CIGS異質(zhì)結(jié)中的側(cè)向雙極性光電阻效應(yīng)及其在光位敏探測器和存儲器中的應(yīng)用(英文)
發(fā)布時間:2021-10-22 16:22
CIGS異質(zhì)結(jié)中存在側(cè)向光伏效應(yīng),并且由于光照區(qū)域和非光照區(qū)域間載流子濃度的不同,會產(chǎn)生擴散運動及擴散流.利用該擴散載流子對外加偏壓下漂移載流子的散射作用,成功實現(xiàn)了側(cè)向光電阻效應(yīng),該效應(yīng)可用于開發(fā)基于光電阻調(diào)控的新型光位敏探測器.該結(jié)構(gòu)側(cè)向光電阻響應(yīng)光譜范圍為330~1150 nm,位置靈敏度達63.26Ωmm-1,非線性度<4.5%,響應(yīng)速度為14.46 ms(上升)和14.52 ms(下降).另外,考慮到不同光照位置處電阻的差異,該效應(yīng)還可用于開發(fā)平面高密度光控的電阻存儲器件.不同位置處電阻大小可通過外加偏壓、光功率密度和光波長等條件進行有效調(diào)控,且均表現(xiàn)出很好的穩(wěn)定性,存儲密度可達1μm.最后,通過載流子擴散和漂移作用模型,對上述現(xiàn)象的產(chǎn)生和調(diào)控機理進行了解釋.該研究提出了基于側(cè)向光電阻調(diào)控的光位敏探測器和存儲器的新方法,揭示了CIGS異質(zhì)結(jié)的一種新應(yīng)用;同時為其他材料或結(jié)構(gòu)在開發(fā)光電阻為基礎(chǔ)的探測和存儲器件方面提供了新思路.
【文章來源】:Science Bulletin. 2020,65(06)EISCICSCD
【文章頁數(shù)】:9 頁
本文編號:3451459
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