金剛石/銅復(fù)合材料因具有高導(dǎo)熱、低熱膨脹、各向同性等優(yōu)點(diǎn),作為新一代電子封裝材料得到世界范圍內(nèi)的廣泛關(guān)注。本論文針對金剛石/銅復(fù)合材料存在界面結(jié)合強(qiáng)度低和金剛石顆粒分布不均勻等難點(diǎn),提出采用雙鍍層金剛石顆粒結(jié)合冷壓真空液相燒結(jié)的方法來制備高性能金剛石/銅復(fù)合材料。重點(diǎn)研究了金剛石表面鍍碳化物和化學(xué)鍍銅對復(fù)合材料顯微組織、界面結(jié)合、熱物理性能以及力學(xué)性能的改善,制備了具有高體分、高性能的金剛石/銅復(fù)合材料,研究表明:采用鹽浴法在金剛石表面鍍Mo、W以及磁控濺射法在金剛石表面鍍Zr對金剛石進(jìn)行表面改性可有效提高金剛石與銅基體的潤濕性。在1000℃反應(yīng)20～60min進(jìn)行鍍Mo,MoO₃粉末與金剛石表面反應(yīng)被還原為低價(jià)態(tài)的MoO₂,隨著反應(yīng)過程中MoO₂完全反應(yīng)生成Mo₂C后,在金剛石表面形成一層均勻連續(xù)的Mo₂C鍍層。在1050℃反應(yīng)10～30min進(jìn)行鍍W,W0₃被還原為低價(jià)態(tài)的W0₂,隨著反應(yīng)的進(jìn)行逐漸生成W、W₂

【文章來源】：北京科技大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：138 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖２－１電子封裝材料的熱導(dǎo)率與熱膨脹系數(shù)對比—??Ｆｉｇ．?２－１?Ｔｈｅ?ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ?ｏｆ?ＴＣ?ａｎｄ?ＣＴＥ?ｏｆ?ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ?ｐａｃｋａｇｉｎｇ?ｍａｔｅｒｉａｌｓ１２３１??

?２．３．１?ＳＰＳ燒結(jié)法??ＳＰＳ（Ｓｐａｒｋ?ｐｌａｓｍａ?ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）燒結(jié)工藝，即放電等離子燒結(jié)，如圖２－３所示。??采用高能脈沖電流在粉體間產(chǎn)生瞬間等離子放電，當(dāng)脈沖電流通過裝載粉體，??可以激發(fā)粉體表面，產(chǎn)生局部放電，等離子體擊穿粉體間殘余孔隙，在保壓??的同時(shí)持續(xù)加熱，從而對粉末顆粒進(jìn)行快速燒結(jié)成形，整個(gè)過程通過放電活??化、熱塑變形、燒結(jié)致密、冷卻降溫而得到復(fù)合材料。如圖２－４所示，為燒??結(jié)過程紅外熱圖像。ＳＰＳ燒結(jié)也屬于粉末冶金法，但與傳統(tǒng)粉末燒結(jié)法相比，??ＳＰＳ燒結(jié)克服了粉體顆粒間沒有主動作用力的缺點(diǎn)，整個(gè)成形過程具有燒結(jié)??溫度更低，燒結(jié)時(shí)間更短，組織結(jié)構(gòu)可控、節(jié)能環(huán)保的優(yōu)勢［１０４，１Ｑ５】。也可用于??制備梯度功能材料。該方法制備復(fù)合材料的缺點(diǎn)是材料致密度略低

Ｆｉｇ．?２－５?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ?ａｕｘｉｌｉａｒｙ?ｐｒｅｓｓｕｒｅ?ｉｎｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ??ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ１１４１１??如圖２－５所示，為機(jī)械輔助壓力熔滲示意圖。真空壓力熔滲采用機(jī)械加??－１８－??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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本文編號：3459777