首先利用二步陽極氧化法制備了自支撐多孔硅,再利用真空抽濾法在自支撐多孔硅中沉積ZnO納米籽晶層,最后用水熱合成法使ZnO納米籽晶進一步長大。采用掃描電子顯微鏡、X射線能譜分析和光致發(fā)光譜分析對樣品的形貌、元素及發(fā)光性能進行了表征。結(jié)果表明:自支撐多孔硅內(nèi)部成功填充了ZnO納米顆粒并形成了自支撐多孔硅/ZnO復合材料。將這種復合材料作為超級電容器電極進行了電化學測試,包括循環(huán)伏安、阻抗譜和恒電流充放電測試,該復合材料有較好的超級電容特性,比容量可達到15.7F/g,相比于自支撐多孔硅提高120倍。 

【文章來源】：復合材料學報. 2016,33(09)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 實驗
    1.1 自支撐多孔硅的制備
    1.2 ZnO納米顆粒的制備
    1.3 測試與表征
2 結(jié)果與討論
    2.1 表面形貌及截面形貌
    2.2 光致發(fā)光譜
    2.3 超級電容器特性
3 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]水熱法制備ZnO納米花及其超級電容特性研究[J]. 魯莉華,龔良玉.  青島農(nóng)業(yè)大學學報(自然科學版). 2012(01)

碩士論文
[1]多孔硅復合ZnO和CdS納米粒子的光致發(fā)光特性[D]. 郭成花.山東師范大學 2003



本文編號：3418282