碳／碳（C/C）復(fù)合材料是一種碳纖維增強(qiáng)碳基體的新型復(fù)合材料。因其優(yōu)異的高溫性能,C/C復(fù)合材料在航空航天等高溫應(yīng)用領(lǐng)域被認(rèn)為是最有前景的材料。它有許多優(yōu)異的性能,如低密度,高比強(qiáng),良好的抗熱震性能,尤其是其在高溫下還能保持良好的機(jī)械性能。但是只要環(huán)境溫度超過723 K,材料就會(huì)被氧化,這就限制了C/C復(fù)合材料的應(yīng)用�？寡趸繉邮且环N良好的解決這一問題的選擇。但是,現(xiàn)階段研究較成熟的大多數(shù)抗氧化涂層都是硅基涂層,在一個(gè)較高的服役溫度下,涂層中的硅化物可以與氧氣反應(yīng)生成Si02,Si02熔化成為有良好流動(dòng)性的玻璃相可以封填涂層中的缺陷,從而達(dá)到保護(hù)基體的目的。但是,在中低溫溫度下,Si02玻璃相粘度增加,流動(dòng)性較差,就不能有效的提供防護(hù)。如何解決這個(gè)問題,就成了拓寬了涂層抗氧化溫度范圍的關(guān)鍵。氧化硼玻璃相有較低的熔點(diǎn),可以在中溫階段治愈涂層中的缺陷,本論文通過在硅酸鹽涂層中加入氧化硼或硼單質(zhì),來提高涂層在中溫階段的抗氧化性能。用脈沖電弧放電沉積法（Pulse arc discharge deposition,簡稱PADD）分別成功制備了B2O3-ZrSiO4和MOSi2/SiO2-B2O... 

【文章來源】：陜西科技大學(xué)陜西省

【文章頁數(shù)】：79 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖２－２ＭｏＳｉ２粉體和Ｓｉ〇２－Ｂ２〇３－Ａｌ２〇３混合粉體的ＸＲＤ圖譜（ａ）及粒徑的ＳＥＭ照片??（ｂ）、?（ｃ）??Ｆｉｇ．?２－２?Ｘ民Ｄ?ｐａｔｔｅｒｎｓ?（ａ）?ａｎｄ?ＳＥＭ?ｉｍａｇｅｓ?ｏｆ?ＭｏＳｉ；?（ｂ）?ａ打ｄ?Ｓｉ〇２－Ｂ２〇３－Ａｌ２〇３?（ｃ）??ｏｗｄｅｒｓ??

圖２－３內(nèi)涂層ＳｉＣ的物相組成Ｘ民Ｄ圖（ａ），表面ＳＥＭ?（ｂ）照片和??斷面ＳＥＭ?（ｃ）照片??Ｆｉｇ．?２－３?Ｘ民Ｄ?ｐａｔｔｅｒｎ?（ａ），?ｓｕｒｆａｃｅ?（ｂ）?ＳＥＭ?ａ打ｄ?ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ?（ｃ）?ＳＥＭ?ｍｉｃｒｏｇｒａｐｈ?ｆｏｒ?ｔｈｅ??ＳｉＣ?ｉ打打ｅｒ?ｃｏａｔｉｎｇ??

圖２－４脈沖電化放電法沉巧裝置圖??Ｆｉｇ．?２－４?Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ?ｄｉａｇｒａ皿?ｏｆ?ｐｕｌｓｅ?ａｒｃ?ｄｉｓｃｈａｒｇｅ?過ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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本文編號(hào)：3410536