發(fā)布時間：2021-09-24 18:08

　　量子點（Quantum Dots,QDs）因其獨特的光電性能,常常被用來構(gòu)建熒光傳感體系,廣泛應用于分析檢測領(lǐng)域中。但是,當存在復雜干擾物質(zhì),尤其是結(jié)構(gòu)和性能類似的物質(zhì)時,其選擇性并不明顯,因此,提高其選擇性顯的尤為重要。分子印跡聚合物（Molecularly Imprinted Polymers,MIPs）具有廣泛的適用性、良好的可塑性和高選擇性等優(yōu)點,將其與熒光量子點結(jié)合,所得到的復合材料具備高靈敏度和高選擇性。而基于量子點的分子印跡比率熒光傳感器（Molecularimprinting ratiometric fluorescence sensor,MIR sensor）是以兩種發(fā)光體的熒光強度比值為信號,可有效地減小環(huán)境等外界因素的影響,使測定結(jié)果更加準確。因此,許多分子印跡比率熒光傳感器被開發(fā)應用于各種分析物的檢測。在制藥過程中會產(chǎn)生大量有機廢水,對生態(tài)環(huán)境和人們的生命安全都會產(chǎn)生極大的影響,光催化處理技術(shù)被認為是一種很有應用前景的制藥廢水處理技術(shù)。目前,光催化處理技術(shù)面臨著光催化材料價格昂貴和制備方法復雜等問題。因此,開發(fā)一種廉價環(huán)保、制備簡單的光催化材料是很有意義的。本文... 

【文章來源】：廣東藥科大學廣東省

【文章頁數(shù)】：103 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

納米材料的分類[4]

釋。不過，已有一些碳點的發(fā)射峰位置不受激發(fā)波長的影響。此外，碳點的量子尺寸效應比較明顯，隨著尺寸變大，熒光發(fā)射峰位置產(chǎn)生紅移[38]。碳點的出現(xiàn)引起了廣泛的研究興趣，因此，豐富的制備方法也被發(fā)展起來�？傮w上，這些方法可以分為兩大類：自上而下法和自下而上法。其中，自上而下法包括電弧放電法[39]、激光刻蝕法[40]、化學氧化法[41]、水熱分解法[42]。而自下而上法主要包括水熱合成法[43]、燃燒法[44]、微波法[45]和模板法[46]。優(yōu)異的熒光性質(zhì)使碳點在環(huán)境分析、生物成像和電催化技術(shù)等領(lǐng)域具有廣泛的應用范圍。圖1-2水熱法合成多色熒光碳點的光學圖像[47]1.1.2光催化納米材料20世紀70年代，日本科學家Fujishima和Honda在紫外光照射下利用二氧化鈦（TiO2）電極制備的光電池成功裂解水產(chǎn)生H2和O2[48]。隨后Bard[49]將其原理應用于以半導體顆�；蚍勰┳鳛楣獯呋瘎┑墓獯呋到y(tǒng)。此后，半導體光催化技術(shù)被科研工作者廣泛的關(guān)注，發(fā)展趨勢迅猛。TiO2作為應用最早的光催化半導體材料，因其具有光催化活性高、穩(wěn)定性好和價格便宜等優(yōu)點一直是研究熱點[50]。但其禁帶寬度（3.2eV）較寬，使其對太陽光的吸收范圍局限于紫外光區(qū)（約占太陽光的5%），這限制了TiO2在光催化領(lǐng)域的實際應用。因此，為克服TiO2只能吸收紫外光區(qū)的缺點，科研工作者通過各種技術(shù)手段對TiO2進行改性，例如：摻雜非金屬或金屬元素改性[51]、染料敏化提高光吸收范圍[52]、復合貴金屬提高光吸收[53]和與帶隙較窄的半導體復合等[54]。除此之外，許多可見光光區(qū)響應的新型光催化劑也被開發(fā)出來，如Ag3PO4、BiVO4、AgVO3和FeS2等[55]。

廣東藥科大學碩士研究生學位論文6體保護，制備出了不同粒徑的FeS2納米顆粒，并將其作為光電化學催化劑，在可見光照射下顯示出高效的光催化分解水的性能，在制氫中具有潛在的應用前景。1.2分子印跡1.2.1分子印跡技術(shù)的簡介分子印跡技術(shù)是指人工合成的、在作用位點和空間構(gòu)型上與某一特定的目標分子完全匹配的印跡聚合物的技術(shù)，所合成的聚合物為分子印跡聚合物[69]。分子印跡聚合物可以特異性的識別目標分子，對目標分子有著極強的識別能力。20世紀40年代，諾貝爾獎獲得者Pauling在免疫學的啟發(fā)下提出“模板學說”，為分子印跡技術(shù)提供了理論基礎[70]。此后幾十年間，分子印跡技術(shù)蓬勃發(fā)展，具有選擇性的分子印跡聚合物、非共價印記聚合物以及離子印跡聚合物等的合成，進一步激發(fā)起人們對分子印跡技術(shù)的研究興趣，促進了分子印跡技術(shù)的快速發(fā)展�，F(xiàn)在，分子印跡聚合物在樣品前處理、固相萃娶傳感器等領(lǐng)域都有著廣泛的應用。1.2.2分子印跡技術(shù)的原理分子印跡的合成過程，簡單來說，就是指在溶液中加入一定量的模板分子、功能單體、交聯(lián)劑、引發(fā)劑和致孔劑，進行聚合反應，形成具有吸附性和識別性的分子印跡聚合物[71]。具體合成過程主要包含以下三部分：1）在溶劑中，按照一定的比例加入模板分子和功能單體進行預組裝；2）加入交聯(lián)劑和引發(fā)劑，在引發(fā)劑的引發(fā)下，通過交聯(lián)劑的聯(lián)合作用形成高度交聯(lián)的聚合物；3）加入洗脫劑，將模板分子從聚合物中去除，得到在形狀、大小和官能團上與模板分子特異性匹配的印跡聚合物[72]。由于功能單體和模板分子之間的結(jié)合力不同，常用的方法可以劃分為非共價法[73]、半共價法[74]、共價法[75]和金屬離子絡合物印跡[76]。圖1-3分子印跡技術(shù)過程示意圖[77]

【參考文獻】：
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博士論文
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碩士論文
[1]新型碳基納米材料的構(gòu)筑及其電化學儲能研究[D]. 潘鑫.大連理工大學 2019
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本文編號：3408204