[BMIm][BF 4 ]-EtOH體系電沉積CIGS薄膜的工藝與共沉積行為
發(fā)布時(shí)間:2021-10-25 16:22
CuIn1-x-x GaxSe2(CIGS)薄膜太陽(yáng)能電池具有效率高、禁帶寬度可調(diào)、穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)等突出優(yōu)點(diǎn),且與其他太陽(yáng)能電池相比價(jià)格低廉、性能良好并節(jié)省物料,將成為未來(lái)太陽(yáng)能電池發(fā)展的一個(gè)重要方向。目前,CIGS薄膜制備方法的高能耗、高成本問(wèn)題是限制其大規(guī)模應(yīng)用的突出瓶頸。因此,研究低能耗、低成本的CIGS薄膜制備方法具有非常重要的理論意義與實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。本論文采用1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽([BMIm][BF4])與乙醇(Et OH)混合成的[BMIm][BF4]-Et OH體系用于電沉積法制備CIGS薄膜,研究[BMIm][BF4]-Et OH混合體系的性質(zhì)、電解液中Et OH含量對(duì)電沉積CIGS薄膜性質(zhì)的影響、混合電解液中CIGS薄膜的電沉積工藝及三維有序大孔(3DOM)的CIGS薄膜的電沉積工藝,并對(duì)混合電解液中乙醇對(duì)CIGS的共沉積機(jī)制影響及聚苯乙烯微球模板(PS)對(duì)CIGS的電化學(xué)行為的影響進(jìn)行了探討。[BMIm][BF
【文章來(lái)源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:146 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
四方黃銅礦CIGS晶胞的晶體結(jié)構(gòu)
哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位論文 1-2 是 CIGS 薄膜太陽(yáng)能電池的示意圖,其結(jié)構(gòu)從下至上為襯底/背電收層 p-CIGS/緩沖層 n-CdS/窗口層 i-ZnO/窗口層 ZnO:Al/防反射層 Mg Ni-Al。在此種結(jié)構(gòu)下,光通過(guò)窗口層進(jìn)入電池的 p-n 結(jié),即 p-CIGSdS 層之間。在 p-n 結(jié)的內(nèi)建電場(chǎng)作用下,擴(kuò)散區(qū)域內(nèi)的電子從 p 型吸 n 型緩沖層,被 n 型緩沖層收集形成電子過(guò)剩區(qū);同樣地,空穴從 n流到 p 型吸收層,并被 p 型吸收層收集形成空穴過(guò)剩區(qū)。這樣形成了正 n 型區(qū)為負(fù)的光生電動(dòng)勢(shì),當(dāng)通路接入負(fù)載后便可形成光生電流。
Acro 公司發(fā)展成為西門(mén)子太陽(yáng)能公司。1989 年至 199保持著 CIS 薄膜太陽(yáng)能電池組件的最高轉(zhuǎn)換效率。而法也成為現(xiàn)今工業(yè)上兩種主流的 CIS 薄膜的制備技術(shù)美國(guó)新能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)通過(guò)摻入 Ga 得到了最高轉(zhuǎn)S 薄膜太陽(yáng)電池[17]。這期間,也有很多公司開(kāi)始跟進(jìn) C德國(guó)的可再生能源實(shí)驗(yàn)室(ZSW)、美國(guó)的 Global Solar 等。于是,一些突破性的技術(shù)也不斷被研究開(kāi)發(fā)出來(lái): CIGS,Na 摻雜、使用薄 CdS 層代替厚 CdS 緩沖層、使作為窗口層提高電池轉(zhuǎn)換效率等,這些技術(shù)不斷推動(dòng)著的研究向前發(fā)展。2011 年,ZSW 采用共蒸發(fā)方法制備膜太陽(yáng)能電池的電池效率突了 20%[18]。2014 年 2 月,Z到了 20.8%[19]。而僅十個(gè)月后,ZSW 再次刷新紀(jì)錄,了 21.7%[20]。CIGS 薄膜太陽(yáng)能電池技術(shù)一直在高速發(fā)商品化環(huán)節(jié)。