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TiC增強(qiáng)膨脹石墨/銅復(fù)合材料導(dǎo)熱性研究

發(fā)布時(shí)間:2021-10-09 23:42
  將壓縮膨脹石墨(CEG)在高溫下通入四氯化鈦(TiCl4),得到了生長(zhǎng)在石墨片邊緣的碳化鈦(TiC),利用TiC改性的CEG與銅通過液相浸漬后熱壓的方法制備膨脹石墨/銅復(fù)合材料,研究TiC對(duì)CEG自身熱導(dǎo)率的影響及其加入前后復(fù)合材料的微觀形貌和熱導(dǎo)率的變化情況。結(jié)果表明,適量TiC在石墨片層之間的連接作用能有效改善壓縮膨脹石墨的導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò),提高其熱導(dǎo)率。膨脹石墨/銅復(fù)合材料熱導(dǎo)率隨著界面TiC量的增加而先升高后降低,原因在于TiC與銅之間的界面相容性比CEG與銅的好,然而當(dāng)TiC含量進(jìn)一步升高,其自身熱導(dǎo)率低產(chǎn)生了更大的界面熱阻導(dǎo)致復(fù)合材料的熱導(dǎo)率下降。因此適量的TiC能有效改善膨脹石墨導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò),且有利于改善膨脹石墨和銅的界面相容性,從而提高復(fù)合材料的熱導(dǎo)率。 

【文章來源】:炭素技術(shù). 2017,36(05)北大核心

【文章頁數(shù)】:5 頁

【文章目錄】:
1 實(shí)驗(yàn)材料及方法
    1.1 試樣制備
    1.2 樣品表征
2 結(jié)果與討論
    2.1 高溫制備Ti C方案優(yōu)化
        2.1.1 無定形碳含量
        2.1.2 CVD還原法產(chǎn)物物相和形貌分析
    2.2 Ti C對(duì)CEG熱導(dǎo)率的影響
    2.3 Cu/C復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)與導(dǎo)熱性能
        2.3.1 復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)
        2.3.2 碳/銅復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]金屬基復(fù)合材料發(fā)展的挑戰(zhàn)與機(jī)遇[J]. 武高輝.  復(fù)合材料學(xué)報(bào). 2014(05)
[2]高效熱管理用金屬基復(fù)合材料研究進(jìn)展[J]. 李志強(qiáng),譚占秋,范根蓮,張荻.  中國材料進(jìn)展. 2013(07)
[3]電子封裝材料的研究現(xiàn)狀及趨勢(shì)[J]. 湯濤,張旭,許仲梓.  南京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2010(04)
[4]金屬基復(fù)合材料界面問題[J]. 張國定.  材料研究學(xué)報(bào). 1997(06)



本文編號(hào):3427214

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