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摻雜和異質(zhì)結對金屬氧化物半導體氣敏性能影響的研究

發(fā)布時間:2021-09-29 23:59
  隨著社會和科技的發(fā)展,環(huán)境污染日益加重。其中空氣污染尤為嚴重?諝馕廴静粌H破壞大自然也威脅著人們的健康和安全。在新聞報道中時常能看見易燃易爆氣體引起的爆炸或是有毒有害氣體泄漏引起的人員傷亡問題。因此時刻監(jiān)控空氣質(zhì)量且及時的報警和防范是很有必要的。由于半導體式氣體傳感器具有可實時監(jiān)測、操作簡單、成本低等優(yōu)點,很多研究者們致力于制備性能更好的氣體傳感器。自1962年T Seiyama等人用ZnO、SnO2薄膜成功制備半導體式氣體傳感器之后,金屬氧化物半導體傳感器成為半導體式氣體傳感器的一個重要分支。目前制備納米材料的方法有許多種,如液相沉積法、水熱法、水浴法、靜電紡絲法等。其中水熱法具有形成的產(chǎn)物純度高、很好地控制產(chǎn)物的理想配比及結構形態(tài)、反應溫度低等優(yōu)點,因此廣泛地用于納米材料的制備。本文通過水熱法制備氣體傳感器的氣敏材料,利用摻雜、構建異質(zhì)結來提高傳感器的性能。本文主要研究內(nèi)容如下:第一,通過水熱法制備了純α-MoO3納米片,并對其進行了不同濃度的Ni摻雜。對所制備的材料進行了各種表征,了解材料的成分和形貌。對純α-MoO3

【文章來源】:吉林大學吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:58 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

摻雜和異質(zhì)結對金屬氧化物半導體氣敏性能影響的研究


氣體傳感器的分類(1)半導體式氣體傳感器的敏感部分是半導體材料,半導體材料將氣體的相關信

圖譜,氣敏性能,片材,納米


mol%Ni摻雜的α-MoO3(a)XPS圖(b)Mo3d圖譜(c)O1s圖譜

圖譜


(a)0mol%(b)2.5mol%(c)5mol%(d)10mol%Ni摻雜的α-MoO3SEM圖

【參考文獻】:
期刊論文
[1]High Response Gas Sensors for Formaldehyde Based on Er-doped In2O3 Nanotubes[J]. Xuesong Wang,Jinbao Zhang,Lianyuan Wang,Shouchun Li,Li Liu,Chang Su,Lili Liu.  Journal of Materials Science & Technology. 2015(12)



本文編號:3414709

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