[21]統(tǒng)計(jì)了 CIGS 薄膜太陽(yáng)能電池實(shí)驗(yàn)室內(nèi)最佳轉(zhuǎn)換效率3 所示。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Cu(In,Ga)Se2 absorbers prepared by electrodeposition for low-cost thin-film solar cells[J]. Jing-Yu Qu,Zheng-Fei Guo,Kun Pan,Wei-Wei Zhang,Xue-Jin Wang. Rare Metals. 2017(09)
[2]退火溫度對(duì)銅銦鎵硒薄膜電學(xué)性能的影響[J]. 歐陽(yáng)良琦,趙明,莊大明,孫汝軍,郭力,李曉龍,曹明杰. 材料研究學(xué)報(bào). 2014(10)
[3]濺射后硒化法制備的CIGS薄膜中Ga元素?cái)U(kuò)散研究[J]. 毛啟楠,張曉勇,李學(xué)耕,賀勁鑫,于平榮,王東. 物理學(xué)報(bào). 2014(11)
[4]以乙醇作溶劑電沉積制備CIGS薄膜[J]. 王信春,胡彬彬,王廣君,楊光紅,萬(wàn)紹明,杜祖亮. 物理化學(xué)學(xué)報(bào). 2011(12)
[5]Cu(In,Ga)Se2薄膜的制備及其表征(英文)[J]. 崔艷峰,袁聲召,王善力,胡古今,褚君浩. 紅外與毫米波學(xué)報(bào). 2011(03)
[6]Se量對(duì)CIGS薄膜的結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)的影響[J]. 李文科,唐振方. 材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào). 2010(03)
[7]一步法電化學(xué)沉積Cu(In1-x,Gax)Se2薄膜的特性[J]. 敖建平,孫國(guó)忠,閆禮,康峰,楊亮,何青,周志強(qiáng),李鳳巖,孫云. 物理化學(xué)學(xué)報(bào). 2008(06)
[8]離子液體中電沉積制備鈷納米線陣列[J]. 楊培霞,安茂忠,蘇彩娜,王福平. 無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào). 2007(09)
[9]Cu(In,Ga)Se2薄膜電沉積制備及性能研究[J]. 夏冬林,徐慢,李建莊,趙修建. 人工晶體學(xué)報(bào). 2006(05)
[10]Cu(In,Ga)3Se5薄膜結(jié)構(gòu)的Raman研究[J]. 徐傳明,許小亮,徐軍,楊曉杰,左健,黨學(xué)明,馮葉,黃文浩,劉洪圖. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2004(11)
本文編號(hào):3457769
【文章來(lái)源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:146 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
四方黃銅礦CIGS晶胞的晶體結(jié)構(gòu)
哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位論文 1-2 是 CIGS 薄膜太陽(yáng)能電池的示意圖,其結(jié)構(gòu)從下至上為襯底/背電收層 p-CIGS/緩沖層 n-CdS/窗口層 i-ZnO/窗口層 ZnO:Al/防反射層 Mg Ni-Al。在此種結(jié)構(gòu)下,光通過(guò)窗口層進(jìn)入電池的 p-n 結(jié),即 p-CIGSdS 層之間。在 p-n 結(jié)的內(nèi)建電場(chǎng)作用下,擴(kuò)散區(qū)域內(nèi)的電子從 p 型吸 n 型緩沖層,被 n 型緩沖層收集形成電子過(guò)剩區(qū);同樣地,空穴從 n流到 p 型吸收層,并被 p 型吸收層收集形成空穴過(guò)剩區(qū)。這樣形成了正 n 型區(qū)為負(fù)的光生電動(dòng)勢(shì),當(dāng)通路接入負(fù)載后便可形成光生電流。
