隨著高分子和納米科學(xué)的進步,聚合物基納米復(fù)合材料在許多應(yīng)用場合已經(jīng)引起了廣泛的關(guān)注。對于一般領(lǐng)域而言,聚合物納米復(fù)合材料的力學(xué)性能、熱穩(wěn)定性和阻燃行為是最受人們關(guān)心的。由于其特殊的幾何特征,二維納米材料在增強聚合物材料領(lǐng)域正得到越來越多的重視。較低含量二維填料的添加往往會使聚合物材料的力學(xué)和熱學(xué)性能得到顯著的提升,此外相比于傳統(tǒng)阻燃劑,二維阻燃填料也表現(xiàn)出了更高的阻燃效率。來源于輝鉬礦的二維二硫化鉬（MoS₂）在許多領(lǐng)域已被研究了數(shù)十年之久,其在很多領(lǐng)域的應(yīng)用都嚴重依賴于其所具有的單分子層厚度和薄片狀結(jié)構(gòu)。得益于其二維形貌特征、固有的高強度和突出的熱性能,二維MoS₂被認為是一種極具潛力的用來增強高分子材料力學(xué)性能、熱穩(wěn)定性和阻燃性能的納米添加劑。最基本的,如何大量制備二維MoS₂并提高其與材料基體間的相容性是獲得高性能聚合物/二維MoS₂納米復(fù)合材料的關(guān)鍵。因此,開發(fā)適用于制得聚合物/二維MoS₂納米復(fù)合材料的方法以及系統(tǒng)地研究所得復(fù)合材料的性能便顯得尤為重要。在本論文中,首... 

【文章來源】：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：145 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖１．１?（ａ）?ＭｏＳ２的三維結(jié)構(gòu)示意圖．（ｂ）?ＭｏＳ２的三種不同構(gòu)型示意圖：??２Ｈ?（ｈｅｘａｇｏｎａｌ?ｓｙｍｍｅｔｒｙ），?３Ｒ?（ｒｈｏｍｂｏｈｅｄｒａｌ?ｓｙｍｍｅｔｒｙ）?ａｎｄ?ＩＴ?（ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ?ｓｙｍｍｅｔｒｙ）［ｌ］

有六個Ｓ原子與之配位。每個Ｓ原子都在三棱柱的頂角上并且和三個Ｍｏ原子配??位。這種相互連接的三棱柱便形成了?ＭｏＳ２的層狀結(jié)構(gòu)，像三明治結(jié)構(gòu)一樣，其??中鑰原子被夾在了硫原子層間［１］（如圖１．１所示）。由于層間較弱的范德華結(jié)合??力，像石墨烯一樣，二維ＭｏＳ２也可以采用機械剝離的方式從塊狀ＭｏＳ２上直接??剝離獲得。得益于其高度的各向異性和獨特的晶體結(jié)構(gòu)，二維Ｍ０Ｓ２的有些特性??可以通過改變尺寸、插入雜原子或形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)來調(diào)節(jié)。??⑷?ｙ＾ｍｍ??ｙｍｍ＆??ｒｂ）??ｎｒＴＴＴｆ?＂ＦＴＦＩ?．ＴＴＴ??ｃ?ＡＡ．?￡?Ｌ．；卜彳??〇?分－〇?ｒｔｒａｉｍｈｈｏ??．．ｔｎ?：?ｎ??ｌＳｍ?ｉ?■??２Ｈ?＾?＾？?Ｍｏ??．ｆ－．?３Ｒ??圖１．１?（ａ）?ＭｏＳ２的三維結(jié)構(gòu)示意圖．（ｂ）?ＭｏＳ２的三種不同構(gòu)型示意圖：??２Ｈ?（ｈｅｘａｇｏｎａｌ?ｓｙｍｍｅｔｒｙ），?３Ｒ?（ｒｈｏｍｂｏｈｅｄｒａｌ?ｓｙｍｍｅｔｒｙ）?ａｎｄ?ＩＴ?（ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ?ｓｙｍｍｅｔｒｙ）［ｌ］。??１．２．２二維二硫化鉬的制備方法??為了滿足二維Ｍ〇Ｓ２研宄和應(yīng)用的需求，發(fā)展一種高效制備二維Ｍ〇Ｓ２的方??法是最為關(guān)鍵且重要的一步。為了獲得其最優(yōu)的性能特質(zhì)，研究者己嘗試了多種??方法來實現(xiàn)二維ＭｏＳ２的制備。人們基于塊狀二硫化鉬采用了一系列自上而下的??的剝離方法去制備ＭｏＳ２片層，例如在液相中直接超聲剝離、化學(xué)插層法剝離、??剪切玻璃和電化學(xué)剝離等。另一方面

厚度的ＴＭＤ片［９］。串聯(lián)分子插層法同時需要兩種路易斯酸作為插層劑，首先利??用短鏈的插層引發(fā)劑來擴大ＴＭＤ的層間距，然后再利用長鏈的插層劑插入ＴＭＤ??層間從而克服層間吸引力使其達到無序化的剝離狀態(tài)（圖１．４所示）。通過選擇??合適的插層劑，利用此方法第四族、第五族、第六族的ＴＭＤ納米片層均己經(jīng)被??成功制備得到。??４??


本文編號：3470571