水是生命之本,萬物之源。然而,由于科技的迅速發(fā)展、人口的過度膨脹、自然資源的掠奪式開采和不計后果的利用,導致水資源遭受前所未有的嚴重污染。近年來,光催化降解水體中污染物取得的一系列研究成果,展現(xiàn)了其解決水體污染的光明前景。氧化鋅（ZnO）和二氧化鈦（TiO₂）是光催化性能優(yōu)異的寬禁帶半導體材料。然而,量子效率低、對太陽光吸收利用率低、電子-空穴易復(fù)合以及催化劑回收利用難度大等問題限制了它們的實際應(yīng)用。針對這一問題,本文利用多孔聚碳酸酯模板輔助的電沉積法以及陽極氧化法將氧化鋅和二氧化鈦納米材料制備成有序的納米柱/管陣列,又使用電沉積法將銀與氧化鋅復(fù)合、二硫化鉬與二氧化鈦復(fù)合,以期開發(fā)高效可回收利用的氧化鋅、二氧化鈦基光催化劑。通過模板輔助的電化學沉積方法,在氧化銦錫導電玻璃（Indium Tin Oxide,ITO）上制備了直徑800nm、長約10μm的ZnO納米柱陣列,研究了電化學沉積電量對氧化鋅納米柱長度的影響,發(fā)現(xiàn)ZnO納米柱陣列的長度與電量成正比;通過電沉積的方法,摻雜銀對氧化鋅進行修飾和改性,制備了不同銀含量的Ag-ZnO納米柱陣列,使用各種手段對其進行表... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：65 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

光催化氧化反應(yīng)機理示意圖

結(jié)構(gòu)陣列組分間的三種接觸方式 （a）完全界觸；（c）非接觸界面接觸（Fully interfacial contact）。一種積在骨架上以形成具有附加活、，鈍化、二類是準界面接觸（Quasi-facet interfaci要素之間形成，一種成分可以作為骨架，殊位置。第三類是不直接接觸（Non-cont個成分周圍但保留一些間隙，或者位于第成分有的類似外部環(huán)境，但最大程度上保材料簡介和應(yīng)用起始于 20 世紀 30 年代，在 19 世紀 70 年 1980 年研究熱度逐漸減退。20 世紀 90 年子阱、納米柱以及量子點的研究的進展而

閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)和氯化鈉八面體晶體礦晶體結(jié)構(gòu)，不僅其在自然界中原料來成為學界研究的熱點。氧化鋅如圖 1-3 所示[46]。纖鋅礦07 ，屬于 AB 型共價鍵晶體。氧化等諸多的優(yōu)異性能，在太陽能電池研實用價值。但是 ZnO 只能吸收紫外效率不高。很多方法被用來試圖拓寬屬摻雜以及耦合其它半導體等方法體與 ZnO 耦合形成耦合半導體體系協(xié)同增強效應(yīng)，不僅可以拓寬 ZnO 的的分離，從而提高材料的光催化或是效果。納米級 Ag 具有等離子體共振轉(zhuǎn)移[14,15]，可以直接提高半導體的各沉積了銀，發(fā)現(xiàn)其發(fā)光強度增強了

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3430067