SiC顆粒增強(qiáng)A1基復(fù)合材料由于其具有較高的比強(qiáng)度、比剛度、彈性模量、耐磨性和低的密度、較低的熱膨脹系數(shù)等優(yōu)良性能,而被廣泛應(yīng)用于航空、航天、汽車以及電子行業(yè)等領(lǐng)域。作為復(fù)合材料的主要原料,SiC顆粒的顆粒尺寸、純度等,都對(duì)復(fù)合材料的性能有至關(guān)重要的影響。而現(xiàn)有的SiC顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料的制備方法,比如粉末冶金法、攪拌熔鑄法、共噴射沉積法、無(wú)壓熔滲法等,都采用外加SiC顆粒的方法。然而,外加的SiC顆粒有很多的缺點(diǎn)：如SiC顆粒尺寸比較大,易于團(tuán)聚,在金屬中很難均勻分散；SiC顆粒和Al液的潤(rùn)濕性非常差,外加的SiC顆粒表面很容易受到污染等,所以,很容易造成SiC顆粒與金屬基體界面的結(jié)合力差,增強(qiáng)效果不佳。因此,研究人員提出一種原位合成SiC顆粒來(lái)增強(qiáng)A1基復(fù)合材料的方法。原位合成SiC顆粒增強(qiáng)Al基復(fù)合材料相比于外加法合成的復(fù)合材料,增強(qiáng)體在基體內(nèi)部原位生成,增強(qiáng)體與基體的界面結(jié)合良好、界面干凈；合成的SiC顆粒尺寸小,均勻地分布在合金基體中,使增強(qiáng)效果有很好的改善。然而,對(duì)于在金屬Al中原位合成SiC顆粒的研究較少報(bào)道,并且對(duì)原位合成SiC顆粒的機(jī)理也鮮有研究。因此,本課題對(duì)在... 

【文章來(lái)源】：陜西科技大學(xué)陜西省

【文章頁(yè)數(shù)】：67 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

金屬月中合成sic順權(quán)的能講分析圖

陜西科技大學(xué)碩±學(xué)位論文顆粒相互移動(dòng)到一定的距離，高的熱力學(xué)能使ＳｉＣ顆粒之間克服范德華力止ＳｉＣ顆粒之間的團(tuán)聚，因此，ＳｉＣ顆粒可Ｗ均勻地分布在Ａ１中ｗｑ。??

?嚴(yán)瑪??誦麵??圖３－７不同溫度合成棒狀ＳｉＣ顆粒微觀形貌??Ｆｉｇ．?３－７?Ｍｉｃｒｏｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ?ｏｆ?化６?ｓｙｎ化ｅｓｉｚｅｄ?ｃｌｕｂｂｅｄ?ＳｉＣ?ｐａｒｔｉｃｌｅｓ?ｗｉｔｈ?ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ?ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ??（ａ）?８００°Ｃ；?（ｂ）?９００°Ｃ；?（ｃ）?１０００°Ｃ；?（ｄ）?１２００°Ｃ??ｍｍ??？？？?■?Ｓｐｅｃｔｒｕｍ?１?？?Ｓｐｅｃｔｒｕｍ?１??Ｅｌｅｍｅｎｔ?Ａｔｏｍｉｃ％?Ｅｌｅｍｅｎｔ?Ａｔｏｍｉｃ％??二ｊ?Ｃ?５２＾００￣￣?＾?Ｃ?４９?６８￣??Ｋ．?Ａｔ?的．８５?Ａｉ?０６．１８??＂?巧?４４．１５?Ｓｉ?４４．１４??Ｔｏｔａｌ?１００．００?Ｔｏｔａｌ?１００．的??…Ｉ?１４?■?＂?????■??Ａ??ｆ?Ｉ?ｉ‘?Ｉ?Ｉ?Ｉ?＞?：?］?ｊ??＂ＸＭ?？ｊ＊?ｉＭ?ｉＭ?％ｊｈＴ?ｈｍ?ｉｌｍ?１Ｍ?＂?ｉＷ?山山《ｉａ?山占—＇《＞＾－—＇心??６＞ｗｒ，＊？Ｖ??圖３－８不同微觀形貌ＳｉＣ顆粒的能譜圖??

【參考文獻(xiàn)】：
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