摻雜和復(fù)合對CuO納米材料的結(jié)構(gòu)、光、磁性能影響的研究
發(fā)布時間:2021-09-30 13:04
CuO是一種性能優(yōu)異的多功能材料,在太陽能電池、電容器、傳感器和光催化等領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)用。目前大量的科學(xué)探究還主要局限在CuO納米材料的光電性質(zhì)方面,有關(guān)其磁學(xué)性質(zhì)的研究非常匱乏,也限制了材料的多功能化。因此,人們相繼提出了摻雜改性和復(fù)合改性的方法,希望通過調(diào)整CuO基材料的電子能帶結(jié)構(gòu)從而改善其物理性能。針對這一研究現(xiàn)狀,本論文主要從實驗方面證實CuO體系引入自旋性質(zhì)的可行性,并對磁性起源進(jìn)行解釋,主要包括如下三方面工作:(1)采用水熱反應(yīng)法,制備Cr摻雜的CuO納米材料。SEM結(jié)果表明隨Cr摻雜濃度增大,樣品形貌逐漸由片狀變?yōu)榘魻。吸收光譜表明Cr摻雜后產(chǎn)生中間缺陷帶導(dǎo)致帶隙值減小。PL和拉曼結(jié)果證明樣品中存在結(jié)構(gòu)缺陷,Cr摻雜或熱處理后氧空位減少而銅空位增多。首次在Cr摻雜CuO體系中發(fā)現(xiàn)室溫鐵磁性,磁性源于銅空位,這些空位可以引入磁矩并調(diào)控鉻和銅自旋的鐵磁有序。(2)以尿素作為堿沉淀劑,制備CuO/ZnO片狀納米復(fù)合物。SEM和TEM分析表明納米片是由納米顆粒連接而成的,平均顆粒尺寸約20 nm。隨著CuO比例增大樣品結(jié)構(gòu)有明顯坍塌,小片狀增多。磁性測量結(jié)果表明在抗磁性的ZnO...
【文章來源】:天津大學(xué)天津市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:69 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
幾種5%Mn摻雜p型半導(dǎo)體材料的居里溫度計算值
:磁性元素進(jìn)入晶體晶格內(nèi)部后,會與其周圍的導(dǎo)帶電子進(jìn)行交換耦合,這一作用使導(dǎo)帶電子發(fā)生自旋極化,隨著發(fā)生交換作用的兩個磁性離子之間距離不斷增大,電子的極化程度以振蕩方式不斷衰減,如圖1-2所示,圖中橫坐標(biāo)t表示費(fèi)米波矢與局域磁矩間距的比值,縱坐標(biāo)j與t滿足如下方程:(1-1)正是圖示所示的振蕩導(dǎo)致相鄰的磁性元素之間發(fā)生 RKKY 交換作用。由于兩相鄰磁性離子狀態(tài)不同,這種交換作用使得兩個離子自旋在不同的排列方式下表現(xiàn)出不同的磁學(xué)行為(包括鐵磁態(tài)和反鐵磁態(tài))。圖 1-2 導(dǎo)帶中的電子自旋極化程度與磁性離子之間距離的關(guān)系示意圖(2)超交換模型和雙交換模型超交換作用,該模型最早是由 Kramers[15]在對鐵氧體材料內(nèi)發(fā)生的反鐵磁性自發(fā)極化現(xiàn)象進(jìn)行原因追蹤的時候提出并由 Anderson[16]等人做了適當(dāng)完善之后而共同建立的。超交換作用的實質(zhì)是通過原來沒有磁性的陰離子的極化,把體系內(nèi)兩個不相鄰的但是本身具有價態(tài)穩(wěn)定不變特性的磁性離子緊密聯(lián)系在一起,使體系對外呈現(xiàn)磁耦合狀態(tài)的一個物理過程。雙交換作用,該模型最早應(yīng)該是由Zener[17]提出來的。雙交換作用的實質(zhì)同超交換作用一樣也牽涉到了載流子的躍遷
和Cu2+的離子半徑分別為1.40 和0.72 。圖1-3為單斜CuO的晶體結(jié)構(gòu)簡圖(圖中較大的灰色球體表示銅原子,較小的黑色球體表示氧原子)。CuO 作為一種 p 型直接帶隙(1.2-2.1 eV)氧化物半導(dǎo)體,具有低成本、無毒、易制備、高容量(670 mAh·g 1)等優(yōu)勢,在太陽能電池、電容器、傳感器、磁性存儲和場發(fā)射器件等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用,吸引了大量研究者的興趣。CuO 本身為反鐵磁材料中,尼爾溫度為 230 K,因此在室溫下表現(xiàn)為順磁性。在 CuO 材料中引入室溫鐵磁性,以擴(kuò)大材料的應(yīng)用范圍,有利于實現(xiàn)集磁、光、電、氣于一體的
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]具有優(yōu)異光電化學(xué)性能的三維p-CuO/n-ZnO異質(zhì)結(jié)光陰極材料(英文)[J]. 武芳麗,曹風(fēng)人,劉瓊,盧豪,李亮. Science China Materials. 2016(10)
[2]合成ZnO納米陣列及刺突狀CuO/ZnO異質(zhì)結(jié)(英文)[J]. 李湘奇,范慶飛,李廣立,黃瑤翰,高照,范希梅,張朝良,周祚萬. 物理化學(xué)學(xué)報. 2015(04)
