石墨烯量子點(diǎn)用于修復(fù)石墨烯結(jié)構(gòu)缺陷及其薄膜導(dǎo)熱性能研究
發(fā)布時(shí)間:2021-09-25 09:50
為解決GO制備過程中,不可避免引入的石墨烯拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)缺陷對(duì)熱傳遞性能的顯著影響,研究采用石墨烯量子點(diǎn)(GQDs)作為外部碳源,通過在高溫條件下修復(fù)石墨烯中的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)缺陷,制備出了自支撐的石墨化–氧化石墨烯/石墨烯量子點(diǎn)(g-GO/GQDs)散熱薄膜。與原始的gGO膜相比,g-GO/GQDs薄膜的面內(nèi)熱導(dǎo)率提高了22.1%,達(dá)到739.04 W/(m·K)。通過進(jìn)一步的薄膜結(jié)構(gòu)分析,發(fā)現(xiàn)其熱導(dǎo)率的提高可歸因于石墨化過程中sp2碳晶格域的恢復(fù)和形成。石墨烯導(dǎo)熱薄膜的散熱性能研究表明,該研究結(jié)果可有效提高石墨烯薄膜的散熱效果,為制備高性能散熱薄膜提供了新思路。
【文章來源】:上海理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2020,42(02)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:9 頁
本文編號(hào):3409496
【文章來源】:上海理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2020,42(02)北大核心CSCD
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