BNFe/環(huán)氧樹(shù)脂磁場(chǎng)取向復(fù)合材料的制備與性能研究
發(fā)布時(shí)間：2021-10-29 05:32
大功率LED工作時(shí)芯片產(chǎn)生的熱量若不能及時(shí)有效的快速散出,將嚴(yán)重影響LED器件的發(fā)光強(qiáng)度、封裝材料的穩(wěn)定性能以及LED的使用壽命等。目前,人們對(duì)于綠色光源照明的需求與日俱增,使得LED的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,但LED的散熱問(wèn)題一直是制約其快速發(fā)展的一大技術(shù)瓶頸。傳統(tǒng)的LED封裝工藝生產(chǎn)過(guò)程中,封裝材料的導(dǎo)熱性能一直備受國(guó)內(nèi)外關(guān)注,但目前封裝材料并不能滿足大功率LED的散熱需求。因此,如何有效的提高封裝材料的導(dǎo)熱性能成為延長(zhǎng)大功率LED使用壽命的關(guān)鍵所在。聚合物基復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能和很多影響因素有關(guān),主要分為導(dǎo)熱微粒和聚合物本身兩個(gè)方面的因素。目前已有的解決封裝材料導(dǎo)熱性能的方法是將導(dǎo)熱微粒填充到聚合物基體當(dāng)中,制備高導(dǎo)熱的聚合物基復(fù)合材料,但材料導(dǎo)熱性能的提升幅度有限。為了有效的提高封裝用聚合物基復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能,本文提出了一種通過(guò)在材料內(nèi)部構(gòu)建熱量傳輸通道的方法改善復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能。文章采用兩種方法處理氮化硼（簡(jiǎn)稱BN）和鐵粉（簡(jiǎn)稱Fe）粒子。方法一:運(yùn)用偶聯(lián)劑干法表面處理氮化硼和鐵粉顆粒制備BN包裹鐵粉的磁性復(fù)合顆粒,然后將磁性復(fù)合顆粒添加在環(huán)氧樹(shù)脂當(dāng)中并置于勻強(qiáng)磁場(chǎng)下固化成型,從而...
【文章來(lái)源】：重慶大學(xué)重慶市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】：55 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【部分圖文】：
LED在不同領(lǐng)域的應(yīng)用情況
重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文 1 緒 論提高材料的導(dǎo)熱性能，從而制備大功率 LED 用高導(dǎo)熱封裝材料。1.2 大功率 LED 散熱問(wèn)題簡(jiǎn)介1.2.1 LED 的發(fā)光機(jī)理與封裝結(jié)構(gòu)LED 是一種能把電能轉(zhuǎn)化為光能的固體器件，基本工作原理是一個(gè)電光轉(zhuǎn)換的過(guò)程，其核心部件為 p-n 結(jié)。當(dāng) LED 被加正向電壓后，電子由 n 區(qū)源源不斷的注入 p 區(qū)，空穴由 p 區(qū)注入 n 區(qū)，進(jìn)入對(duì)方區(qū)域的少數(shù)載流子一部分與多數(shù)載流子復(fù)合而發(fā)光，如圖 1.2a 所示。當(dāng)能量源源不斷地從相對(duì)的方向?qū)⒋罅康亩鄶?shù)空穴載流子與大量的多數(shù)電子載流子分別注入 p-n 結(jié)后，在 p-n 結(jié)中大量的空穴-電子載流子復(fù)合時(shí)會(huì)把多余的能量以光的形式釋放出來(lái)，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能[5-7]。圖 1.2b 和 1.2c 分別為垂直和水平結(jié)構(gòu) LED 芯片[8]。