[3]氧化物稀磁半導(dǎo)體的研究進(jìn)展[J]. 許小紅,李小麗,齊世飛,江鳳仙,全志勇,范九萍,馬榮榮. 物理學(xué)進(jìn)展. 2012(04)
[4]Cu摻雜ZnO納米粒子的光學(xué)性能及鐵磁性[J]. 邢伯陽,牛世峰. 材料科學(xué)與工程學(xué)報. 2012(03)
[5]稀磁半導(dǎo)體的研究進(jìn)展[J]. 趙建華,鄧加軍,鄭厚植. 物理學(xué)進(jìn)展. 2007(02)
[6]磁性材料新近進(jìn)展[J]. 都有為. 物理. 2006(09)
碩士論文
[1]水熱法合成無機(jī)半導(dǎo)體納米材料及其摻雜稀土發(fā)光納米材料[D]. 陶萍芳.廣西師范大學(xué) 2008
本文編號:3415921
【文章來源】:天津大學(xué)天津市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:69 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
幾種5%Mn摻雜p型半導(dǎo)體材料的居里溫度計算值
:磁性元素進(jìn)入晶體晶格內(nèi)部后,會與其周圍的導(dǎo)帶電子進(jìn)行交換耦合,這一作用使導(dǎo)帶電子發(fā)生自旋極化,隨著發(fā)生交換作用的兩個磁性離子之間距離不斷增大,電子的極化程度以振蕩方式不斷衰減,如圖1-2所示,圖中橫坐標(biāo)t表示費(fèi)米波矢與局域磁矩間距的比值,縱坐標(biāo)j與t滿足如下方程:(1-1)正是圖示所示的振蕩導(dǎo)致相鄰的磁性元素之間發(fā)生 RKKY 交換作用。由于兩相鄰磁性離子狀態(tài)不同,這種交換作用使得兩個離子自旋在不同的排列方式下表現(xiàn)出不同的磁學(xué)行為(包括鐵磁態(tài)和反鐵磁態(tài))。圖 1-2 導(dǎo)帶中的電子自旋極化程度與磁性離子之間距離的關(guān)系示意圖(2)超交換模型和雙交換模型超交換作用,該模型最早是由 Kramers[15]在對鐵氧體材料內(nèi)發(fā)生的反鐵磁性自發(fā)極化現(xiàn)象進(jìn)行原因追蹤的時候提出并由 Anderson[16]等人做了適當(dāng)完善之后而共同建立的。超交換作用的實質(zhì)是通過原來沒有磁性的陰離子的極化,把體系內(nèi)兩個不相鄰的但是本身具有價態(tài)穩(wěn)定不變特性的磁性離子緊密聯(lián)系在一起,使體系對外呈現(xiàn)磁耦合狀態(tài)的一個物理過程。雙交換作用,該模型最早應(yīng)該是由Zener[17]提出來的。雙交換作用的實質(zhì)同超交換作用一樣也牽涉到了載流子的躍遷
和Cu2+的離子半徑分別為1.40 和0.72 。圖1-3為單斜CuO的晶體結(jié)構(gòu)簡圖(圖中較大的灰色球體表示銅原子,較小的黑色球體表示氧原子)。CuO 作為一種 p 型直接帶隙(1.2-2.1 eV)氧化物半導(dǎo)體,具有低成本、無毒、易制備、高容量(670 mAh·g 1)等優(yōu)勢,在太陽能電池、電容器、傳感器、磁性存儲和場發(fā)射器件等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用,吸引了大量研究者的興趣。CuO 本身為反鐵磁材料中,尼爾溫度為 230 K,因此在室溫下表現(xiàn)為順磁性。在 CuO 材料中引入室溫鐵磁性,以擴(kuò)大材料的應(yīng)用范圍,有利于實現(xiàn)集磁、光、電、氣于一體的
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]具有優(yōu)異光電化學(xué)性能的三維p-CuO/n-ZnO異質(zhì)結(jié)光陰極材料(英文)[J]. 武芳麗,曹風(fēng)人,劉瓊,盧豪,李亮. Science China Materials. 2016(10)
[2]合成ZnO納米陣列及刺突狀CuO/ZnO異質(zhì)結(jié)(英文)[J]. 李湘奇,范慶飛,李廣立,黃瑤翰,高照,范希梅,張朝良,周祚萬. 物理化學(xué)學(xué)報. 2015(04)
[3]氧化物稀磁半導(dǎo)體的研究進(jìn)展[J]. 許小紅,李小麗,齊世飛,江鳳仙,全志勇,范九萍,馬榮榮. 物理學(xué)進(jìn)展. 2012(04)
[4]Cu摻雜ZnO納米粒子的光學(xué)性能及鐵磁性[J]. 邢伯陽,牛世峰. 材料科學(xué)與工程學(xué)報. 2012(03)
[5]稀磁半導(dǎo)體的研究進(jìn)展[J]. 趙建華,鄧加軍,鄭厚植. 物理學(xué)進(jìn)展. 2007(02)
[6]磁性材料新近進(jìn)展[J]. 都有為. 物理. 2006(09)
碩士論文
[1]水熱法合成無機(jī)半導(dǎo)體納米材料及其摻雜稀土發(fā)光納米材料[D]. 陶萍芳.廣西師范大學(xué) 2008
本文編號:3415921
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