Acro 公司發(fā)展成為西門(mén)子太陽(yáng)能公司。1989 年至 199保持著 CIS 薄膜太陽(yáng)能電池組件的最高轉(zhuǎn)換效率。而法也成為現(xiàn)今工業(yè)上兩種主流的 CIS 薄膜的制備技術(shù)美國(guó)新能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)通過(guò)摻入 Ga 得到了最高轉(zhuǎn)S 薄膜太陽(yáng)電池[17]。這期間,也有很多公司開(kāi)始跟進(jìn) C德國(guó)的可再生能源實(shí)驗(yàn)室(ZSW)、美國(guó)的 Global Solar 等。于是,一些突破性的技術(shù)也不斷被研究開(kāi)發(fā)出來(lái): CIGS,Na 摻雜、使用薄 CdS 層代替厚 CdS 緩沖層、使作為窗口層提高電池轉(zhuǎn)換效率等,這些技術(shù)不斷推動(dòng)著的研究向前發(fā)展。2011 年,ZSW 采用共蒸發(fā)方法制備膜太陽(yáng)能電池的電池效率突了 20%[18]。2014 年 2 月,Z到了 20.8%[19]。而僅十個(gè)月后,ZSW 再次刷新紀(jì)錄,了 21.7%[20]。CIGS 薄膜太陽(yáng)能電池技術(shù)一直在高速發(fā)商品化環(huán)節(jié)。[21]統(tǒng)計(jì)了 CIGS 薄膜太陽(yáng)能電池實(shí)驗(yàn)室內(nèi)最佳轉(zhuǎn)換效率3 所示。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Cu(In,Ga)Se2 absorbers prepared by electrodeposition for low-cost thin-film solar cells[J]. Jing-Yu Qu,Zheng-Fei Guo,Kun Pan,Wei-Wei Zhang,Xue-Jin Wang. Rare Metals. 2017(09)
[2]退火溫度對(duì)銅銦鎵硒薄膜電學(xué)性能的影響[J]. 歐陽(yáng)良琦,趙明,莊大明,孫汝軍,郭力,李曉龍,曹明杰. 材料研究學(xué)報(bào). 2014(10)
[3]濺射后硒化法制備的CIGS薄膜中Ga元素?cái)U(kuò)散研究[J]. 毛啟楠,張曉勇,李學(xué)耕,賀勁鑫,于平榮,王東. 物理學(xué)報(bào). 2014(11)
[4]以乙醇作溶劑電沉積制備CIGS薄膜[J]. 王信春,胡彬彬,王廣君,楊光紅,萬(wàn)紹明,杜祖亮. 物理化學(xué)學(xué)報(bào). 2011(12)
[5]Cu(In,Ga)Se2薄膜的制備及其表征(英文)[J]. 崔艷峰,袁聲召,王善力,胡古今,褚君浩. 紅外與毫米波學(xué)報(bào). 2011(03)
[6]Se量對(duì)CIGS薄膜的結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)的影響[J]. 李文科,唐振方. 材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào). 2010(03)
[7]一步法電化學(xué)沉積Cu(In1-x,Gax)Se2薄膜的特性[J]. 敖建平,孫國(guó)忠,閆禮,康峰,楊亮,何青,周志強(qiáng),李鳳巖,孫云. 物理化學(xué)學(xué)報(bào). 2008(06)
[8]離子液體中電沉積制備鈷納米線陣列[J]. 楊培霞,安茂忠,蘇彩娜,王福平. 無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào). 2007(09)
[9]Cu(In,Ga)Se2薄膜電沉積制備及性能研究[J]. 夏冬林,徐慢,李建莊,趙修建. 人工晶體學(xué)報(bào). 2006(05)
[10]Cu(In,Ga)3Se5薄膜結(jié)構(gòu)的Raman研究[J]. 徐傳明,許小亮,徐軍,楊曉杰,左健,黨學(xué)明,馮葉,黃文浩,劉洪圖. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2004(11)
本文編號(hào):3457769
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/3457769.html
最近更新
教材專著