Bi 0.5 Sb 1.5 Te 3 /環(huán)氧樹脂柔性熱電器件的制備與制冷性能的評(píng)價(jià)
發(fā)布時(shí)間:2021-10-15 06:51
隨著微電子集成技術(shù)的發(fā)展,電子器件趨向于微型化,由于器件發(fā)熱量過大而迫切需要開發(fā)高效的熱管理方案。基于帕爾貼效應(yīng)的熱電厚膜制冷器件由于具有結(jié)構(gòu)緊湊、質(zhì)量輕、成本低等優(yōu)點(diǎn)而引起了廣泛的關(guān)注。目前Bi2Te3基厚膜制冷器件應(yīng)用上的最大問題是厚膜材料的電導(dǎo)率偏低,器件內(nèi)阻大,導(dǎo)致制冷效果不明顯。本文發(fā)展了涂刷和熱壓固化法制備具有(000l)擇優(yōu)取向的高性能Bi0.5Sb1.5Te3/環(huán)氧樹脂復(fù)合厚膜的新工藝,并對(duì)厚膜器件的制冷性能進(jìn)行評(píng)價(jià)。采用涂刷-熱壓固化工藝制備厚度100150μm的Bi0.5Sb1.5Te3/環(huán)氧樹脂復(fù)合厚膜材料,研究固化溫度、固化時(shí)間和熱壓壓力對(duì)厚膜材料的物相組成、顯微結(jié)構(gòu)以及熱電性能的影響規(guī)律。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:在固化時(shí)間10 h,固化溫度473623 K范圍內(nèi)制備的厚膜材料都是由單相Bi0.5Sb1.5Te<...
【文章來源】:武漢理工大學(xué)湖北省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:88 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
Seebeck效應(yīng)示意圖
圖 1-2 Peltier 效應(yīng)示意圖Fig. 1-2 Schematic diagram of Peltier effect公式(1 3)中的比例常數(shù)π為 Peltier 系數(shù),其單位為 V。Peltier 系數(shù)的物義是:當(dāng)對(duì)回路通入單位電流 I,兩個(gè)不同材料形成的連接點(diǎn)處所吸收或的熱量。對(duì)于 Peltier 效應(yīng)的主要應(yīng)用就是熱電制冷器件,基于 Peltier 效應(yīng)電制冷器件在電子器件散熱與冷卻上具有重要的應(yīng)用價(jià)值。如利用微型熱冷器件對(duì)微型紅外傳感器的微區(qū)進(jìn)行冷卻[29]、發(fā)光二極管(LED)的調(diào)溫系]和對(duì)芯片進(jìn)行制冷[31]等領(lǐng)域。.2.3 Thomson 效應(yīng)1885 年,物理學(xué)家 William Thomson 依據(jù)熱力學(xué)原理系統(tǒng)地分析了金屬的 Seebeck 效應(yīng)、Peltier 效應(yīng)的原理理論,他認(rèn)為這兩種熱電效應(yīng)之間是依存的,同時(shí)他提出了第 3 個(gè)熱電效應(yīng),Thomson 效應(yīng)。Thomson 發(fā)現(xiàn)對(duì)
圖 1-3 熱電制冷原理圖3 The schematic diagram of thermoelectr件的研究現(xiàn)狀冷器件除了在軍事,航天,工業(yè)和科備的各種制冷器件也逐漸涉足人們的電子系統(tǒng)的冷卻,例如 PC 處理器、散熱冷卻。除此之外,熱電制冷還應(yīng)控制汽車座椅、甚至是熱電空調(diào)等。量的探索實(shí)驗(yàn)和研究工作。各種不同的熱電材料的類型上來區(qū)分,主要有備的塊體熱電制冷器件,一種是通過冷器件,還有一種就是通過印刷(絲網(wǎng)法制備的厚膜熱電制冷器件。針對(duì)于不
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]活性稀釋劑對(duì)環(huán)氧樹脂結(jié)構(gòu)和性能的影響[J]. 李山劍,鄧雙輝,馮云龍,劉超凡,劉坐鎮(zhèn). 河北大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2016(06)
[2]半導(dǎo)體溫差發(fā)電技術(shù)應(yīng)用及研究綜述[J]. 晏維,邱國(guó)躍,袁旭峰. 電源技術(shù). 2016(08)
[3]基于熱電效應(yīng)的新型制冷器件研究[J]. 祝薇,陳新,祝志祥,朱承治,韓鈺,馬光,鄧元. 智能電網(wǎng). 2015(09)
[4]柔性顯示器件用聚酰亞胺基板的研究與應(yīng)用進(jìn)展[J]. 劉金剛,倪洪江,郭遠(yuǎn)征,宋勇志,楊士勇. 精細(xì)與專用化學(xué)品. 2014(09)
[5]電子封裝熱管理的熱電冷卻技術(shù)研究進(jìn)展[J]. 王長(zhǎng)宏,朱冬生. 電子元件與材料. 2008(11)
