發(fā)布時間：2021-09-22 00:31

　　采用循環(huán)伏安（CV）、動電位極化（Tafel）和電化學阻抗譜（EIS）技術、結合純鎂微弧氧化膜微觀形貌,研究電壓對膜層電化學腐蝕行為的影響.結果表明:電壓對膜層耐蝕性影響顯著,隨著電壓升高,膜層耐蝕性增強,這是因為較厚的膜層厚度為抵御腐蝕介質的侵蝕提供了良好的物理屏障.在整個腐蝕試驗過程中,高電壓下制備的膜層經歷三個階段:腐蝕介質逐漸滲入膜層,腐蝕介質滲透膜層到達膜基面侵蝕基體,腐蝕產物填充微孔和微裂紋等缺陷.相比而言,低電壓下制備的膜層隨著浸泡時間的延長,膜層外部疏松層和內部致密層的電阻均逐漸減小,致使耐蝕性降低,最終膜層完全失效. 

【文章來源】：蘭州理工大學學報. 2020,46(03)北大核心

【文章頁數】：6 頁

【部分圖文】：

微弧氧化過程中電流-時間曲線

電壓對膜層厚度的影響如圖2所示.由圖2可知,電壓對膜層厚度影響較大,450 V電壓下制備的膜層厚度((24.6±1.23)μm)為300 V電壓下((4.0±0.79)μm)的6倍.究其原因,電壓升高,試樣表面承受的能量密度增大(這可由圖1中較高的電流得以證實),微弧擊穿放電更易發(fā)生,陰陽離子遷移和反應的通道增加,膜層生長加快.同時,電壓越高,電場強度越大,陰陽離子遷移和反應速率越高,越有利于膜層生長.2.3 膜層微觀形貌

圖3所示為不同電壓下制備的膜層表面形貌.從圖3可以看出,兩電壓下制備的膜層具有相似的結構,均呈多孔狀,孔洞大小不一,且孔洞周邊的膜層較為致密.相比300 V電壓下制備的膜層,450 V電壓下制備的膜層表面熔融物顆粒更大,存有些許微裂紋,這些微裂紋是由高溫熔融氧化物在電解液的淬冷作用下造成熱應力分布不均導致的.同時,膜層表面微孔孔徑較大,但微孔數量明顯較少.300 V電壓下制備的膜層微孔小且分布均勻,但微孔數量較多.圖4所示為電壓對膜層截面形貌的影響.由圖4可知,450、300 V電壓下制備的膜層均與基體結合緊密,且呈現良好的微冶金結合.450 V電壓下制備的膜層厚度遠高于300 V電壓下的,這與圖2的實驗結果一致.同時,450 V電壓下制備的膜層微孔略大、微裂紋略多.

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3402795