)力分布的有限元分析[J]. 周旺民,蔡承宇,王崇愚,尹姝媛. 物理學(xué)報(bào). 2009(08)
[4]Ge/Si半導(dǎo)體量子點(diǎn)的應(yīng)變分布與平衡形態(tài)[J]. 蔡承宇,周旺民. 物理學(xué)報(bào). 2007(08)
[5]ANSYS軟件及其使用[J]. 趙恒華,高興軍. 制造業(yè)自動(dòng)化. 2004(05)
[6]磁流體在醫(yī)藥中的應(yīng)用進(jìn)展[J]. 羅新,方裕勛,陳建新. 華東地質(zhì)學(xué)院學(xué)報(bào). 2003(04)
[7]金屬氧化物納米材料的制備新進(jìn)展[J]. 唐波,葛介超,王春先,張國英,吳長(zhǎng)舉,舒春英. 化工進(jìn)展. 2002(10)
[8]膜活性肽在胞內(nèi)靶向給藥系統(tǒng)中的應(yīng)用[J]. 孫遜,張志榮. 藥學(xué)學(xué)報(bào). 2002(08)
[9]ANSYS有限元分析與20節(jié)點(diǎn)塊單元[J]. 趙先瓊,楊曉紅. 岳陽師范學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2001(03)
[10]新型磁性親和載體的制備及其對(duì)溶菌酶的吸附[J]. 陳捷,薛博,白姝. 天津大學(xué)學(xué)報(bào). 2001(01)
本文編號(hào):3479576
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