本論文采用磁控濺射法,在SiO₂/Si（100）和超白玻璃基片上制備Co/Sn共摻雜In₂O₃稀磁半導(dǎo)體薄膜。利用X射線衍射（XRD）、透射電子顯微鏡（TEM）、X射線光電子能譜（XPS）、X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)（XAFS）,電阻溫度曲線（R-T）、Hall效應(yīng)、磁電阻（MR）、超導(dǎo)量子干涉儀（SQUID）、紫外-可見光吸收光譜（UV）等表征手段研究Co/Sn共摻雜In₂O₃稀磁半導(dǎo)體,分析p-n共摻雜對In₂O₃稀磁半導(dǎo)體薄膜的局域結(jié)構(gòu)及自旋相關(guān)磁、光、輸運(yùn)性能的影響,研究結(jié)果如下:1、制備了不同Co摻雜濃度的(In_0.98-xCo_xSn_0.02)₂O₃薄膜。XRD、XPS以及具有元素分辨的同步輻射XAFS測試表明,制備的(In_0.98-xCo_xSn_0.02)

【文章來源】：天津理工大學(xué)天津市

【文章頁數(shù)】：84 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 稀磁半導(dǎo)體的研究概況
        1.2.1 稀磁半導(dǎo)體的概況
        1.2.2 稀磁半導(dǎo)體的鐵磁性起源
    1.3 In_2O_3基稀磁半導(dǎo)體
        1.3.1 In_2O_3的結(jié)構(gòu)
        1.3.2 In_2O_3基稀磁半導(dǎo)體的研究現(xiàn)狀
    1.4 本論文的創(chuàng)新點(diǎn)及研究目的
    1.5 研究的內(nèi)容和方法
        1.5.1 薄膜的制備
        1.5.2 局域結(jié)構(gòu)分析
        1.5.3 物理性能分析
第二章 薄膜樣品的制備與表征方法
    2.1 薄膜樣品制備方法的選擇
        2.1.1 磁控濺射原理
        2.1.2 制備In_2O_3薄膜的實(shí)驗設(shè)備和制備過程
    2.2 表征方法
        2.2.1 X射線衍射（XRD）
        2.2.2 透射電子顯微鏡（TEM）
        2.2.3 X射線光電子能譜（XPS）
        2.2.4 X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)（X-ray Absorption Fine structure, XAFS）
        2.2.5 表面形貌測試儀(臺階儀)
        2.2.6 電輸運(yùn)性能的測量
        2.2.7 磁學(xué)性能的測量
        2.2.8 光學(xué)性能的測量
    2.3 本章小結(jié)
第三章 (In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜的制備、結(jié)構(gòu)與性能
    3.1 引言
    3.2 實(shí)驗過程
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 (In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜的XRD分析
        3.3.2 (In_(0.93)Co_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜的價態(tài)分析
        3.3.3 Co的摻雜含量對(In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜局域結(jié)構(gòu)的影響
        3.3.4 Co的摻雜含量對(In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜磁學(xué)性質(zhì)的影響
        3.3.5 Co的摻雜含量對(In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜輸運(yùn)性能的影響
        3.3.6 Co的摻雜含量對(In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜光學(xué)性質(zhì)的影響
        3.3.7 Co摻雜含量變化的共摻雜In_2O_3薄膜磁電阻特性分析
    3.4 Co摻雜含量變化的(In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜磁性來源
    3.5 本章小結(jié)
第四章 (In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3薄膜的制備、結(jié)構(gòu)與性能
    4.1 引言
    4.2 實(shí)驗過程
    4.3 結(jié)果與討論
        4.3.1 (In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3薄膜的XRD分析
        4.3.2 (In_(0.90)Co_(0.05)Sn_(0.05))_2O_3薄膜的TEM分析
        4.3.3 (In_(0.90)Co_(0.05)Sn_(0.05))_2O_3薄膜的價態(tài)分析
        4.3.4 Sn的摻雜含量對(In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3薄膜局域結(jié)構(gòu)的影響
        4.3.5 Sn的摻雜含量對(In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3薄膜磁學(xué)性質(zhì)的影響
        4.3.6 Sn的摻雜含量對(In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3薄膜輸運(yùn)性能的影響
        4.3.7 Sn的摻雜含量對(In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3薄膜光學(xué)性質(zhì)的影響
        4.3.8 Sn摻雜含量變化的共摻雜In_2O_3薄膜磁電阻特性分析
    4.4 Sn摻雜含量變化的(In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3薄膜磁性來源
    4.5 本章小結(jié)
第五章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
發(fā)表論文和科研情況說明
致謝



本文編號：3429753