[6]芯片冷卻技術(shù)的最新研究進(jìn)展及其評(píng)價(jià)[J]. 李騰,劉靜. 制冷學(xué)報(bào). 2004(03)
博士論文
[1]碲化鉍基熱電薄膜制備及其熱電性能研究[D]. 穆武第.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2009
碩士論文
[1]半導(dǎo)體溫差發(fā)電系統(tǒng)及其性能研究[D]. 林濤.廣東工業(yè)大學(xué) 2016
[2]高性能電子封裝基板用聚酰亞胺樹脂及復(fù)合層壓板的制備及性能研究[D]. 劉曉麗.蘭州大學(xué) 2012
本文編號(hào):3437617
【文章來源】:武漢理工大學(xué)湖北省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:88 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
Seebeck效應(yīng)示意圖
圖 1-2 Peltier 效應(yīng)示意圖Fig. 1-2 Schematic diagram of Peltier effect公式(1 3)中的比例常數(shù)π為 Peltier 系數(shù),其單位為 V。Peltier 系數(shù)的物義是:當(dāng)對(duì)回路通入單位電流 I,兩個(gè)不同材料形成的連接點(diǎn)處所吸收或的熱量。對(duì)于 Peltier 效應(yīng)的主要應(yīng)用就是熱電制冷器件,基于 Peltier 效應(yīng)電制冷器件在電子器件散熱與冷卻上具有重要的應(yīng)用價(jià)值。如利用微型熱冷器件對(duì)微型紅外傳感器的微區(qū)進(jìn)行冷卻[29]、發(fā)光二極管(LED)的調(diào)溫系]和對(duì)芯片進(jìn)行制冷[31]等領(lǐng)域。.2.3 Thomson 效應(yīng)1885 年,物理學(xué)家 William Thomson 依據(jù)熱力學(xué)原理系統(tǒng)地分析了金屬的 Seebeck 效應(yīng)、Peltier 效應(yīng)的原理理論,他認(rèn)為這兩種熱電效應(yīng)之間是依存的,同時(shí)他提出了第 3 個(gè)熱電效應(yīng),Thomson 效應(yīng)。Thomson 發(fā)現(xiàn)對(duì)
圖 1-3 熱電制冷原理圖3 The schematic diagram of thermoelectr件的研究現(xiàn)狀冷器件除了在軍事,航天,工業(yè)和科備的各種制冷器件也逐漸涉足人們的電子系統(tǒng)的冷卻,例如 PC 處理器、散熱冷卻。除此之外,熱電制冷還應(yīng)控制汽車座椅、甚至是熱電空調(diào)等。量的探索實(shí)驗(yàn)和研究工作。各種不同的熱電材料的類型上來區(qū)分,主要有備的塊體熱電制冷器件,一種是通過冷器件,還有一種就是通過印刷(絲網(wǎng)法制備的厚膜熱電制冷器件。針對(duì)于不
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]活性稀釋劑對(duì)環(huán)氧樹脂結(jié)構(gòu)和性能的影響[J]. 李山劍,鄧雙輝,馮云龍,劉超凡,劉坐鎮(zhèn). 河北大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2016(06)
[2]半導(dǎo)體溫差發(fā)電技術(shù)應(yīng)用及研究綜述[J]. 晏維,邱國(guó)躍,袁旭峰. 電源技術(shù). 2016(08)
[3]基于熱電效應(yīng)的新型制冷器件研究[J]. 祝薇,陳新,祝志祥,朱承治,韓鈺,馬光,鄧元. 智能電網(wǎng). 2015(09)
[4]柔性顯示器件用聚酰亞胺基板的研究與應(yīng)用進(jìn)展[J]. 劉金剛,倪洪江,郭遠(yuǎn)征,宋勇志,楊士勇. 精細(xì)與專用化學(xué)品. 2014(09)
[5]電子封裝熱管理的熱電冷卻技術(shù)研究進(jìn)展[J]. 王長(zhǎng)宏,朱冬生. 電子元件與材料. 2008(11)
[6]芯片冷卻技術(shù)的最新研究進(jìn)展及其評(píng)價(jià)[J]. 李騰,劉靜. 制冷學(xué)報(bào). 2004(03)
博士論文
[1]碲化鉍基熱電薄膜制備及其熱電性能研究[D]. 穆武第.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2009
碩士論文
[1]半導(dǎo)體溫差發(fā)電系統(tǒng)及其性能研究[D]. 林濤.廣東工業(yè)大學(xué) 2016
[2]高性能電子封裝基板用聚酰亞胺樹脂及復(fù)合層壓板的制備及性能研究[D]. 劉曉麗.蘭州大學(xué) 2012
本文編號(hào):3437617
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