易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，并且封裝的可靠性高如圖1.3a 所示；相比 SMT 封裝，COB 封裝更適用多個(gè) LED 芯片、陣列式封裝于同一基板上如圖 1.3b 所示。圖 1.3 兩種典型的大功率 LED 封裝結(jié)構(gòu)Figure 1.3 Two classical package structures of high power LED1.2.2 LED 散熱問(wèn)題概述由于發(fā)光二極管是一種注入電致發(fā)光器件，在外加電場(chǎng)作用下時(shí)， 電子與空穴通過(guò)輻射復(fù)合而發(fā)生的電致作用將能量的 10%-15%轉(zhuǎn)化為光能(量子效應(yīng))，而無(wú)輻射復(fù)合產(chǎn)生的晶格振蕩將剩余 85%-90%的能量轉(zhuǎn)化為熱能[11, 12]。對(duì)一個(gè)工作狀態(tài)下的 LED 而言，如果產(chǎn)生熱量集中在有源面積很小的芯片之內(nèi)不能快速有效散出，則會(huì)導(dǎo)致芯片結(jié)溫迅速升高。結(jié)溫作為 LED 器件的一個(gè)重要參數(shù)，對(duì) LED 的光通量、器件性能衰變、發(fā)光波長(zhǎng)及正向電壓等性能均有重要的影響。如若 LED芯片結(jié)溫升高，隨之引起熱應(yīng)力的非均勻分布，將會(huì)導(dǎo)致芯片的發(fā)光效率和熒光
本文編號(hào)：3464062
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【文章頁(yè)數(shù)】：55 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【部分圖文】：
LED在不同領(lǐng)域的應(yīng)用情況
重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文 1 緒 論提高材料的導(dǎo)熱性能，從而制備大功率 LED 用高導(dǎo)熱封裝材料。1.2 大功率 LED 散熱問(wèn)題簡(jiǎn)介1.2.1 LED 的發(fā)光機(jī)理與封裝結(jié)構(gòu)LED 是一種能把電能轉(zhuǎn)化為光能的固體器件，基本工作原理是一個(gè)電光轉(zhuǎn)換的過(guò)程，其核心部件為 p-n 結(jié)。當(dāng) LED 被加正向電壓后，電子由 n 區(qū)源源不斷的注入 p 區(qū)，空穴由 p 區(qū)注入 n 區(qū)，進(jìn)入對(duì)方區(qū)域的少數(shù)載流子一部分與多數(shù)載流子復(fù)合而發(fā)光，如圖 1.2a 所示。當(dāng)能量源源不斷地從相對(duì)的方向?qū)⒋罅康亩鄶?shù)空穴載流子與大量的多數(shù)電子載流子分別注入 p-n 結(jié)后，在 p-n 結(jié)中大量的空穴-電子載流子復(fù)合時(shí)會(huì)把多余的能量以光的形式釋放出來(lái)，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能[5-7]。圖 1.2b 和 1.2c 分別為垂直和水平結(jié)構(gòu) LED 芯片[8]。
易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，并且封裝的可靠性高如圖1.3a 所示；相比 SMT 封裝，COB 封裝更適用多個(gè) LED 芯片、陣列式封裝于同一基板上如圖 1.3b 所示。圖 1.3 兩種典型的大功率 LED 封裝結(jié)構(gòu)Figure 1.3 Two classical package structures of high power LED1.2.2 LED 散熱問(wèn)題概述由于發(fā)光二極管是一種注入電致發(fā)光器件，在外加電場(chǎng)作用下時(shí)， 電子與空穴通過(guò)輻射復(fù)合而發(fā)生的電致作用將能量的 10%-15%轉(zhuǎn)化為光能(量子效應(yīng))，而無(wú)輻射復(fù)合產(chǎn)生的晶格振蕩將剩余 85%-90%的能量轉(zhuǎn)化為熱能[11, 12]。對(duì)一個(gè)工作狀態(tài)下的 LED 而言，如果產(chǎn)生熱量集中在有源面積很小的芯片之內(nèi)不能快速有效散出，則會(huì)導(dǎo)致芯片結(jié)溫迅速升高。結(jié)溫作為 LED 器件的一個(gè)重要參數(shù)，對(duì) LED 的光通量、器件性能衰變、發(fā)光波長(zhǎng)及正向電壓等性能均有重要的影響。如若 LED芯片結(jié)溫升高，隨之引起熱應(yīng)力的非均勻分布，將會(huì)導(dǎo)致芯片的發(fā)光效率和熒光
本文編號(hào)：3464062
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