塑料制品大多數(shù)是電絕緣材料,使用時(shí)通過摩擦等相互作用易產(chǎn)生靜電導(dǎo)致電荷積累,最終產(chǎn)生電火花；同時(shí)塑料產(chǎn)品屬于易燃品,管理不當(dāng),將會(huì)引起較大的火災(zāi),給人類生活帶來較大隱患。因此,消除這些安全隱患開拓塑料產(chǎn)品的應(yīng)用范圍,應(yīng)當(dāng)對(duì)塑料制備的抗靜電性能及阻燃性能適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行改性。本課題分別用馬來酸酐接枝的高密度聚乙烯（MA-HDPE）和高密度聚乙烯（HDPE）作為基體,以超騫石墨、聚乙烯亞胺（PEI）功能化的還原氧化石墨烯（PEI-RGO）為導(dǎo)電填料,溴化聚苯乙烯（BPS）作為阻燃填料制備導(dǎo)電阻燃的雙抗復(fù)合材料。本課題的主要對(duì)以下幾個(gè)方面進(jìn)行研究：1.PEI功能化RGO首先通過Hummer法將天然石墨進(jìn)行氧化處理使其表面具有大量的含氧官能團(tuán),得到氧化石墨烯（GO）。然后用樹枝狀的PEI修飾還原GO,PEI上含有大量的氨基可以與GO上的羧基發(fā)生酰胺化反應(yīng),還可以與環(huán)氧基團(tuán)發(fā)生親和取代反應(yīng),PEI以共價(jià)鍵的形式接枝于GO表面,再通過水合肼進(jìn)一步還原獲得PEI-RGO導(dǎo)電填料。結(jié)果表明PEI很好的接枝在GO表面,提高了GO的熱穩(wěn)定性,同時(shí)還增大了GO的片層間距,使PEI-RGO更好的分散于基體中;通過水... 

【文章來源】：北京化工大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：87 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－１材料的表面電阻及應(yīng)用范圍??Ｆｉｇ．?１－１?Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，化ｅｉｒ?ｓｕｒｆａｃｅ?ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ?ａｎｄ?ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ?ｒａｎｇｅｓ??

體積分?jǐn)?shù)等ｔｓｓｉ。但是，沒有一個(gè)理論模型能夠解釋所有的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，甚至這些模型??都不能對(duì)不同工藝參數(shù)影響滲濾現(xiàn)象做出較好的解釋。??根據(jù)圖１－５，復(fù)合材料電導(dǎo)率有Ｈ個(gè)變化階段；填料含量較低時(shí)，導(dǎo)電顆粒像??小島一樣分散在絕緣聚合物基體中，這一階段復(fù)合材料的電導(dǎo)率接近于該基體的電??導(dǎo)率。導(dǎo)電填料含量進(jìn)一步增加，填料在基體中顯得擁擠，填料間可能開始相互接??觸，在臨界體積分?jǐn)?shù)及滲透巧值時(shí)，大部分填料與相鄰的顆粒相互接觸，從而形成??持續(xù)的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，電荷能夠在填料間進(jìn)行傳遞。?－??１０??

特征峰由Ａｉｇ對(duì)稱的ｋ－點(diǎn)光子振動(dòng)產(chǎn)生的Ｄ峰（１３５０ｃｍ－ｉ處）。換句話說Ｇ峰代表??石墨化程度，Ｄ峰代表缺陷。??圖２－３是ＧＯ、ＰＥＭ３０、ＰＥＭＩＧＯ的拉曼光譜，根據(jù)文獻(xiàn)可知，天然石墨只存??在Ｇ峰，出現(xiàn)在１５８１?ｃｍ－ｉ處，這是由石墨晶格面內(nèi)振動(dòng)導(dǎo)致的，經(jīng)過Ｈ法氧化后，??ＧＯ的Ｇ巧出現(xiàn)在１５９６?ｃｍ－ｉ處，這是由于經(jīng)過Ｈ法氧化后，孤電子對(duì)在更高頻率??下發(fā)生了巧振？?ＧＯ在１３５３?ｃｍ－ｉ處出現(xiàn)Ｄ峰，這是由于氧化反應(yīng)產(chǎn)生大量的含氧官??能團(tuán)，導(dǎo)致ｓｐ２區(qū)域的尺寸減小，產(chǎn)生更多的缺略。通過ＰＥＩ修飾還原ＧＯ，?Ｐ化ＧＯ??的Ｄ峰和Ｇ峰分別在１３５３和１５９０?ｃｍ－ｉ處出現(xiàn)，除此之外，ＰＥＩ－ＧＯ的Ｄ峰和Ｇ峰??分別在１３Ｗ和１５８２?ｃｍ－ｉ處出現(xiàn)：因此我們可Ｗ看出ＧＯ、ＰＥレＧＯ和把Ｉ－ＲＧＯ的Ｇ??峰依次從１５９５?ｃｍ－ｉ藍(lán)移至１５９０和１５８２ｃｍ－ｉ說明Ｐ化ＲＧＯ的Ｇ峰更接近天然石墨??２６??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]溴代聚苯乙烯阻燃劑制備方法研究進(jìn)展[J]. 劉治國(guó),王素敏.  河南化工. 2004(01)



本文編號(hào)：3465222