以雙丙酮丙烯酰胺（DAAM）為單體、馬來松香丙烯酸乙二醇酯（EGMRA）為交聯(lián)劑,在6063鋁合金表面熱合成一種共聚膜。利用傅里葉變換紅外光譜、掃描電鏡分別對共聚膜的結(jié)構(gòu)及形貌進(jìn)行表征。結(jié)果表明,在6063鋁合金表面合成了DAAM與EGMRA的共聚膜,該共聚膜表面小、孔較少,并且更平整。在3. 5%NaCl溶液中測試了不同濃度EGMRA合成的共聚膜的電化學(xué)性能,結(jié)果表明,EGMRA的濃度為0. 050～0. 075 mol/L時(shí),其腐蝕電流密度降至0. 34～0. 32μA/cm²（裸6063鋁合金為6. 28μA/cm²）,腐蝕電位從-875 V增加到-0. 838 V（裸鋁合金為-907 V）,共聚膜的交流阻抗譜Nyquist圖的半圓弧達(dá)100～120 kΩ·cm²（裸鋁合金為10 kΩ·cm²）。因此,DAAM與EGMRA的共聚膜能更好地保護(hù)鋁合金。 

【文章來源】：現(xiàn)代化工. 2020,40(07)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

6063鋁合金、不含與含有EGMRA的DAAM聚合涂層電極的掃描電鏡圖

式中:icorr為沒有涂層的裸鋁合金(Bare Al alloy)的腐蝕電流密度;i*corr為鋁合金表面聚合膜的腐蝕電流密度。從圖3(a)及表1可以看出，隨著EGMRA濃度增加，聚合膜的腐蝕電流從1.30μA/cm2降至0.32μA/cm2，保護(hù)效率達(dá)94.9%;隨后又從0.34μA/cm2升至1.45μA/cm2，說明EGMRA在適當(dāng)?shù)臐舛确秶?0.050～0.075 mol/L)可以增加DAAM聚合膜的防腐蝕性能。從圖3(b)中也可以看到有類似規(guī)律，隨著EGMRA濃度的增加(從0～0.090 mol/L)，聚合膜的交流阻抗譜Nyquist圖的半圓弧開始時(shí)增加，從40 kΩ·cm2升至120 kΩ·cm2，然后又減小到50 kΩ·cm2，說明EGMRA的濃度在適當(dāng)范圍(0.050～0.075 mol/L)可以更有效地阻擋氯離子的侵蝕。從圖3還可看出，在鋁合金基底上聚合DAAM膜后，腐蝕電流明顯減小，交流阻抗譜Nyquist圖的半圓弧明顯增大，說明DAAM聚合膜可以為鋁合金提供一定的保護(hù)作用。但添加EGMRA后腐蝕電流更小、半圓弧更大，EGMRA的添加能更好地改善DAAM聚合膜的防腐能力，為鋁合金基底提供更好的保護(hù)作用。

DAAM的濃度為0.5 mol/L，交聯(lián)劑EGMRA的濃度為0.050 mol/L，溶劑為無水乙醇溶液，滴涂20μL在6063鋁合金片上，在溫度90℃的條件下進(jìn)行熱聚合60 min，從6063鋁合金片上刮下樣品進(jìn)行紅光譜測試，DAAM、EGMRA及其共聚膜(PDAAM-EGMRA)的傅里葉變換紅外光譜如圖1所示。從圖1中譜線1可以看出，在3 177～3 284 cm-1處有2個(gè)吸收峰，這是DAAM的仲酰胺的N—H伸縮振動;在3 088 cm-1處的吸收峰為雙丙酮丙烯酰胺C=C雙鍵上的碳?xì)?=C—H)伸縮伸縮振動;在1 719 cm-1及1 657 cm-1處的2個(gè)強(qiáng)峰分別為酮羰基及酰胺的酮羰基的吸收峰;在1 622 cm-1處為C=C雙鍵的伸縮振動;在1 651 cm-1處是N—H的面內(nèi)彎曲振動;在702 cm-1處為OCN的彎曲振動。從圖1中譜線2可以看出，在3 347 cm-1處有1個(gè)吸收峰，這是松香菲環(huán)上的O—H的伸縮振動引起的吸收帶;在1 730 cm-1處有1個(gè)吸收峰，這是EGMRA的C=O的特征吸收峰;在1 638 cm-1處有1個(gè)吸收峰，是EGMRA的碳碳雙鍵(C=C)伸縮振動，由于共軛發(fā)生了負(fù)移;在1 255 cm-1及1 182 cm-1存在2個(gè)吸收帶，這是EGMRA的C—O—C酯基的碳氧耦合相互作用的吸收峰。然而，從圖1中譜線3可以看出，DAAM及EGMRA的大多數(shù)特征峰都存在，只是頻率位置有些移動，如在1 249 cm-1及1 177 cm-1處的吸收符合C—O—C酯基的碳氧耦合相互作用的吸收峰，但與EGMRA在1 255 cm-1及1 182 cm-1處的C—O—C吸收峰相比，共聚膜的C—O—C酯基吸收峰位置較低。說明DAAM的�；�(CONH)與EGMRA的羧基(COOH)及酯基(COO)在聚合過程中形成氫鍵，共聚使吸收峰向低波數(shù)移動。從圖1中譜線3還可以看出，聚合后DAAM的碳碳雙鍵(C=C)的吸收峰(1 622 cm-1)及EGMRA的碳碳雙鍵(C=C)吸收峰(1 638 cm-1)都消失了，表明DAAM與EGMRA共同聚合在鋁合金基底上。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：3419816